8-Zoll SiC Epitaxiesubstrat MOS-Güte Prime Grade 4H-N Typ Großer Durchmesser

8 Zoll SiC-Epitaxialsubstrat MOS-Grad Prime-Grad 4H-N-Typ großer Durchmesser

Als entscheidende Voraussetzung für die Entwicklung von Halbleitern der dritten Generation erreichen unsere 8-Zoll-SiC-Epitaxialwafer doppelte Durchbrüche in der Materialleistung und Fertigungseffizienz.Mit einer 78% größeren Nutzfläche (200 mm) gegenüber. 6-Zoll-Wafer mit einer Defektdichte von <0,2/cm2 durch lokalisierte Produktion senken die Kosten für SiC-Geräte um > 30%.Förderung der inländischen Substitution und der globalen Wettbewerbsfähigkeit.

Produktspezifikationen für 8 Zoll SiC-Epitaxialwafer

Haupteigenschaften einer 8-Zoll-SiC-Epitaxialwafer

1. Prozessinnovation

• Erreicht eine epitaxiale Wachstumsrate von 68,66 μm/h (25% schneller als importierte Werkzeuge) über einheimische MOCVD, mit <50 μm Warppage durch Niedrigspannungsgliederung für das automatisierte Dicken.Dieses hochdurchsatzreiche Verfahren ermöglicht im Vergleich zu herkömmlichen Verfahren um 20% schnellere Produktionszyklen.

2. Materialreiche Entwicklungen

• Graded Carrier Konzentration (5×1013~1×1019cm−3) reduziert SiC MOSFET R_{DS (an)}Das optimierte Dopingprofil erhöht auch die Schaltwirksamkeit bei hohen Frequenzen (> 100 kHz) um 15%.

3. Umweltschonbarkeit

• Die Feuchtigkeitsbeständige Passivierung ermöglicht eine elektrische Stabilität von > 1000 h bei 85 °C/85% RH und ermöglicht die Einführung tropischer Energiespeichersysteme..