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Guter Preis Halbisolierendes SiC auf Si-Verbundwafer 4H-SEMI-Substrat P-Typ N-Typ Dicke 500 mm Online
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Sic besonders angefertigt GaN-auf-GaN Durchmesser 100mm Silikon-Sapphire Substrate Epitaxial Wafer-4inch

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4 Zoll Sic Siliziumkarbid Wafer 6H-P Typ Dicke 350μm Null / Prime Grade Dummy Grade

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Hochreines Siliziumcarbid (SiC) Pulver 99,9999% (6N) HPSI Typ 100μm Partikelgröße SIC Kristallwachstum

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8 Zoll SiC Wafer Siliziumkarbid Wafer Prime Dummy Forschungsgrad 500um 350 Um

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2 Zoll 4H-P SIC Siliziumkarbid Wafer für Photovoltaik Dicke 350 μm Durchmesser 50,8 mm Nullgrad

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Silikon-Karbid-Oblate 10 x 10 x 0.5mm 2sp 4H-SEMI 4H-N SIC

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Silikonkarbid Wafer 6 Zoll Sic Einzelkristall 150 mm Durchmesser 3C-N Typ Anzug für Kommunikationsradarsysteme

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5*5mm/10*10mm Siliziumkarbid Wafer Dicke 350μm Sic 3C-N Typ Hohe mechanische Festigkeit Produktionsgrad

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Silikonkarbid-Seed-Wafer des Typs 4H Dia 157±0,5 mm Dicke 500±50um Monokristallfläche > 153 mm

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Synthetischer Edelstein Royal Blue Moissanite Siliziumkarbid SiC Rohstoffe Hohe Härte Anpassung

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Siliziumkarbid-Keramik-Kugellager: Ausgezeichnete Verschleiß- und Korrosionsbeständigkeit für Hochtemperaturanwendungen

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