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SIC Crystal Silicon Carbide Wafer

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Guter Preis Quadratischer Siliziumwafer mit filmkaschiertem Träger für fortschrittliche IC-, Halbleiter- und Quantenforschung Online
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Besorgen SiC-Substrat mit einer Dicke von 4H-N 350um, verwendet in der Optoelektronik als Halbleitermaterial Online-Herstellung Video

SiC-Substrat mit einer Dicke von 4H-N 350um, verwendet in der Optoelektronik als Halbleitermaterial

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Haupt2" 3" 4" 6" Oblate des 4h-Semi 4 H-N Insulating Sic Substrat Silikon-Karbids sic

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