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Sic Siliziumkarbid Substrat 5.0*5.0mm Quadrat 6H-P Typ Dicke 350μm Nullgrad Dummy Grad

Name: Sic Siliziumkarbid Substrat 5.0*5.0mm Quadrat 6H-P Typ Dicke 350μm Nullgrad Dummy Grad
Brand: SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
SKU: 6H-P SiC
Price: Verhandelbar USD
Availability: InStock

Produkt-Details

Herkunftsort: China

Markenname: ZMSH

Zertifizierung: rohs

Modellnummer: 6H-P SiC

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Min Bestellmenge: 10 Prozent

Preis: by case

Verpackung Informationen: Kunststoffschachtel nach Maß

Lieferzeit: in 30days

Zahlungsbedingungen: T/T

Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 1000pc/month

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Produkt-Beschreibung

Hervorheben: 
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                Silikonkarbid Substrat mit Nullgrad Sic, 350 μm Sic Siliziumkarbid Substrat, 5.0*5.0mm Sic Siliziumkarbid Substrat
                              

Oberflächenhärte:	HV0,3>2500	Dichte:	3.21 G/cm3
Koeffizient der thermischen Ausdehnung:	4,5 X 10-6/K	Dielektrische Konstante:	9,7
Zugfestigkeit:	>400MPa	Material:	SiC-Einkristall
Größe:	5.0*5.0mm	Abbruchspannung:	5,5 MV/cm

Oberflächenhärte:	HV0,3>2500
Dichte:	3.21 G/cm3
Koeffizient der thermischen Ausdehnung:	4,5 X 10-6/K
Dielektrische Konstante:	9,7
Zugfestigkeit:	>400MPa
Material:	SiC-Einkristall
Größe:	5.0*5.0mm
Abbruchspannung:	5,5 MV/cm

Sic Siliziumkarbid Substrat 5.0*5.0mm Quadrat 6H-P Typ Dicke 350μm Nullgrad Dummy Grad

Beschreibung des Produkts:

Sic Siliziumkarbid Substrat 5.0*5.0mm Quadrat 6H-P Typ Dicke 350μm Nullgrad Dummy Grad

6H-SiC (Hexagonal Silicon Carbide) ist ein breites Halbleitermaterial mit guter Wärmeleitfähigkeit und hoher Temperaturbeständigkeit,mit einer Breite von mehr als 30 mm,P-Doping wird durch Einführung von Elementen wie Aluminium (Al) erreicht, wodurch das Material elektropositiv und für spezifische elektronische Geräte geeignet wird.mit einer Breite von mehr als 20 mm,. Die Wärmeleitfähigkeit ist vielen herkömmlichen Halbleitermaterialien überlegen und trägt zur Verbesserung der Geräteeffizienz bei..

Im Bereich der Leistungselektronik kann es zur Herstellung hocheffizienter Leistungseinrichtungen wie MOSFETs und IGBTs verwendet werden.Es hat eine ausgezeichnete Leistung in Hochfrequenzanwendungen und wird weitgehend in Kommunikationsgeräten verwendetIm Bereich der LED-Technologie kann es als Grundmaterial für blaue und ultraviolette LED-Geräte verwendet werden.

Eigenschaften:

·Breitbandlücke: Die Bandlücke beträgt etwa 3,0 eV und eignet sich somit für Anwendungen mit hoher Temperatur, hoher Spannung und hoher Frequenz.

·Ausgezeichnete Wärmeleitfähigkeit: Mit guter Wärmeleitfähigkeit hilft die Wärmeableitung, verbessert die Leistung und Zuverlässigkeit des Geräts.

·Hohe Festigkeit und Härte: hohe mechanische Festigkeit, Antifragmentierung und Antiverschleiß, geeignet für den Einsatz in rauen Umgebungen.

·Elektronenmobilität: P-Doping unterhält eine relativ hohe Trägermobilität und unterstützt effiziente elektronische Geräte.

·Optische Eigenschaften: Mit einzigartigen optischen Eigenschaften, geeignet für den Bereich der Optoelektronik, wie LEDs und Laser.

·Chemische Stabilität: Gute Beständigkeit gegen chemische Korrosion, geeignet für harte Arbeitsumgebungen.

·Starke Anpassungsfähigkeit: kann mit einer Vielzahl von Substratmaterialien kombiniert werden, geeignet für verschiedene Anwendungsszenarien.

Technische Parameter:

Anwendungen:

·Leistungselektronik: Wird zur Herstellung hocheffizienter Stromgeräte wie MOSFETs und IGBTs verwendet, die häufig in Frequenzumrichter, Strommanagement und Elektrofahrzeugen verwendet werden.
·HF- und Mikrowellengeräte: In Hochfrequenzverstärkern, HF-Leistungsverstärkern verwendet, geeignet für Kommunikations- und Radarsysteme.

·Optoelektronik: Als Substrat in LEDs und Lasern, insbesondere in blauen und ultravioletten Anwendungen verwendet.

·Hochtemperatursensoren: Aufgrund ihrer guten thermischen Stabilität eignen sie sich für Hochtemperatursensoren und Überwachungsausrüstung.

·Solarenergie und Energiesysteme: in Solarumrichter und anderen Anwendungen für erneuerbare Energien zur Verbesserung der Effizienz der Energieumwandlung verwendet.

·Automobilelektronik: Leistungsoptimierung und Energieeinsparung im Energiesystem von Elektro- und Hybridfahrzeugen.

·Industrieelektrische Geräte: Leistungsmodule für eine Vielzahl von Maschinen und Geräten zur industriellen Automatisierung zur Verbesserung der Energieeffizienz und Zuverlässigkeit.

Anpassung:

Unser SiC-Substrat ist in 6H-P-Typen erhältlich und RoHS-zertifiziert. Die Mindestbestellmenge beträgt 10pc und der Preis ist pro Fall. Die Verpackungsdetails sind kundenspezifische Plastikkartons.Die Lieferzeit ist innerhalb von 30 Tagen und wir akzeptieren T / T ZahlungsbedingungenWir haben eine Lieferkapazität von 1000 Stück pro Monat.5.0*5,0 mmHerkunftsort ist China.

Unsere Dienstleistungen:

1- Fabrik-Direktfertigung und Verkauf.

2Schnelle, genaue Zitate.

3Wir antworten Ihnen innerhalb von 24 Arbeitsstunden.

4. ODM: kundenspezifisches Design ist erhältlich.

5Schnelligkeit und kostbare Lieferung.

Häufig gestellte Fragen

Q1. Ist Ihr Unternehmen eine Fabrik oder eine Handelsgesellschaft?

Wir sind die Fabrik und wir können auch selbst exportieren.

F2. Wo hat Ihr Unternehmen seinen Sitz?
Unsere Firma befindet sich in Shanghai, China.

Wie lange dauert es, bis die Produkte eingetroffen sind?
Im Allgemeinen dauert es 3~4 Wochen, um zu verarbeiten. Es hängt von der und der Größe der Produkte.

Tags:

12 Zoll Durchmesser 300 mm SIC Substrat Epitaxial Polierte Wafer Siliziumkarbid Ingot Prime Grade 4H-N Typ Leitung Solar Photovoltaik

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2 Zoll 4 Zoll 6 Zoll 8 Zoll 12 Zoll Siliziumkarbid Wafer SiC 4H-N Dummy Grade Rrime Grade Hochhärte Halbleitermaterialien

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2 Zoll/4 Zoll/6 Zoll/5,05,0 mm/10,010,0 mm Sic Siliziumkarbid Substrat Typ 3C-N Auf der Achse: < 111 > ± 0,5° Produktionsgrad Dummy-Grad

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Sic Siliziumkarbid Substrat 5.0*5.0mm Quadrat 6H-P Typ Dicke 350μm Nullgrad Dummy Grad

Silikonkarbid Substrat mit Nullgrad Sic

350 μm Sic Siliziumkarbid Substrat

5.0*5.0mm Sic Siliziumkarbid Substrat

Beschreibung des Produkts:

Eigenschaften:

Technische Parameter:

Anwendungen:

Anpassung:

Unsere Dienstleistungen:

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