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3' 4' 350um 500um SSP DSP 4H- 6H- Forschung Dummy Grade SIC Epitaxial Substrate

Sic Substrat
2024-04-11
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#sic Oblate #sic Substrat #Silikonkarbidsubstrat
3' 4' 350um 500um SSP DSP 4H- 6H- Forschung Dummy Grade SIC Epitaxial Substrate Eigenschaften von SIC-Wafern: Bei der Steuerung und Schaltung von Hochleistungsgeräten werden Halbleiter aus Siliziumkar... Ansicht mehr
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