Produkt-Details
Herkunftsort: China
Markenname: ZMSH
Modellnummer: SiC-Substrat
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Lieferzeit: 2-4 Wochen
Zahlungsbedingungen: T/T
Material: |
SiC-Einkristall |
Typ: |
4H-N-Typ |
- Ich weiß.: |
100 mm |
Stärke: |
350 um |
Orientierung: |
Abseits der Achse: 4° in Richtung <1120> |
Zulassung: |
P- oder D-Klasse |
Material: |
SiC-Einkristall |
Typ: |
4H-N-Typ |
- Ich weiß.: |
100 mm |
Stärke: |
350 um |
Orientierung: |
Abseits der Achse: 4° in Richtung <1120> |
Zulassung: |
P- oder D-Klasse |
- VerwendenSiC-Monokristallzur Herstellung
- Unterstützen Sie maßgeschneiderte mit Design-Artwork
- Aussergewöhnliche Leistung, breite Bandbreite und hohe Elektronenmobilität
- Überlegene Härte, 9,2 Mohs-Skala für Kratzfestigkeit
- in derTechnologiebereiche wie Leistungselektronik, LEDs und Sensoren.
Über 4H-N SiC
SiC-Substrat bezeichnet eine Wafer aus Siliziumcarbid (SiC), ein breitbandreiches Halbleitermaterial mit hervorragenden elektrischen und thermischen Eigenschaften.
SiC-Substrate werden üblicherweise als Plattform für das Wachstum von epitaxialen Schichten von SiC oder anderen Materialien verwendet, die zur Herstellung verschiedener elektronischer und optoelektronischer Geräte verwendet werden können,mit einer Leistung von mehr als 10 W, Schottky-Dioden, UV-Fotodetektoren und LEDs.
SiC-Substrate werden aufgrund ihrer überlegenen Eigenschaften gegenüber anderen Halbleitermaterialien wie Silizium für Hochleistungs- und Hochtemperaturelektronik-Anwendungen bevorzugt.einschließlich höherer Abbruchspannung, höhere Wärmeleitfähigkeit und höhere maximale Betriebstemperatur.
SiC-Geräte können bei viel höheren Temperaturen arbeiten als Silizium-basierte Geräte, was sie für den Einsatz in extremen Umgebungen wie in Automobil-, Luft- und Raumfahrt- und Energieanwendungen geeignet macht.
*Weitere Einzelheiten sind wie folgt:
Zulassung | Produktionsgrad | Schwachstelle | |
Durchmesser | 150.0 mm +/- 0,2 mm | ||
Stärke | 500 um +/- 25 um für 4H-SI350 um +/- 25 um für 4H-N | ||
Waferorientierung | Auf der Achse: <0001> +/- 0,5° für 4H-SIOff-Achse: 4,0° in Richtung <11-20> +/- 0,5° für 4H-N | ||
Mikropipendichte (MPD) | 5 cm bis 2 | 30 cm bis 2 | |
Dopingkonzentration | N-Typ: ~ 1E18/cm3SI-Typ (V-Doped): ~ 5E18/cm3 | ||
Primärfläche (N-Typ) | {10-10} +/- 5,0 Grad | ||
Primärflächige Länge (N-Typ) | 47.5 mm +/- 2,0 mm | ||
Eintrittsvorrichtung (Halbdämmungsart) | Schnitzel | ||
Grenze ausgeschlossen | 3 mm | ||
TTV /Bow /Warp | 15um /40um /60um | ||
Oberflächenrauheit | Polnischer Ra 1 nm | ||
CMP Ra 0,5 nm auf der Si-Fläche |
Weitere Proben
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1.Silikonkarbidwafer 2 Zoll 4 Zoll 6 Zoll 8 Zoll Industrieanwendung mit Oberflächenrauheit ≤0,2 nm
2. 2sp 4H-SEMI 4H-N SIC Siliziumkarbidwafer 10 X 10 X 0,5 mm
Häufig gestellte Fragen zu 4H-N SiC
1F: Was ist der Unterschied zwischen 4H-N SiC und 4H-Semi SiC
A: 4H-N SiC ist ein hochreines, nicht doppiertes Siliziumcarbid mit überlegener elektrischer Leistung, geeignet für Hochleistungs- und Hochfrequenzanwendungen.
Während 4H-Semi-SiC eine Halbisolierung mit unterschiedlichen Dopingwerten ist, ist es für Anwendungen mit elektrischer Isolierung ausgelegt.
2F: Wie verhält sich die Wärmeleitfähigkeit von 4H-N SiC zu anderen Halbleitern?
A: 4H-N SiC hat eine höhere Wärmeleitfähigkeit als viele andere Halbleiter, was zu einer besseren Wärmeableitung und thermischem Management beiträgt.