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Premium 3C-SiC-Substrate: N-Typ-Produktionswafer für 5G und Leistungselektronik

Markenbezeichnung:	ZMSH
Modellnummer:	3c-n sic
MOQ:	10 Stück
Preis:	by case
Lieferzeit:	in 30 Tagen
Zahlungsbedingungen:	T/T

Einzelheiten

Produkt-Beschreibung

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Herkunftsort:

China

Zertifizierung:

rohs

Größe:

2 Zoll, 4 Zoll, 6 Zoll, 5 × 5,10 × 10

Dielektrizitätskonstante:

9.7

Oberflächenhärte:

HV0.3> 2500

Dichte:

3,21 g/cm3

Wärmeleitkoeffizient:

4,5 x 10-6/k

Durchbruchspannung:

5,5 mV/cm

Anwendungen:

Kommunikation, Radarsysteme

Verpackung Informationen:

CustomZied Plastic Box

Versorgungsmaterial-Fähigkeit:

1000 Prozent/Monat

Hervorheben:

N-Typ 3C-SiC Produktionswafer

5G Leistungselektronik SiC-Substrate

Premium SiC-Wafer mit Garantie

Produkt-Beschreibung

Premium 3C-SiC Substrate: N-Typ-Produktionsqualität-Wafer für 5G & Leistungselektronik

Wegweisende Halbleiterlösungen der dritten Generation

Abb. 1. Hochreiner 3C-SiC-Halbleiterwafer

Mit über einem Jahrzehnt engagierter ExpertiseZMSH steht an der Spitze der Forschung und Entwicklung fortschrittlicher Materialien. Wir liefern hochgradig angepasste Halbleitersubstrate – einschließlich SiC-, Silizium-, Saphir- und SOI-Wafer. Unser Siliziumkarbid-Portfolio deckt umfassend die Polytypen 4H, 6H und 3C ab und bietet skalierbare Lieferketten von 2-Zoll-Forschungsmustern bis zu 12-Zoll-Massenproduktionswafern.

Gebaut für extreme Leistung:
Unsere N-Typ 3C-SiC-Substrate sind sorgfältig für die nächste Generation vonHochfrequenz-LeistungskomponentenundAutomobil-EV-Wechselrichternentwickelt. Sie übertreffen herkömmliches Silizium dramatisch, indem sie eine außergewöhnliche thermische Stabilität (bis zu 1.600 °C) und eine überlegene Wärmeleitfähigkeit (49 W/m·K) bieten. Diese Wafer werden nach strengen internationalen Standards in Luft- und Raumfahrtqualität hergestellt und garantieren unerschütterliche Zuverlässigkeit in den anspruchsvollsten Betriebsumgebungen.

Kernmerkmale des Substrats

1. Vielseitige Dimensionsskalierbarkeit:

Standardformate:Erhältlich in Durchmessern von 2", 4", 6" und 8".
Maßgeschneiderte Geometrie:Kundenspezifische Größen beginnen bei Mikrodimesionen von 5×5 mm bis hin zu kundenspezifischen Layouts.

2. Ultra-niedrige Defektarchitektur:

Mikrolunker-Dichten werden streng unter0,1 cm⁻² #SiliziumkarbidSubstrat #3C_N_Typ_SIC #Halbleitermaterialien #3C_SiC_Substrat #Produktionsgrad #5G_Kommunikation #EV_Wechselrichter
3. Nahtlose Prozesskompatibilität:

Optimiert für intensive Fertigungsschritte wie Hochtemperatur-Oxidation und fortschrittliche Lithographie. Überlegene Oberflächenebene erreicht bei

λ/10 @632,8 nm
.Materialeigenschaften & Vorteile #SiliziumkarbidSubstrat #3C_N_Typ_SIC #Halbleitermaterialien #3C_SiC_Substrat #Produktionsgrad #5G_Kommunikation #EV_Wechselrichter

Mit einer bemerkenswerten Elektronenmobilität von

1.100 cm²/V·s

übertrifft unser 3C-SiC das Standard-4H-SiC (900 cm²/V·s) deutlich, was zu minimalen Leitungsverlusten führt. Sein breites Bandlücke von 3,2 eV ermöglicht es dem Substrat, massive Spannungsbelastungen von bis zu 10 kV zu bewältigen.■ Unübertroffenes WärmemanagementMit einer Wärmeleitfähigkeitsbewertung von

49 W/m·K

übertrifft es mühelos herkömmliches Silizium. Dies ermöglicht den sicheren Betrieb von Geräten über extreme Temperaturspektren hinweg, von kryogenen -200 °C bis hin zu glühenden 1.600 °C Umgebungen.■ Ultimative chemische BeständigkeitHochgradig unempfindlich gegenüber aggressiven Säuren, starken Laugen und intensiver ionisierender Strahlung, was es zum Material der Wahl für nukleare Infrastruktur und Tiefraum-Luft- und Raumfahrtmodule macht.

Detaillierte technische Spezifikationen

Parameter

Z-Grad

(Zero MPD Produktion)	P-Grad (Standardproduktion)	Durchmesser 145,5 mm – 150,0 mm
Dicke	350 µm ± 25 µm
Wafer-Ausrichtung	Off-Axis: 2,0°–4,0° in Richtung [1120] ± 0,5° (4H/6H-P)
On-Axis:	± 0,5° (3C-N) * Mikrolunker-Dichte<111>0 cm⁻²
* Widerstand (p-Typ 4H/6H-P)	≤ 0,1 Ω·cm
≤ 0,3 Ω·cm	* Widerstand (n-Typ 3C-N)	≤ 0,8 mΩ·cm
≤ 1,0 mΩ·cm	Primäre Flachausrichtung	4H/6H-P: {1010} ± 5,0° \| 3C-N: {110} ± 5,0°
Primäre Flachlänge	32,5 mm ± 2,0 mm
Sekundäre Flachlänge	18,0 mm ± 2,0 mm
Sekundäre Flachausrichtung	Siliziumseite nach oben, 90° im Uhrzeigersinn von der Prime-Fläche ± 5,0°
Rand-Ausschlussbereich	3 mm
6 mm	LTV / TIV / Bow / Warp	≤ 2,5 µm / ≤ 5 µm / ≤ 15 µm / ≤ 30 µm
≤ 10 µm / ≤ 15 µm / ≤ 25 µm / ≤ 40 µm	* Rauheit (Politur)	Ra ≤ 1 nm
* Rauheit (CMP)	Ra ≤ 0,2 nm
Ra ≤ 0,5 nm	Kantenrisse	Keine
Kum. Länge ≤ 10 mm, einzeln ≤ 2 mm	Mehrwafer-Kassette oder Einzelwafer-Behälter	Kum. Fläche ≤ 0,05%
Kum. Fläche ≤ 0,1%	Keine	Keine
Kum. Fläche ≤ 3%	Mehrwafer-Kassette oder Einzelwafer-Behälter	Keine
Kum. Fläche ≤ 0,05%	Mehrwafer-Kassette oder Einzelwafer-Behälter	Keine
Kum. Länge ≤ 1 × Wafer-Durchmesser	Mehrwafer-Kassette oder Einzelwafer-Behälter	Keine erlaubt ≥ 0,2 mm Breite/Tiefe
Max. 5 erlaubt, ≤ 1 mm jeweils	Si-Oberflächenkontamination	Keine
Verpackung	Mehrwafer-Kassette oder Einzelwafer-Behälter
Hinweise:	Defektgrenzen gelten für die gesamte Waferoberfläche mit Ausnahme des Rand-Ausschlussbereichs. Kratzer (*) sollten nur auf der Siliziumseite unter starkem Licht überprüft werden.

Primäre Anwendungsszenarien1. Hochfrequenz-RF & 5G-Kommunikation

Vital als RF-Gerätesubstrate für

5G-Basisstationen

, ermöglicht effiziente mmWave-Signalübertragung. Entscheidend fürFortschrittliche Radarsysteme, wo geringe Dämpfung eine präzise Zielerfassung gewährleistet.2. Elektromobilität (EVs)Revolutioniert

On-Board-Ladegeräte (OBC)

durch Reduzierung der Energieverluste um 40 % in 800-V-Architekturen. VerbessertDC/DC-Wandlerzur Reduzierung des Energieverbrauchs um bis zu 90 %, was die Reichweite des Fahrzeugs erheblich erhöht.3. Grüne Energie & Industrielle NetzeErhöht die Effizienz von

Solarwechselrichtern

um 1-3 % und halbiert gleichzeitig das Bauteilvolumen. ErmöglichtSmart Grids, mit kleineren Stellflächen und minimalen Kühlungsanforderungen zu arbeiten.4. Luft- und Raumfahrt & VerteidigungSetzt

Strahlungsharte Geräte

ein, um anfälliges Silizium in Orbital-Satelliten und Trägerraketen zu ersetzen und die Missionslebensdauer drastisch zu verlängern.Empfohlene SiC-SubstratmodelleSiC 3C-N Typ kundenspezifische Bearbeitung (leitfähig) für Radarsysteme - Zero MPD Grad

2"/4"/6" & Mikrogröße (5x5/10x10mm) SiC-Substrat Typ 3C-N On-Axis

Produktions-/Dummy-Grad

3C-SiC-Substrate FAQ<111>F1: Was genau ist ein 3C-SiC-Substrat?

A: 3C-SiC steht für kubisches Siliziumkarbid. Es ist ein hochspezialisiertes Halbleitermaterial, das sich durch eine kubische Kristallstruktur auszeichnet. Es liefert eine phänomenale Elektronenmobilität (1.100 cm²/V·s) und eine robuste Wärmeleitfähigkeit (49 W/m·K), was es zur ersten Wahl für extreme Temperaturen und Hochfrequenzschaltungen macht.

F2: Welche Branchen nutzen hauptsächlich die 3C-SiC-Technologie?

A: Aufgrund seiner geringen Signalverluste und Strahlungshärte wird 3C-SiC intensiv in der Herstellung von

5G-RF-Kommunikationsmodulen

, hocheffizientenElektrofahrzeug (EV) Wechselrichternund robusten Elektronikkomponenten fürLuft- und Raumfahrt- und Satellitenanwendungeneingesetzt.Suchbegriffe: #SiliziumkarbidSubstrat #3C_N_Typ_SIC #Halbleitermaterialien #3C_SiC_Substrat #Produktionsgrad #5G_Kommunikation #EV_Wechselrichter

Umbauten:

Saphir-Oblate

Sic Substrat

Saphir optisches Windows

IC-Siliziumscheibe

Draht sah Maschine

Synthetischer Saphir Rod

Fixierter Quarz-Platte

Saphir-Teile

Synthetischer Edelstein

Halbleiter-Ausrüstung

Oblate LiNbO3

Indium-Phosphid-Oblate

keramisches Substrat

Laborverpackung

Gallium-Nitrid-Oblate

GaAs-Oblate