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[sic 6h p ]

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4H-N Siliziumkarbid SiC Substrat 2 Zoll 3 Zoll 4 Zoll 6 Zoll 8 Zoll 12 Zoll Prime Grade Dummy Grade

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2 Zoll/4 Zoll/6 Zoll/5,05,0 mm/10,010,0 mm Sic Siliziumkarbid Substrat Typ 3C-N Auf der Achse: < 111 > ± 0,5° Produktionsgrad Dummy-Grad

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2 Zoll Sic Siliziumkarbid Substrat 6H Niedrigfestigkeit Hohe P-Doped Typ Durchmesser 50,8 mm

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3C-SiC-Substrat, N-Typ, Produktqualität für 5G-Kommunikation

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CVD SiC Epitaxy Wafer 2 Zoll 3 Zoll 4 Zoll 6 Zoll Epitaxy Dicke 2,5-120 um für elektronische Energie

Erhalten Sie besten Preis

2 Zoll Durchmesser 50,8 mm 4H-N Typ SiC Epitaxie-Wafer für Hochtemperatursensoren

Erhalten Sie besten Preis

2 Zoll 4 Zoll 6 Zoll 8 Zoll 5 × 5 mm 10 × 10 mm 4H-SiC Substrate 3C-N Typ MOS-Grad

Erhalten Sie besten Preis

6 Zoll Sic Siliziumkarbid Substrat 4H-P Durchmesser 150 mm Dicke 350 μm Null MPD-Produktion, Standard-Produktionsgrad

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Sic Siliziumkarbid Wafer 55mm/1010mm 4H-P Typ Produktionsgrad für Leistungselektronik

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4 Zoll 3C-N-Typ SiC-Substrat Siliziumkarbid Substrat Dicke 350um Prime-Qualität Dummy-Qualität

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2 Zoll 3 Zoll 4 Zoll 6 Zoll SiC Epitaxie-Wafer 4H-N Produktionsqualität

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HPSI SiC Wafer 2-12 Zoll optischer Grad für AI/AR-Brille

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2/4/6/8 Zoll Sic Siliziumkarbid Kristall-Samen-Substrat 4H-N Typ Hohe Härte P-Klasse R-Klasse D-Klasse

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6 Zoll SiC Epitaxial Wafer Durchmesser 150mm 4H-N Typ 4H-P Typ Für 5G Kommunikation

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SiC Epitaxial Wafer Substrat Halbleiter Industrieanwendungen 4H-N

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4H-N Typ SiC Substrat 10x10mm Wafer für Leistungselektronik

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2 Zoll 4 Zoll 6 Zoll Sic Siliziumkarbid Substrat 6H High P-Doped Typ Off Axis 4,0° nach vorne Prime Grade Dummy Grade

Erhalten Sie besten Preis

Silikonkarbid Wafer Sic Substrat 4H-P Typ Off Achse 4,0° auf Null

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Sic Siliziumkarbid-Wafer 4H-P-Typ auf der Achse 0° zur Herstellung von Hochleistungsgeräten

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2 Zoll / 4 Zoll / 6 Zoll Sic Siliziumkarbid Substrat 4H-P Typ Off-Achse 2,0° Richtung Produktionsgrad

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4H-N Siliziumkarbid SiC Substrat 2 Zoll 3 Zoll 4 Zoll 6 Zoll 8 Zoll 12 Zoll Prime Grade Dummy Grade

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2 Zoll/4 Zoll/6 Zoll/5,05,0 mm/10,010,0 mm Sic Siliziumkarbid Substrat Typ 3C-N Auf der Achse: < 111 > ± 0,5° Produktionsgrad Dummy-Grad

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2 Zoll Sic Siliziumkarbid Substrat 6H Niedrigfestigkeit Hohe P-Doped Typ Durchmesser 50,8 mm

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2 Zoll/4 Zoll/6 Zoll/5,05,0 mm/10,010,0 mm Sic Siliziumkarbid Substrat Typ 3C-N Auf der Achse: < 111 > ± 0,5° Produktionsgrad Dummy-Grad

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