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Guter Preis sic besonders angefertigt 4 Silikon-Karbid-Oblaten H-N Type Semi-Insulatings Substrat-4inch 6inch Online
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Sic Siliziumkarbid Wafer 5*5mm/10*10mm 4H-P Typ Produktionsgrad für Leistungselektronik

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4 Zoll 3C-N-Typ SiC-Substrat Siliziumkarbid Substrat Dicke 350um Prime-Qualität Dummy-Qualität

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2 Zoll 3 Zoll 4 Zoll 6 Zoll SiC Epitaxie-Wafer 4H-N Produktionsqualität

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HPSI SiC Wafer 2-12 Zoll optischer Grad für AI/AR-Brille

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2/4/6/8 Zoll Sic Siliziumkarbid Kristall-Samen-Substrat 4H-N Typ Hohe Härte P-Klasse R-Klasse D-Klasse

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6 Zoll SiC Epitaxial Wafer Durchmesser 150mm 4H-N Typ 4H-P Typ Für 5G Kommunikation

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SiC Ingot 6 Zoll Ingot 4H-N SiC Prime Grade Dummy Grade Silicon Carbide Ingot Hohe Härte Ingot

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2 Zoll 4H-N Siliziumkarbid SiC Substrat Dicke 350um 500um SiC Wafer Prime Grade Dummy Grade

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4 Zoll 4H-N Siliziumkarbid SiC Substrat Dia 100mm N Typ Prime Grade Dummy Grade Dicke 350um individuell

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