Produkt-Details
Herkunftsort: China
Markenname: ZMSH
Modellnummer: SiC-Substrat
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Lieferzeit: 4-6 Wochen
Zahlungsbedingungen: T/T
Material: |
SiC-Einkristall |
Typ: |
4H-P / 6H-P |
Größe: |
4 Zoll |
Zulassung: |
Primär/ Dummy |
angepasst: |
Unterstützt |
Farbe: |
Schwarz |
Material: |
SiC-Einkristall |
Typ: |
4H-P / 6H-P |
Größe: |
4 Zoll |
Zulassung: |
Primär/ Dummy |
angepasst: |
Unterstützt |
Farbe: |
Schwarz |
- Unterstützung von maßgeschneiderten Modellen mit Design-Artwork
- ein hexagonaler Kristall (4H SiC), hergestellt aus SiC-Monokristall
- hohe Härte, Mohs-Härte erreicht 9.2, nur hinter Diamanten.
- eine hervorragende Wärmeleitfähigkeit, geeignet für Hochtemperaturumgebungen.
- eine breite Bandbreite, geeignet für Hochfrequenz- und Hochleistungsgeräte.
P-Typ SiC-Substrat ist ein wichtiges Halbleitermaterial, das häufig in Hochleistungs- und Hochfrequenz-elektronischen Geräten verwendet wird.das SiC-Substrat des Typs P bildet die Merkmale des Typs P, wodurch das Material eine gute elektrische Leitfähigkeit und eine hohe Trägerkonzentration aufweist.Seine ausgezeichnete Wärmeleitfähigkeit und hohe Abbruchspannung ermöglichen es ihm, unter extremen Bedingungen eine stabile Leistung zu erhalten..
Das P-Typen-SiC-Substrat hat eine hervorragende Hochtemperaturstabilität und Strahlungsbeständigkeit und kann in hochtemperaturartigen Umgebungen normal arbeiten.4H-SiC-Substrate weisen unter starken elektrischen Feldern geringere Energieverluste auf und eignen sich für den Einsatz in ElektrofahrzeugenAußerdem trägt die hervorragende Wärmeleitfähigkeit dazu bei, die Wärmeabbaueffizienz des Geräts zu verbessern und seine Lebensdauer zu verlängern.
P-Typen-SiC-Substrate werden häufig in Stromgeräten, HF-Geräten und optoelektronischen Geräten verwendet.
Sie werden häufig zur Herstellung von Geräten wie P-Typ-MOSFETs und IGBTs verwendet, um die Anforderungen von Hochspannung, Hochtemperatur und Hochdruck zu erfüllen.SiC-Substrate des Typs 4H-P werden in der künftigen Leistungselektronik und intelligenten Netzen eine immer wichtigere Rolle spielen.
Einzelheiten zum SiC-Substrat des Typs P
|
Eigentum |
P-Typ 4H-SiC, Einzelkristall | P-Typ 6H-SiC, Einzelkristall |
| Gitterparameter | a=3,082 Å c=10,092 Å |
a=3,09 Å c=15,084 Å |
| Abfolge der Stapelung | ABCB | Die Ausgabe ist abgeschrieben. |
| Mohs-Härte | - 9 Jahre.2 | - 9 Jahre.2 |
| Dichte | 3.23 g/cm3 | 30,0 g/cm3 |
| Therm. Expansionskoeffizient | 4.3×10-6/K (Caxis) 4.7×10-6/K (Caxis) | 4.3×10-6/K (Caxis) 4.7×10-6/K (Caxis) |
| Brechungsindex @750 nm | nicht = 2,621 ne = 2.671 | - Nein, das ist nicht so.651 |
| Dielektrische Konstante | c~9.66 | c~9.66 |
|
Wärmeleitfähigkeit |
3 bis 5 W/cm·K@298K |
3 bis 5 W/cm·K@298K |
| Band-Gap | 3.26 eV | 30,02 eV |
| Ein elektrisches Feld, das abbrechen kann | 2-5×106V/cm | 2-5×106V/cm |
|
Geschwindigkeit der Sättigungsdrift |
2.0×105m/s | 2.0×105m/s |
Proben von SiC-Substrat des Typs P
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Häufig gestellte Fragen
1. F: Im Vergleich zum N-Type, wie wäre es mit dem P-Type?
A: P-Typ 4H-SiC-Substrate, doppiert mit trivalenten Elementen wie Aluminium, haben Löcher als die meisten Träger, die eine gute Leitfähigkeit und Stabilität bei hohen Temperaturen bieten.N-Typ-Substrate, doppiert mit pentavalenten Elementen wie Phosphor, haben Elektronen als Mehrheitsträger, was typischerweise zu einer höheren Elektronenmobilität und einer geringeren Resistivität führt.
2F: Welche Aussichten hat der Markt für P-Type SiC?
A: Die Aussichten für den Markt für P-Type SiC sind sehr positiv, was auf die steigende Nachfrage nach leistungsstarker Leistungselektronik in Elektrofahrzeugen, erneuerbaren Energiesystemen,und fortschrittliche industrielle Anwendungen.
