Halbautomatische Klebmaschine bei Raumtemperatur 2/4/6/8/12 Zoll Kompatibles Material Saphir Si SiC InP GaAs GaN LT/LN Diamantglas

Halbautomatische Klebmaschine bei Raumtemperatur 2/4/6/8/12 Zoll Kompatibles Material Saphir Si SiC InP GaAs GaN LT/LN Diamantglas

 
 
Eine halbautomatische Raumtemperatur-Bindemaschine ist ein Präzisionsgerät für die Bindung auf Wafer- oder Chip-Ebene.Die mechanische Druck- + Oberflächenaktivierungstechnologie ermöglicht eine dauerhafte Bindung zwischen Materialien bei Raumtemperatur (20-30 °C) ohne hohe Temperaturen oder zusätzliche KlebstoffeEs eignet sich für die Verpackung von Halbleitern, die Herstellung von MEMS, die Integration von 3D-ICs und andere Bereiche, insbesondere für die Bindungsbedürfnisse hitzeempfindlicher Materialien und Mikro- und Nanostrukturen.
 
 

Eigenschaften der halbautomatischen Raumtemperatur-Bindemaschine

(1) Bindetechnik
- Normaltemperaturverbindung: Betriebstemperatur 25±5°C, Vermeidung von thermischen Belastungsschäden an empfindlichen Geräten (wie CMOS, flexibles Substrat).
- Oberflächenaktivierung: Plasma- oder chemische Aktivierung ist optional, um die Bindungsfestigkeit (> 10 MPa) zu verbessern.
- Kompatibilität zwischen verschiedenen Materialien: Unterstützung der direkten Bindung von Silizium (Si), Glas (Glas), Quarz, Polymer (PI/PDMS) und anderen Materialien.
 
 
(2) Präzision und Kontrolle
- Ausrichtungsgenauigkeit: ± 0,5 μm (visuelles Ausrichtungssystem + präzise mechanische Plattform).
- Druckregelung: 0-5000N einstellbar, Auflösung ±1N, Einheitlichkeit > 95%
- Echtzeitüberwachung: Integrierter Kraftsensor + optisches Interferometer, Echtzeit-Feedback-Bindungsqualität.
 
 
(3) Automatisierungsfunktion
- Halbautomatischer Betrieb: manuelles Be- und Entladen + automatisches Bindverfahren, unterstützt die Verarbeitung auf der Ebene eines einzelnen Chips oder einer Wafer.
- Programmierbare Formulierung: Speichern mehrerer Prozessparameter (Druck, Zeit, Aktivierungsbedingungen).
- Sicherheitsschutz: Notbremsung + Kollisionsschutzkonstruktion gemäß den Sicherheitsnormen SEMI S2/S8.
 
 
(4) Sauberkeit und Zuverlässigkeit
- Klasse 100 Saubere Umwelt: eingebauter HEPA-Filter, Partikelkontrolle < 0,3 μm.
- Niedrige Defektquote: Bindungsschnittstellenkavität < 0,1% (@ 200 mm Wafer).
 
 

Technische Spezifikation

 
Die halbautomatische Raumtemperatur-Bindemaschine löst die Einschränkungen der traditionellen Bindetechnologie an wärmeempfindlichen Materialien durch einen hochpräzisen und niedrigen Temperaturprozess.und hat unersetzliche Vorteile auf dem Gebiet der 3D-ICWir sind bestrebt, unseren Kunden eine hohe Zuverlässigkeit zu bieten.kostengünstige Bindungslösungen zur Förderung der Entwicklung fortschrittlicher Verpackungs- und Mikro- und Nanofertigungstechnologien.
 
 

Anwendung vonHalbautomatische Bindemaschine bei Raumtemperatur

(1) Advanced Packaging für Halbleiter
· 3D-IC-Integration: Durch Silizium (TSV) werden Wafer bei Raumtemperatur gebunden, um Verformungsprobleme durch hohe Temperaturen zu vermeiden.
· Heterogene Integration: Stacking-Bindung von Logikchips und Speicherchips (z. B. HBM).
 
 
(2) Herstellung von MEMS-Geräten
· Verpackung auf Waferebene: Vakuumdichtungsanbindung von MEMS-Geräten wie Beschleunigungsmessern und Gyroskopen.
· Mikrofluidische Chip: PDMS und Glasbindung bei Raumtemperatur zur Aufrechterhaltung der biologischen Aktivität.
 
 
(3) Optoelektronik und Display
· LED-Verpackung: Sapphire-Substrat und Silizium-Substrat ohne Kleber.
· Optisches AR/VR-Modul: Niedertemperaturverbindung von Wellenleiter und Glaslinse.
 
 
(4) Wissenschaftliche Forschung und spezielle Anwendungen
· Flexible Elektronik: Verlustfreie Bindung von PI-Substrat an den Dünnschichtsensor.
· Quantengeräte: Niedertemperaturkompatible Bindung supraleitender Qubit-Chips.