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4 Zoll 4H-N Siliziumkarbid SiC Substrat Dia 100mm N Typ Prime Grade Dummy Grade Dicke 350um individuell

Produkt-Details

Herkunftsort: China

Markenname: ZMSH

Modellnummer: SiC-Substrat

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Lieferzeit: 2-4 Wochen

Zahlungsbedingungen: T/T

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Hervorheben:

4H-N SiC-Substrat

,

angepasstes SiC-Substrat

,

100 mm SiC-Substrat

Material:
SiC-Einkristall
Typ:
4H-N-Typ
- Ich weiß.:
100 mm
Stärke:
350 um
Orientierung:
Abseits der Achse: 4° in Richtung <1120>
Zulassung:
P- oder D-Klasse
Material:
SiC-Einkristall
Typ:
4H-N-Typ
- Ich weiß.:
100 mm
Stärke:
350 um
Orientierung:
Abseits der Achse: 4° in Richtung <1120>
Zulassung:
P- oder D-Klasse
4 Zoll 4H-N Siliziumkarbid SiC Substrat Dia 100mm N Typ Prime Grade Dummy Grade Dicke 350um individuell

SiC-Wafer, SiC-Karbid-Wafer, SiC-Substrat, SiC-Karbid-Substrat, P-Klasse, D-Klasse, 2 Zoll SiC, 4 Zoll SiC, 6 Zoll SiC, 8 Zoll SiC, 12 Zoll SiC, 4H-N, 4H-SEMI, 6H-N, HPSI-Typ


Eigenschaften von 4H-N SiC4 Zoll 4H-N Siliziumkarbid SiC Substrat Dia 100mm N Typ Prime Grade Dummy Grade Dicke 350um individuell 0

- VerwendenSiC-Monokristallzur Herstellung

- Unterstützen Sie maßgeschneiderte mit Design-Artwork

- Aussergewöhnliche Leistung, breite Bandbreite und hohe Elektronenmobilität

- Überlegene Härte, 9,2 Mohs-Skala für Kratzfestigkeit

- in derTechnologiebereiche wie Leistungselektronik, LEDs und Sensoren.


Über 4H-N SiC

SiC-Substrat bezeichnet eine Wafer aus Siliziumcarbid (SiC), ein breitbandreiches Halbleitermaterial mit hervorragenden elektrischen und thermischen Eigenschaften.

SiC-Substrate werden üblicherweise als Plattform für das Wachstum von epitaxialen Schichten von SiC oder anderen Materialien verwendet, die zur Herstellung verschiedener elektronischer und optoelektronischer Geräte verwendet werden können,mit einer Leistung von mehr als 10 W, Schottky-Dioden, UV-Fotodetektoren und LEDs.

SiC-Substrate werden aufgrund ihrer überlegenen Eigenschaften gegenüber anderen Halbleitermaterialien wie Silizium für Hochleistungs- und Hochtemperaturelektronik-Anwendungen bevorzugt.einschließlich höherer Abbruchspannung, höhere Wärmeleitfähigkeit und höhere maximale Betriebstemperatur.

SiC-Geräte können bei viel höheren Temperaturen arbeiten als Silizium-basierte Geräte, was sie für den Einsatz in extremen Umgebungen wie in Automobil-, Luft- und Raumfahrt- und Energieanwendungen geeignet macht.

*Weitere Einzelheiten sind wie folgt:

Zulassung Produktionsgrad Schwachstelle
Durchmesser 150.0 mm +/- 0,2 mm
Stärke 500 um +/- 25 um für 4H-SI350 um +/- 25 um für 4H-N
Waferorientierung Auf der Achse: <0001> +/- 0,5° für 4H-SIOff-Achse: 4,0° in Richtung <11-20> +/- 0,5° für 4H-N
Mikropipendichte (MPD) 5 cm bis 2 30 cm bis 2
Dopingkonzentration N-Typ: ~ 1E18/cm3SI-Typ (V-Doped): ~ 5E18/cm3
Primärfläche (N-Typ) {10-10} +/- 5,0 Grad
Primärflächige Länge (N-Typ) 47.5 mm +/- 2,0 mm
Eintrittsvorrichtung (Halbdämmungsart) Schnitzel
Grenze ausgeschlossen 3 mm
TTV /Bow /Warp 15um /40um /60um
Oberflächenrauheit Polnischer Ra 1 nm
CMP Ra 0,5 nm auf der Si-Fläche


Weitere Proben

4 Zoll 4H-N Siliziumkarbid SiC Substrat Dia 100mm N Typ Prime Grade Dummy Grade Dicke 350um individuell 1

*Wir akzeptieren auch Anpassungen, wenn Sie weitere Anforderungen haben.

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Häufig gestellte Fragen zu 4H-N SiC

1F: Was ist der Unterschied zwischen 4H-N SiC und 4H-Semi SiC

A: 4H-N SiC ist ein hochreines, nicht doppiertes Siliziumcarbid mit überlegener elektrischer Leistung, geeignet für Hochleistungs- und Hochfrequenzanwendungen.

Während 4H-Semi-SiC eine Halbisolierung mit unterschiedlichen Dopingwerten ist, ist es für Anwendungen mit elektrischer Isolierung ausgelegt.

2F: Wie verhält sich die Wärmeleitfähigkeit von 4H-N SiC zu anderen Halbleitern?
A: 4H-N SiC hat eine höhere Wärmeleitfähigkeit als viele andere Halbleiter, was zu einer besseren Wärmeableitung und thermischem Management beiträgt.