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3 Zoll-Silikon-Karbid-Wafer, sic Substrat-ausgezeichnete vorübergehende Eigenschaften

Produkt-Details

Herkunftsort: China

Markenname: zmkj

Modellnummer: 4inch--halb hoher Reinheitsgrad

Zahlungs-u. Verschiffen-Ausdrücke

Min Bestellmenge: 1pcs

Preis: by required

Verpackung Informationen: Verpackt in einer Reinraumumwelt der Klasse 100, in den Kassetten einzelnen Oblatenbehältern

Lieferzeit: 15 Tage

Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 100pcs/months

Erhalten Sie besten Preis
Hervorheben:

sic Oblate

,

sic Substrat

Material:
sic Kristall
Industrie:
Halbleiterwafer
Anwendung:
Halbleiter, geführt, Gerät, Leistungselektronik, 5G
Farbe:
blau, grün, weiß
Art:
4H, 6H, LACKIERT, kein lackierter, hoher Reinheitsgrad
Material:
sic Kristall
Industrie:
Halbleiterwafer
Anwendung:
Halbleiter, geführt, Gerät, Leistungselektronik, 5G
Farbe:
blau, grün, weiß
Art:
4H, 6H, LACKIERT, kein lackierter, hoher Reinheitsgrad
3 Zoll-Silikon-Karbid-Wafer, sic Substrat-ausgezeichnete vorübergehende Eigenschaften

3inch sic Oblate, Silikon-Karbid-Substrate des hohen Reinheitsgrad-4H, Substrate des hohen Reinheitsgrades 4inch sic, Karbidsubstrate des Silikon-4inch für Halbleiter, 4inch sic Substrate, Silikon-Karbidsubstrate für semconductor, sic einzelne Kristallscheiben, sic Barren für Edelstein

Verwendungsgebiete

1 Schottky-Dioden der Hochfrequenz- und der hohen Leistungelektronischen geräte, JFET, BJT, PiN, Dioden, IGBT, MOSFET

2 optoelektronische Geräte: hauptsächlich verwendet in GaN/im sic blauen LED-Substratmaterial (GaN/sic) LED

advantagement

• Niedrige Gitterfehlanpassung
• Hohe Wärmeleitfähigkeit
• Leistungsaufnahme der geringen Energie
• Ausgezeichnete vorübergehende Eigenschaften
• Hohe Bandlücke

SUBSTRAToblatenkarborundum des Silikon-Karbids sic Kristall

SILIKON-KARBID-MATERIALEIGENSCHAFTEN

Eigentum 4H-SiC, einzelner Kristall 6H-SiC, einzelner Kristall
Gitter-Parameter a=3.076 Å c=10.053 Å a=3.073 Å c=15.117 Å
Stapeln von Reihenfolge ABCB ABCACB
Mohs-Härte ≈9.2 ≈9.2
Dichte 3,21 g/cm3 3,21 g/cm3
Therm. Expansions-Koeffizient 4-5×10-6/K 4-5×10-6/K
Brechungs-Index @750nm

keine = 2,61

Ne = 2,66

keine = 2,60

Ne = 2,65

Dielektrizitätskonstante c~9.66 c~9.66
(N-artiges, 0,02 ohm.cm) der Wärmeleitfähigkeit

a~4.2 W/cm·K@298K

c~3.7 W/cm·K@298K

Wärmeleitfähigkeit (Halb-Isolieren)

a~4.9 W/cm·K@298K

c~3.9 W/cm·K@298K

a~4.6 W/cm·K@298K

c~3.2 W/cm·K@298K

Bandlücke eV 3,23 eV 3,02
Zusammenbruch-elektrisches Feld 3-5×106V/cm 3-5×106V/cm
Sättigungs-Driftgeschwindigkeit 2.0×105m/s 2.0×105m/s

2. Substratgröße des Standards

3 Zoll Durchmesser 4H Silikon-Karbid-Substrat-Spezifikationen
SUBSTRAT-EIGENTUM Ultra Grad Produktions-Grad Forschungs-Grad Blinder Grad
Durchmesser 76,2 Millimeter ±0.38 Millimeter
Oberflächenorientierung Aufachse: {0001} ± 0.2°; Ausachse: 4°toward <11-20> ± 0.5°
Flache hauptsächlichorientierung <11-20> ± 5,0 ̊
Flache zweitensorientierung 90,0 ̊ CW von Primär-± 5,0 ̊, Silikon nach oben
Flache hauptsächlichlänge 22,0 Millimeter ± 2,0 Millimeter
Flache zweitenslänge 11,0 Millimeter ± 1.5mm
Oblaten-Rand Abschrägung
Micropipe-Dichte cm2 ≤1 micropipes/ cm2 ≤5 micropipes/ cm2 ≤10 micropipes/ cm2 ≤50 micropipes/
Polytype-Bereiche durch Intensitätslicht Keine ermöglichten ≤10% Bereich
Widerstandskraft 0,015 Ω·cm~0.028 Ω·cm (Bereich 75%) 0.015Ω·cm~0.028 Ω·cm
Stärke 350,0 μm ± 25,0 μm oder 500,0 μm ± 25,0 μm
TTV μm ≤10 μm ≤15
Bogen (absoluter Wert) μm ≤15 μm ≤25
Verzerrung μm ≤35

3.sample

3 Zoll-Silikon-Karbid-Wafer, sic Substrat-ausgezeichnete vorübergehende Eigenschaften 0

FAQ:

Q: Was ist die Weise des Verschiffen- und Kosten- und Lohnausdruckes?

A: (1) wir accept100% T/T im Voraus durch DHL, Fedex, EMS etc.

(2) wenn Sie Ihr eigenes Eilkonto haben, ist es groß. Wenn nicht, könnten wir Ihnen helfen, sie zu versenden.

Fracht stimmt mit der tatsächlichen Regelung überein.

Q: Was ist Ihr MOQ?

A: (1) für Inventar, ist das MOQ 2pcs.

(2) für kundengebundene Produkte, ist das MOQ 25pcs oben.

Q: Kann ich die Produkte besonders anfertigen, die auf meinem Bedarf basieren?

A: Ja können wir das Material, die Spezifikationen und die Form, die Größe besonders anfertigen, die auf Ihrem Bedarf basiert.

Q: Was ist die Lieferfrist?

A: (1) für die Standardprodukte

Für Inventar: die Lieferung ist, 5 Arbeitstage nachdem Sie den Auftrag vergeben.

Für kundengebundene Produkte: die Lieferung ist 2 oder, 3 Wochen nachdem Sie den Auftrag vergeben.

(2) für die speziell-förmigen Produkte, ist die Lieferung 4 Arbeitswochen, nachdem Sie den Auftrag vergeben.