Abbildung 1. Hochreine 3C-SiC-Halbleiterwafer

Gebaut für extreme Leistung:
Unsere N-Typ 3C-SiC-Substrate sind sorgfältig für die nächste Generation entwickelt.HochfrequenzstromkomponentenundElektrofahrzeugumrichterSie übertreffen das herkömmliche Silizium durch außergewöhnliche thermische Stabilität (bis zu 1.600°C) und überlegene Wärmeleitfähigkeit (49 W/m·K).Hergestellt nach strengen internationalen Luft- und Raumfahrtstandards, garantieren diese Wafer eine unerschütterliche Zuverlässigkeit in den anspruchsvollsten Betriebsumgebungen.

• Standardformate:Erhältlich in 2", 4", 6" und 8" Durchmesser.
• Geometrie nach Maß:Die individuelle Größe beginnt bei 5×5 mm bis hin zu kundenspezifischen Layouts.

• Die Dichte der Mikrovoiden wird streng unter0.1 cm^-2.
• Eine außergewöhnliche Widerstandskontrolle gewährleistet maximale Leistung und Zuverlässigkeit des Geräts.

• Optimiert für intensive Fertigungsschritte wie Hochtemperaturoxidation und Lithographie.
• Überlegene Oberflächenflächigkeit erreicht beiλ/10 @632,8 nm.

1Hochfrequente HF- und 5G-Kommunikation

Wirklich wichtig als RF-Geräte-Substrate für5G-Basisstationen, die eine effiziente Verbreitung von mm-Wellensignal ermöglicht.Weiterentwickelte Radarsystemewenn eine geringe Dämpfung eine präzise Zielführung gewährleistet.

2. Elektrische Mobilität (EV)

RevolutionärBordladegeräte (OBC)Die Erhöhung der Energieverluste in 800-Volt-Architekturen um 40% verringert.GleichspannungsumrichterUm die Energieverschwendung um bis zu 90% zu reduzieren, erhöht sich die Reichweite des Fahrzeugs erheblich.