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Guter Preis Silikonkarbid-Seed-Wafer des Typs 4H Dia 157±0,5 mm Dicke 500±50um Monokristallfläche > 153 mm Online
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4 Zoll Siliziumkarbid-Wafer vom Typ N mit mehreren Dickenoptionen für EV-Antriebsstränge und Hochleistungs-Motorantriebe

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6-Zoll Siliziumkarbid-Ingot mit hoher Durchbruchfeldstärke, thermischer Leitfähigkeit und großer Bandlücke für die Leistungselektronik

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Keramisches Tray aus Siliziumkarbid zur Verarbeitung von Halbleiterwafern

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Kundenspezifische Stufenkeramikplatte aus Siliziumkarbid (SiC) für Halbleitergeräte

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Sic Siliziumkarbid-Wafer 4H-P-Typ auf der Achse 0° zur Herstellung von Hochleistungsgeräten

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Karbid-Oblaten 6H oder 4H des Silikon-2Inch, die Substrate N-artig oder sic Halb-isoliert worden sein würden

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4H-N 8inch Halbleiter-Substrat SIC-Silikon-Karbid-Oblate für Solarphoto-voltaisches

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Sic Siliziumkarbid Wafer 5*5mm/10*10mm 4H-P Typ Produktionsgrad für Leistungselektronik

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Waferherstellungs-Grad 8inch 6inch 4 H-N Type Sic Substrate für Hochfrequenz-Geräte

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sic besonders angefertigt 4 Silikon-Karbid-Oblaten H-N Type Semi-Insulatings Substrat-4inch 6inch

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Silikonkarbid Wafer Sic 6H-P Typ Off-Achse 2,0° Produktionstyp Forschungstyp

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Halb- isolierendes Silikon-Karbid-Substrat, sic hoher Reinheitsgrad der Oblaten-4H

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