SiC-Samenwafer 8 Zoll Dicke 600±50um 4H-Typ Produktionsgrad für Silikonkarbid Kristallwachstum

Anwendungen von SiC-Samenwafer

1. Elektroelektronik
   SiC-Samenwafer sind für die Herstellung leistungsstarker Leistungselektronik von entscheidender Bedeutung.niedrige UmschaltverlusteSiC-basierte Komponenten wie MOSFETs und Schottky-Dioden werden in verschiedenen Stromversorgungssystemen eingesetzt.einschließlich Elektrofahrzeuge (EV), Industriemotoren und Leistungsumwandlungssysteme.Diese Geräte bieten im Vergleich zu herkömmlichen Halbleitern auf Siliziumbasis eine bessere Effizienz und Leistung bei hohen Temperaturen und hohen Spannungen.

2. Hochfrequenzgeräte
   In Kommunikationssystemen und Radaranwendungen ermöglichen SiC-Samenwafer das Wachstum von SiC-Kristallen, die in Hochfrequenzgeräten verwendet werden.Die Fähigkeit des Materials, bei höheren Frequenzen mit geringeren Signalverlusten zu funktionieren, macht es ideal für HF- (Radiofrequenz) und MikrowellengeräteDiese Geräte werden in fortgeschrittenen Kommunikationsnetzen, Luft- und Raumfahrtsystemen und Verteidigungstechnologien eingesetzt, wo Leistung unter extremen Bedingungen unerlässlich ist.Die Verwendung von SiC-Samenwafern ermöglicht die Herstellung von Hochfrequenzgeräten, die effizienter und zuverlässiger bei der Übertragung und Empfang von Signalen sind.

3. LED und Optoelektronik
   SiC-Samenwafer werden auch bei der Herstellung von optoelektronischen Geräten verwendet, einschließlich Lichtdioden (LED) und Laserdioden.Siliziumcarbid dient als Substrat für das Wachstum von Galliumnitrid (GaN)Diese Geräte sind wichtig für Anwendungen in Festkörperbeleuchtung, Displays und hocheffizienten Beleuchtungslösungen.Die thermische und mechanische Stabilität von SiC ̊ bei hohen Temperaturen ermöglicht effizientere und langlebigere LED-Produkte, die ihre Anwendungen in Automobil-, Gewerbe- und Wohnbeleuchtungssystemen weiter ausdehnen.

Spezifikation