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Sic Siliziumkarbid Halbleitergeräte Mehrfachkristallformen 4H 6H 3C Kundengröße 5G-Kommunikationschips

Produkt-Details

Herkunftsort: China

Markenname: zmsh

Modellnummer: Siliziumkarbid-Chips

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Lieferzeit: 2-4 Wochen

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Hervorheben:

3C Sic Halbleitergeräte aus Siliziumkarbid

,

4H Sic-Siliziumkarbid Halbleitergeräte

,

6H Sic-Siliziumkarbid Halbleitergeräte

Material:
Siliziumkarbid
Größe:
Individualisiert
Stärke:
angepasst
Typ:
4H,6H,3C
Anwendung:
Elektrofahrzeuge für 5G-Kommunikation
Material:
Siliziumkarbid
Größe:
Individualisiert
Stärke:
angepasst
Typ:
4H,6H,3C
Anwendung:
Elektrofahrzeuge für 5G-Kommunikation
Sic Siliziumkarbid Halbleitergeräte Mehrfachkristallformen 4H 6H 3C Kundengröße 5G-Kommunikationschips

Beschreibung des Produkts

Sic Siliziumkarbid Halbleitergeräte Mehrfachkristallformen 4H 6H 3C Kundengröße 5G-Kommunikationschips

Ein Siliziumkarbidchip ist ein Halbleitergerät aus Siliziumkarbid (SiC).Es nutzt die hervorragenden physikalischen und chemischen Eigenschaften von Siliziumcarbid, um eine hervorragende Leistung bei hohen Temperaturen zu erbringen, Hochdruck- und Hochfrequenzumgebungen.
Sic Siliziumkarbid Halbleitergeräte Mehrfachkristallformen 4H 6H 3C Kundengröße 5G-Kommunikationschips 0

Eigenschaften

• Hohe Härte und Verschleißbeständigkeit: Siliziumkarbid weist eine hohe Härte und eine hervorragende Verschleißbeständigkeit auf, die Oberflächenverschleiß widerstehen und die Lebensdauer verlängern kann.
• Hohe Festigkeit: Sie kann hohen Lasten und hohen mechanischen Belastungen standhalten und eignet sich für den Einsatz in Umgebungen mit hoher Belastung und hoher Belastung.
• Hohe thermische Stabilität: Siliziumkarbid weist eine ausgezeichnete thermische Stabilität, einen geringen Wärmeausdehnungskoeffizienten, eine hohe Wärmeleitfähigkeit,bei hohen Temperaturen Belastung und Wärmeschock aushalten, und die endgültige Arbeitstemperatur kann mehr als 600°C erreichen.
• Breite Bandbreite: Durch die breite Bandbreite von SiC kann es in Umgebungen mit hoher Temperatur und hoher Spannung gut funktionieren, was es für Anwendungen mit hoher Leistung und hoher Temperatur geeignet macht.

Sic Siliziumkarbid Halbleitergeräte Mehrfachkristallformen 4H 6H 3C Kundengröße 5G-Kommunikationschips 1

• Hohe Elektronenmobilität: Die hohe Elektronenmobilität ermöglicht es dem Gerät, bei hohen Geschwindigkeiten und hohen Frequenzen zu arbeiten.
• hohe Elektronsättigungsrate: Die Elektronsättigungsrate von Siliziumcarbid ist doppelt so hoch wie bei Silizium,die es Siliziumkarbidgeräten ermöglichen, höhere Betriebsfrequenzen und höhere Leistungsdichten zu erreichen.
• Hohe Abbruchstärke des elektrischen Feldes: Sie kann einem Hochspannungsbetrieb standhalten, wodurch Größe und Gewicht reduziert werden.
• Chemische Stabilität: Extrem widerstandsfähig gegen die meisten Säuren, Alkalien und Oxidationsstoffe und beibehalten die Leistung in rauen chemischen Umgebungen.

Technische Parameter

Eigentum 4H-SiC, Einzelkristall 6H-SiC, Einzelkristall
Gitterparameter a=3,076 Å c=10,053 Å a=3,073 Å c=15,117 Å
Abfolge der Stapelung ABCB ABCACB
Mohs-Härte - 9 Jahre.2 - 9 Jahre.2
Dichte 3.21 g/cm3 3.21 g/cm3
Therm. Expansionskoeffizient 4 bis 5 × 10 bis 6/K 4 bis 5 × 10 bis 6/K
Brechungsindex @750 nm

nicht = 2.61

Ne = 2.66

nicht = 2.60

Ne = 2.65

Dielektrische Konstante c~9.66 c~9.66
Wärmeleitfähigkeit (N-Typ, 0,02 Ohm.cm)

a ~ 4,2 W/cm·K@298K

c~3,7 W/cm·K@298K

 
Wärmeleitfähigkeit (Halbisolierung)

a~4,9 W/cm·K@298K

c~3,9 W/cm·K@298K

a~4,6 W/cm·K@298K

c~3,2 W/cm·K@298K

Band-Gap 3.23 eV 30,02 eV
Ein elektrisches Feld, das abbrechen kann 3 bis 5 × 106 V/cm 3 bis 5 × 106 V/cm
Geschwindigkeit der Sättigungsdrift 2.0×105m/s 2.0×105m/s

Anwendungen

• Leistungselektronik: zur Konzeption von schaltbaren Energiequellen mit hoher Leistungsdichte und hoher Leistungsdichte, geeignet für Elektrofahrzeuge, Solarumrichter und andere Bereiche,Verbesserung der Effizienz der Energieumwandlung und Senkung der Systemkosten.
• Drahtlose Kommunikation: zur Entwicklung von Hochfrequenz- und Hochgeschwindigkeits-HF-Leistungsverstärkern, geeignet für 5G-Kommunikation, Satelliten, Radar und andere Bereiche.
• LED-Beleuchtung: Wird verwendet, um hocheffiziente und hellstarke LED-Treiber zu entwerfen, die für die Beleuchtung von Innen- und Außenräumen und andere Bereiche geeignet sind.
• Automobilindustrie: Es kann verwendet werden, um effizientere und zuverlässigere Antriebssysteme für Elektrofahrzeuge und Batteriemanagementsysteme herzustellen.
• Luft- und Raumfahrt: Siliziumkarbid-Chips können rauen Umgebungen wie hohen Temperaturen und Strahlung standhalten, um den stabilen Betrieb des Systems zu gewährleisten.
Sic Siliziumkarbid Halbleitergeräte Mehrfachkristallformen 4H 6H 3C Kundengröße 5G-Kommunikationschips 2

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Häufig gestellte Fragen

1.F: Was ist ein Substrat aus Siliziumkarbid des Typs 4H-P?

A: 4H-P-Siliziumkarbid-Substrat ist ein Halbleitermaterial des P-Typs (Hohlraumtyp) mit 4H-Kristalltyp.hohe Wärmeleitfähigkeit, Hochfrequenz-Elektrofeld usw., hat es eine breite Palette von Anwendungen in der Leistungselektronik, Hochfrequenzgeräten und anderen Bereichen.

 

2. F: Bieten Sie kundenspezifische Dienstleistungen für Siliziumcarbid-Substrate des Typs 4H-P an?

A: Ja, unser Unternehmen bietet kundenspezifischen Service für 4H-P-Siliziumkarbid Substrat. Kunden können Substrate mit verschiedenen Spezifikationen und Parametern wie Durchmesser, Dicke,Dopingkonzentration, usw. entsprechend ihren spezifischen Bedürfnissen, um den Anforderungen spezifischer Anwendungen gerecht zu werden.

 

 

Tag: #Silicon Carbide, #4H/6H/3C, #Halbleitergeräte.