Produkt-Details
Herkunftsort: China
Markenname: zmsh
Modellnummer: Siliziumkarbid-Chips
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Lieferzeit: 2-4 Wochen
Zahlungsbedingungen: T/T
Material: |
Siliziumkarbid |
Größe: |
Individualisiert |
Stärke: |
angepasst |
Typ: |
4H,6H,3C |
Anwendung: |
Elektrofahrzeuge für 5G-Kommunikation |
Material: |
Siliziumkarbid |
Größe: |
Individualisiert |
Stärke: |
angepasst |
Typ: |
4H,6H,3C |
Anwendung: |
Elektrofahrzeuge für 5G-Kommunikation |
Eigentum | 4H-SiC, Einzelkristall | 6H-SiC, Einzelkristall |
Gitterparameter | a=3,076 Å c=10,053 Å | a=3,073 Å c=15,117 Å |
Abfolge der Stapelung | ABCB | ABCACB |
Mohs-Härte | - 9 Jahre.2 | - 9 Jahre.2 |
Dichte | 3.21 g/cm3 | 3.21 g/cm3 |
Therm. Expansionskoeffizient | 4 bis 5 × 10 bis 6/K | 4 bis 5 × 10 bis 6/K |
Brechungsindex @750 nm |
nicht = 2.61 Ne = 2.66 |
nicht = 2.60 Ne = 2.65 |
Dielektrische Konstante | c~9.66 | c~9.66 |
Wärmeleitfähigkeit (N-Typ, 0,02 Ohm.cm) |
a ~ 4,2 W/cm·K@298K c~3,7 W/cm·K@298K |
|
Wärmeleitfähigkeit (Halbisolierung) |
a~4,9 W/cm·K@298K c~3,9 W/cm·K@298K |
a~4,6 W/cm·K@298K c~3,2 W/cm·K@298K |
Band-Gap | 3.23 eV | 30,02 eV |
Ein elektrisches Feld, das abbrechen kann | 3 bis 5 × 106 V/cm | 3 bis 5 × 106 V/cm |
Geschwindigkeit der Sättigungsdrift | 2.0×105m/s | 2.0×105m/s |