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[silicon carbide substrate ]

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SiC-Samenwafer 8 Zoll Dicke 600±50um 4H-Typ Produktionsgrad für Silikonkarbid Kristallwachstum

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10x15mm 100 Orientierung Orientierungs-Gallium-Oxid GaAS-Substrat-100 mit F.E. lackierte

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4-Zoll-Siliziumkarbid-Sic-Wafer 4H-P-Typ Durchmesser 100 mm Dicke 350 μm

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6H-N-SiC-Wafer: 2-Zoll-Substrat, Dicke 350 μm oder 650 μm

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4 Zoll Si-Wafer Dia 100mm Dicke 350um Ausrichtung <100> DSP SSP kundenspezifische Silizium-Wafer N-Typ P-Typ

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SiC Components SiC Ceramics Structural Parts

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Ausrüstung für die Mikrojet-Lasertechnologie

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300mm Gallium-Nitrid-Oblaten-GaN-AUF-Silikon für Energie Mikro-LED

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GaN-Auf-Si EPI-WAFERS 8INCH 12INCH 6INCH für Anwendung Energie Rfs LED

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4H-N Typ SiC Substrat 10x10mm Wafer für Leistungselektronik

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SiC-Keramik-Kugellager G5-Gütegrad hohe Härte

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Kundenspezifische leitfähige Art sic Oblate für Hochspannungs-Starkstromgerät-Solarphoto-voltaisches der hohen Temperatur

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4H-N Typ SiC Substrat 10x10mm Wafer für Leistungselektronik

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Transparentes 10x15mm 001 Anwendung Orientierungs-Gallium-Oxid-GaO Substrate Fors LED

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3' 4' 350um 500um SSP DSP 4H- 6H- Forschung Dummy Grade SIC Epitaxial Substrate

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Natron-Kalk-Glas-Silikatglas-Substrate, kundenspezifische Größe/Formen

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Transparente farblose kundengebundene SIC Linse HPSI 4H-SEMI

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2 Zoll 4 Zoll 6 Zoll gemustert Saphir Substrat PSS für Leuchtdioden LEDs

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SiC-Substrat mit einer Dicke von 4H-N 350um, verwendet in der Optoelektronik als Halbleitermaterial

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MPCVD-Methode Polytype Diamond Substrate Wafers For GaN Epitaxial

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12 Zoll Sic Wafer Siliziumkarbid 4H-N Typ Produktionsgrad Dummy Grade Große Größe

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Sic Substrat MIT 9,7 Wärmeleitfähigkeit der Dielektrizitätskonstante-4,9 W/mK

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Siliziumkarbid-Rechtecksubstrat-SiC-Chip für fortschrittliche Elektronik

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