Premium 12-Zoll (300 mm) Siliziumkarbid (SiC) Substrat-Lösungen

1. Umfassende Produkteinführung

Das 12-Zoll-Substrat aus Siliziumkarbid (SiC) repräsentiert die aktuelle Grenze der Breitband-Halbleitertechnologie (WBG).Während sich die globale Industrie auf höhere Effizienz und höhere Leistungsdichte beziehtDiese große kristalline Plattform stellt die wesentliche Grundlage für die nächste Generation von Leistungselektronik und HF-Systemen dar.

Wichtige strategische Vorteile:

• Massive Durchsendung:Im Vergleich zu herkömmlichen 150mm (6-Zoll) und 200mm (8-Zoll) Wafern bietet das 300mm-Format mehr als das 2,2-fache und das 1,5-fache der verwendbaren Oberfläche.
• Kostenoptimierung:Reduziert dramatisch die "Kosten pro Werkstück" durch Maximierung der Anzahl von Chips, die pro einzelnen Produktionszyklus produziert werden.
• Erweiterte Kompatibilität:Vollkompatibel mit modernen, vollautomatisierten 300mm Halbleiterfertigungslinien (Fabs), die die Gesamtbetriebseffizienz verbessern.

Angebot der Produktklasse:

1. 4H SiC-N-Typ Produktionsgrad:Konzipiert für die Herstellung von hochleistungsfähigen Stromgeräten.
2. 4H SiC-N-Typ-Dummy-Typ:Eine kostengünstige Lösung für mechanische Prüfungen, Ausrüstungskalibrierung und thermische Prozessvalidierung.
3. 4H SiC Halbdämmstoff (SI) Produktionsgrad:Speziell für RF-, Radar- und Mikrowellenanwendungen mit extremer Widerstandsfähigkeit entwickelt.

4H-N Siliziumcarbid (leitfähiger Typ)

Der 4H-N-Polytyp ist eine mit Stickstoff doppierte, hexagonale Kristallstruktur, die für ihre robusten physikalischen Eigenschaften bekannt ist.

• Elektrofeld mit hoher Auflösung:Ermöglicht die Entwicklung dünnerer, effizienterer Hochspannungsgeräte.
• Überlegene Wärmeleitfähigkeit:Ermöglicht den Hochleistungsmodulen den Betrieb mit vereinfachten Kühlsystemen.
• Extreme thermische Stabilität:Beibehält stabile elektrische Parameter auch in rauen Umgebungen von mehr als 200 °C.
• Niedriges Widerstandsniveau:Optimiert für vertikale Energieanlagen wie SiC-MOSFETs und SBDs.

4H-SI Siliziumkarbid (halbisolierender Typ)

Unsere SI-Substrate zeichnen sich durch außergewöhnlich hohen Widerstand und minimale kristalline Defekte aus.

• Ausgezeichnete elektrische Isolierung:Eliminiert die parasitäre Leitung des Substrats.
• Signalintegrität:Ideal für Hochfrequenz-Mikrowellenanwendungen, bei denen ein geringer Signalverlust kritisch ist.

Unser Fertigungsprozess ist vertikal integriert, um eine vollständige Qualitätskontrolle vom Rohstoff bis zum fertigen Wafer sicherzustellen.

• Sublimationswachstum (PVT-Methode):Die 12-Zoll-Kristalle werden mit der Physical Vapor Transport (PVT) -Methode angebaut.Hochreines SiC-Pulver wird bei Temperaturen von mehr als 2000 °C unter präzise kontrollierter Vakuum- und Wärmegradie sublimiert, die sich auf einen hochwertigen Samenkristall umkristallisieren.
• Präzisionsschneiden und Randprofiling:Nach dem Wachstum werden die Kristallblöcke mit Hilfe einer hochentwickelten mehrdrahtigen Diamantsäge in Wafer geschnitten.Die Bearbeitung der Kanten beinhaltet ein präzises Schamfen, um Splitter zu verhindern und die mechanische Robustheit während der Handhabung zu verbessern.
• Oberflächentechnik (CMP):Abhängig von der Anwendung verwenden wir Chemical Mechanical Polishing (CMP) auf der Si-Fläche.Entfernung aller unterirdischen Schäden zur Förderung eines hochwertigen epitaxialen Wachstums.

Wir verwenden ein mehrstufiges Inspektionsprotokoll, um eine gleichbleibende Leistung Ihrer Produktionslinie zu gewährleisten:

1. Optische Messtechnik:Automatisierte Oberflächengeometriemessung für TTV, Bogen und Warp.
2. Kristalline Auswertung:Polarisierte Lichtuntersuchung nach Polytyp-Einschlüssen und Spannungsanalyse.
3. Oberflächenfehler scannen:Hochintensives Licht und Laserstreuung, um Kratzer, Gruben und Kantenchips zu erkennen.
4. Elektrische Eigenschaften:Kontaktsfreie Kartierung der Widerstandsfähigkeit in den zentralen 8-Zoll- und vollen 12-Zoll-Zonen.

• Elektrofahrzeuge (EV):Kritisch für Traktionsumrichter, 800-Volt-Schnellladestellen und Bordladegeräte (OBC).
• Erneuerbare Energien:Hocheffiziente PV-Wechselrichter, Windkraftwandler und Energiespeichersysteme (ESS).
• Intelligentes Netz:Hochspannungs-Gleichspannungsübertragung (HVDC) und industrielle Motorantriebe.
• Telekommunikation:5G/6G Makrostationen, HF-Leistungsverstärker und Satellitenverbindungen.
• Luft- und Raumfahrt:Hoch zuverlässige Stromversorgungen für extreme Luft- und Raumfahrtumgebungen.