Beschreibung des Produkts:
Silikonkarbid SIC Wafer 10*10 mm 6H-P Dicke 350μm Für Hochleistungsgeräte
6H-SiC (Hexagonal Silicon Carbide) ist ein breites Halbleitermaterial mit guter Wärmeleitfähigkeit und hoher Temperaturbeständigkeit,mit einer Breite von mehr als 30 mm,P-Doping wird durch Einführung von Elementen wie Aluminium (Al) erreicht, wodurch das Material elektropositiv und für spezifische elektronische Geräte geeignet wird.mit einer Breite von mehr als 20 mm,. Die Wärmeleitfähigkeit ist vielen herkömmlichen Halbleitermaterialien überlegen und trägt zur Verbesserung der Geräteeffizienz bei..
Im Bereich der Leistungselektronik kann es zur Herstellung hocheffizienter Leistungseinrichtungen wie MOSFETs und IGBTs verwendet werden.Es hat eine ausgezeichnete Leistung in Hochfrequenzanwendungen und wird weitgehend in Kommunikationsgeräten verwendetIm Bereich der LED-Technologie kann es als Grundmaterial für blaue und ultraviolette LED-Geräte verwendet werden.
Eigenschaften:
·Breitbandlücke: Die Bandlücke beträgt etwa 3,0 eV und eignet sich somit für Anwendungen mit hoher Temperatur, hoher Spannung und hoher Frequenz.
·Ausgezeichnete Wärmeleitfähigkeit: Mit guter Wärmeleitfähigkeit hilft die Wärmeableitung, verbessert die Leistung und Zuverlässigkeit des Geräts.
·Hohe Festigkeit und Härte: hohe mechanische Festigkeit, Antifragmentierung und Antiverschleiß, geeignet für den Einsatz in rauen Umgebungen.
·Elektronenmobilität: P-Doping unterhält eine relativ hohe Trägermobilität und unterstützt effiziente elektronische Geräte.
·Optische Eigenschaften: Mit einzigartigen optischen Eigenschaften, geeignet für den Bereich der Optoelektronik, wie LEDs und Laser.
·Chemische Stabilität: Gute Beständigkeit gegen chemische Korrosion, geeignet für harte Arbeitsumgebungen.
·Starke Anpassungsfähigkeit: kann mit einer Vielzahl von Substratmaterialien kombiniert werden, geeignet für verschiedene Anwendungsszenarien.
Technische Parameter:
Anwendungen:
·Leistungselektronik: Wird zur Herstellung hocheffizienter Stromgeräte wie MOSFETs und IGBTs verwendet, die häufig in Frequenzumrichter, Strommanagement und Elektrofahrzeugen verwendet werden.
·HF- und Mikrowellengeräte: In Hochfrequenzverstärkern, HF-Leistungsverstärkern verwendet, geeignet für Kommunikations- und Radarsysteme.
·Optoelektronik: Als Substrat in LEDs und Lasern, insbesondere in blauen und ultravioletten Anwendungen verwendet.
·Hochtemperatursensoren: Aufgrund ihrer guten thermischen Stabilität eignen sie sich für Hochtemperatursensoren und Überwachungsausrüstung.
·Solarenergie und Energiesysteme: in Solarumrichter und anderen Anwendungen für erneuerbare Energien zur Verbesserung der Effizienz der Energieumwandlung verwendet.
·Automobilelektronik: Leistungsoptimierung und Energieeinsparung im Energiesystem von Elektro- und Hybridfahrzeugen.
·Industrieelektrische Geräte: Leistungsmodule für eine Vielzahl von Maschinen und Geräten zur industriellen Automatisierung zur Verbesserung der Energieeffizienz und Zuverlässigkeit.
Anpassung:
Unser SiC-Substrat ist in 6H-P-Typen erhältlich und RoHS-zertifiziert. Die Mindestbestellmenge beträgt 10pc und der Preis ist pro Fall. Die Verpackungsdetails sind kundenspezifische Plastikkartons.Die Lieferzeit ist innerhalb von 30 Tagen und wir akzeptieren T / T Zahlungsbedingungen. Unsere Versorgungsfähigkeit beträgt 1000 Stück/Monat. Die SiC-Substratgröße beträgt 10*10 mm. Herkunftsort ist China.
Unsere Dienstleistungen:
1- Fabrik-Direktfertigung und Verkauf.
2Schnelle, genaue Zitate.
3Wir antworten Ihnen innerhalb von 24 Arbeitsstunden.
4. ODM: kundenspezifisches Design ist erhältlich.
5Schnelligkeit und kostbare Lieferung.
1. F: Im Vergleich zum N-Type, wie wäre es mit dem P-Type?
A: P-Typ 4H-SiC-Substrate, doppiert mit trivalenten Elementen wie Aluminium, haben Löcher als die meisten Träger, die eine gute Leitfähigkeit und Stabilität bei hohen Temperaturen bieten.N-Typ-Substrate, doppiert mit pentavalenten Elementen wie Phosphor, haben Elektronen als Mehrheitsträger, was typischerweise zu einer höheren Elektronenmobilität und einer geringeren Resistivität führt.
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