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Guter Preis 4 Zoll Sic Siliziumkarbid Wafer 6H-P Typ Dicke 350μm Null / Prime Grade Dummy Grade Online
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6-Zoll-Ultra-Hochspannungs-SiC-Epitaxialwafer 100 500 μm Für MOSFET-Geräte

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2 Zoll/4 Zoll/6 Zoll/5,0*5,0 mm/10,0*10,0 mm Sic Siliziumkarbid Substrat Typ 3C-N Auf der Achse: < 111 > ± 0,5° Produktionsgrad Dummy-Grad

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SiC-Kristall-Samenwaffen Dia 205 203 208 Produktionsgrad PVT/HTCVD-Wachstum

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2 Zoll 3 Zoll 4 Zoll 6 Zoll SiC Epitaxie-Wafer 4H-N Produktionsqualität

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8-Zoll SiC Epitaxiesubstrat MOS-Güte Prime Grade 4H-N Typ Großer Durchmesser

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6 Zoll SiC Epitaxial Wafer Durchmesser 150mm 4H-N Typ 4H-P Typ Für 5G Kommunikation

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kaufen 4H-N Typ SiC Substrat 10x10mm Wafer für Leistungselektronik Online-Herstellung Video

4H-N Typ SiC Substrat 10x10mm Wafer für Leistungselektronik

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4-Zoll SiC Epitaxie-Wafer 4H-N Durchmesser 100 mm Dicke 350 µm Prime Grade

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4H-N Typ SiC Substrat 10x10mm Wafer für Leistungselektronik

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SiC-Samenwafer 4H N Typ Dia 153 155 2 Zoll-12 Zoll für die Herstellung von MOSFETs

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4H 6inch SiC Epitaxial Wafer 100μm/200μm/300μm für MOS-Geräte mit Ultraschallspannung (UHV)

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8-Zoll SiC Epitaxie-Wafer Durchmesser 200mm Dicke 500µm 4H-N Typ

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