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Guter Preis 8 Zoll-Silikon-Karbid keramischer Tray For Epitaxial Growth Processing Online
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4 Stärke H-N As-Cut Silicon Carbide-Oblaten-0.5mm für Leistungselektronik

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SiC-Wafer mit hoher Reinheit, halbisolierend, HPSI-Siliziumkarbid-Substrat für Strom- und HF-Geräte

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Silikonkarbid-Sic-Wafer

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sic Silikon-Karbid des Barren-4inch 5 - 15mm Stärke für Halbleiter

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Silikon-Karbid-sic Substrat-blinder Hauptgrad Oblate 4inch 6Inch 4H-N 500mm 350um SIC

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12-Zoll 300mm 4H-N 6H-N SiC Single Crystal Silicon Carbide Wafer für Strom und LED-Geräte

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Besorgen Silikonkarbidwafer 2 Zoll 4 Zoll 6 Zoll 8 Zoll Industrieanwendung mit Oberflächenrauheit ≤ 0,2 nm Online-Herstellung Video

Silikonkarbidwafer 2 Zoll 4 Zoll 6 Zoll 8 Zoll Industrieanwendung mit Oberflächenrauheit ≤ 0,2 nm

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8 Zoll SiC Siliziumkarbid Wafer 4H-N Typ P/D/R Grade Mohs.9 Mehrfachanwendungen Anpassung

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12 Zoll 300 mm SiC Siliziumkarbid Wafer 4H-N Typ Dummy Prime Forschungsgrad Mehrere Anwendungen

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Sic Siliziumkarbid Halbleitergeräte Mehrfachkristallformen 4H 6H 3C Kundengröße 5G-Kommunikationschips

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2 Zoll SIC Siliziumkarbid Wafer 4H-N Typ für MOS-Gerät Dia 0.4mm

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