Indiumphosphat Wafer InP Halbleiter Substrate Epitaxial 2'' 3' 4' Dicke 350um

Indiumphosphat Wafer InP Halbleiter Substrate Epitaxial 2'' 3' Dicke 350um

BeschreibungIndiumphosphat:

Indium-Phosphid-Chips (InP) sind ein weit verbreitetes Material in der Optoelektronik und Halbleitergeräten.

• Hohe Elektronenmobilität: Indiumphosphatchips haben eine hohe Elektronenmobilität, was bedeutet, dass sich Elektronen schneller durch das Material bewegen.

• Kontrollierte Materialeigenschaften: Die Eigenschaften von Indiumphosphorwaffen können durch Kontrolle des epitaxialen Wachstumsprozesses des Materials und der Dopingtechniken reguliert werden.

• Breitband-Lücke: Die Indium-Phosphid-Wafer verfügt über eine breite Bandlücke, die es ermöglicht, im sichtbaren und Infrarotlichtbereich zu arbeiten.

• Hohe Sättigungs-Driftgeschwindigkeit: Die Indiumphosphat-Wafer hat eine hohe Sättigungs-Driftgeschwindigkeit, was bedeutet, dass die Elektronen-Driftgeschwindigkeit unter einem hohen elektrischen Feld ihr Maximum erreicht.

• Ausgezeichnete Wärmeleitfähigkeit: Die Indiumphosphorwafer weist eine hohe Wärmeleitfähigkeit auf, was bedeutet, dass sie in der Lage ist, Wärme effizient zu leiten und abzuleiten,so die Zuverlässigkeit und Leistungsstabilität des Geräts verbessern.

Merkmale derIndiumphosphat:

Indium-Phosphid-Chips (InP) weisen einige bemerkenswerte Eigenschaften auf, die sie in der Optoelektronik und Halbleitern weit verbreitet machen.Im Folgenden sind einige der Hauptmerkmale von Indiumphosphid-Chip-Materialien aufgeführt::

• Direkte Bandlücke: Indiumphosphid hat eine direkte Bandlücke, die es in optischen Geräten hervorragend macht.

• Breitband-Gap-Bereich: Indiumphosphid hat eine breite Bandbreite vom Infrarot bis zum ultravioletten Spektrum.

• Hohe Elektronenbeweglichkeit: Indiumphosphat hat eine hohe Elektronenbeweglichkeit, was es in der Hochfrequenzelektronik und der Hochgeschwindigkeitsoptoelektronik hervorragend macht.

• Ausgezeichnete Wärmeleitfähigkeit: Indiumphosphid hat eine hohe Wärmeleitfähigkeit und kann Wärme wirksam abführen.

• Gute mechanische und chemische Stabilität: Indiumphosphorchips haben eine gute mechanische und chemische Stabilität und können Stabilität und Zuverlässigkeit unter verschiedenen Umweltbedingungen aufrechterhalten.

• Verstellbare Bandstruktur: Die Bandstruktur von Indiumphosphidmaterialien kann durch Doping- und Legierungstechniken reguliert werden, um den Anforderungen verschiedener Geräte gerecht zu werden.

Technische Parameter vonIndiumphosphat:

AnwendungenIndiumphosphat:

Indium-Phosphid-Wafer (InP) haben eine breite Palette von Anwendungen in der Optoelektronik und Halbleiter-Substraten:

• Optische Kommunikation: InP-Wafer werden im Bereich der optischen Kommunikation für Hochgeschwindigkeits-Optische Faserkommunikationssysteme weit verbreitet.mit einer Leistung von nicht mehr als 10 W, optische Empfänger, optische Verstärker und optische Glasfaserkoppler.

• Fotoelektronische Geräte: InP-Wafer werden zur Herstellung von photoelektronischen Geräten wie Photodioden, Photodetektoren, Solarzellen und Fotocouplern verwendet.

• Hochgeschwindigkeitselektronische Geräte: InP-Substrate werden im Bereich der Hochfrequenz-elektronischen Geräte weit verbreitet.Die Transistoren mit hoher Elektronenmobilität (HEMT) von InP-Waffen werden zur Vorbereitung von Geräten wie Hochfrequenzverstärkern verwendet, HF-Switches und Mikrowellen-Integrierten Schaltungen für Anwendungen wie drahtlose Kommunikation, Radarsysteme und Satellitenkommunikation.

• Integrierte optische Geräte: InP-Wafer werden verwendet, um integrierte optische Geräte wie optische Wellenleitungen, optische Modulatoren, optische Schalter und optische Verstärker herzustellen.

• Photonikforschung: InP-Wafer spielen eine wichtige Rolle in der Photonikforschung. Sie werden in Laborforschung, Quantenoptik, Quanteninformationsverarbeitung und optischen Quantengeräten verwendet.

• Neben den oben genannten Anwendungen werden InP-Wafer auch in anderen Bereichen eingesetzt, wie z. B. optische Sensorik, Biomedizin, Lichtspeicherung und Halbleitersubstrate.

Häufige Fragen:

F1: Welcher Markenname ist derInP-Wafer?
A1: DieInP-Wafer istvon ZMSH hergestellt.

F2: Was ist der Durchmesser derInP-Wafer?
A2: Der DurchmesserInP-Wafer istZwei Meter, drei Meter, vier Meter.

F3: Wo ist derInP-WaferVon wem?
A3: DieInP-Waferist aus China.

F4: Ist dieInP-WaferROHS-zertifiziert?
A4: Ja, dieInP-Wafer ist ROHS-zertifiziert.

F5: Wie viele InPKann ich Waffeln gleich kaufen?
A5: Die Mindestbestellmenge derInP-Waferist 5 Stück.

Andere Erzeugnisse:

mit einer Breite von nicht mehr als 20 mm