SiC-Epitaxialwafer-Substrat Halbleiter Industrieanwendungen 4H-NBeschreibung des Produkts:Siliziumkarbid (SiC-SubstratDie Schleifstoffe wurden im Jahre 1893 als Industrieabrasiv für Schleifräder und ...Ansicht mehr
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SiC Epitaxial Wafer Substrat Halbleiter Industrieanwendungen 4H-N