Produkt-Details
Herkunftsort: China
Markenname: zmkj
Modellnummer: 4H-N, 4inch
Zahlungs-u. Verschiffen-Ausdrücke
Min Bestellmenge: 10pcs
Preis: by required
Verpackung Informationen: Verpackt in einer Reinraumumwelt der Klasse 100, in den Kassetten einzelnen Oblatenbehältern
Lieferzeit: 10-20days
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 100pcs/months
Material: |
Silikonkarbidkristall |
Größe: |
4inch |
Anwendung: |
Impfkristallgrad |
Widerstandskraft: |
0.015~0.028Ω.cm |
Art: |
4h-n |
Stärke: |
1.6mm |
Oberfläche: |
wie-geschnitten |
Grad: |
Produktion |
Material: |
Silikonkarbidkristall |
Größe: |
4inch |
Anwendung: |
Impfkristallgrad |
Widerstandskraft: |
0.015~0.028Ω.cm |
Art: |
4h-n |
Stärke: |
1.6mm |
Oberfläche: |
wie-geschnitten |
Grad: |
Produktion |
Art BLINDE des Grades des Produktionsgrades Substrate sic, Silikon-Karbidsubstrate 4inch dia100m 4H-N für Halbleiterbauelement,
kundengebundene Silikonkarbidkristallsic Oblaten der Stärke 4inch 4H-N für 4inch Impfkristallgrad;
SUBSTRAToblatenkarborundum des Silikon-Karbids sic Kristall
SILIKON-KARBID-MATERIALEIGENSCHAFTEN
Produkt-Name: | Kristallsubstrat des Silikonkarbids (sic) | ||||||||||||||||||||||||
Produkt-Beschreibung: | 2-6inch | ||||||||||||||||||||||||
Technische Parameter: |
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Spezifikationen: | 6H N-artiges 4H N-artiges halb-isolierendes dia2 „x0.33mm, dia2“ x0.43mm, dia2 ' x1mmt, 10x10mm, 10x5mm einzelner Wurf oder doppelter Wurf, Ra <10a> | ||||||||||||||||||||||||
Standardverpacken: | saubere Tasche 1000 Reinraum, 100 oder einzelnes Kastenverpacken |
2. Substrate sortieren vom Standard
4 Zoll Durchmesser Silikon-Karbid-(sic) Substrat-Spezifikation |
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Grad | Nullmpd-Grad | Produktions-Grad | Forschungs-Grad | Blinder Grad | |||||
Durchmesser | 100,0 mm±0.5 Millimeter | ||||||||
Stärke | 350 μm±25μm (Stärke 200-2000um ist auch okay) | ||||||||
Oblaten-Orientierung | Weg von der Achse: 4.0° in Richtung zu <1120> ±0.5° für 4H-N | ||||||||
Micropipe-Dichte | cm2 ≤1 | cm2 ≤5 | cm2 ≤15 | cm2 ≤50 | |||||
Widerstandskraft | 4H-N | 0.015~0.028 Ω•cm | |||||||
6H-N | 0.02~0.1 Ω•cm | ||||||||
4/6H-SI | ≥1E5 Ω·cm | ||||||||
Primärebene und Länge | {10-10} ±5.0°, 32,5 mm±2.0 Millimeter | ||||||||
Flache zweitenslänge | 18.0mm±2.0 Millimeter | ||||||||
Flache zweitensorientierung | Silikon nach oben: 90° CW. von flachem Haupt±5.0° | ||||||||
Randausschluß | 3 Millimeter | ||||||||
TTV/Bow /Warp | ≤15μm/≤25μm/≤40μm | ||||||||
Rauheit | Polnisches Ra≤1 Nanometer, CMP Ra≤0.5 Nanometer | ||||||||
Sprünge durch Licht der hohen Intensität | Kein | 1 gewährt, ≤2 Millimeter | Kumulatives Länge ≤ 10mm, einzelnes length≤2mm | ||||||
Hexen-Platten durch Licht der hohen Intensität | Kumulativer Bereich ≤1% | Kumulativer Bereich ≤1% | Kumulativer Bereich ≤3% | ||||||
Polytype-Bereiche durch Licht der hohen Intensität | Kein | Kumulativer Bereich ≤2% | Kumulativer Bereich ≤5% | ||||||
Kratzer durch Licht der hohen Intensität | 3 Kratzer zur kumulativen Länge des Durchmessers 1×wafer | 5 Kratzer zur kumulativen Länge des Durchmessers 1×wafer | 5 Kratzer zur kumulativen Länge des Durchmessers 1×wafer | ||||||
Randchip | Kein | 3 gewährt, ≤0.5 Millimeter jeder | 5 gewährt, ≤1 Millimeter jeder | ||||||
Verschmutzung durch Licht der hohen Intensität | Kein |
Sic Oblate u. Barren 2-6inch und andere kundengebundene Größe kann auch zur Verfügung gestellt werden.
Anzeige des Details 3.Products
Lieferung u. Paket
Q1. Ist Ihre Firma eine Fabrik oder eine Geschäftsfirma?
Wir sind die Fabrik und wir können Export auch tun.
Q2.Is Sie Firmeneinzige Arbeit mit sic Geschäft?
ja; jedoch wachsen wir das sic Kristall nicht durch Selbst.
Q3. Konnten Sie Probe liefern?
Ja können wir Saphirprobe entsprechend der Anforderung des Kunden liefern.
Q4. Haben Sie irgendeinen Vorrat an sic Oblaten?
wir halten normalerweise einige Oblaten der Standardgröße sic von den Oblaten 2-6inch auf Lager.
Q5.Where wird Ihre Firma lokalisiert?
Unsere Firma gelegen in Shanghai, China.
Q6. Wie lang nimmt, um die Produkte zu erhalten?
Im Allgemeinen dauert es 3~4 Wochen, um zu verarbeiten. Es ist, von der Quantität und von der Größe der Produkte abzuhängen.