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4H-SEMI polierte sic Oblatenlinse 2INCH 3INCH 4INCH 9,0 Härte für Gerät-Material

Produkt-Details

Herkunftsort: China

Markenname: zmsh

Modellnummer: sic-6inch 4h-n

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Min Bestellmenge: 1pcs

Preis: by case

Verpackung Informationen: durch kundengebundenen Fall

Lieferzeit: 15days innen

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Hervorheben:

sic Oblate

,

sic Substrat

Industrie:
Halbleitersubstrat
Materialien:
sic Kristall
Anwendung:
5G, Gerätmaterial, MOCVD, Leistungselektronik
Art:
4H-N halb kein lackiert
Farbe:
grün, blau, weiß
hardeness:
9,0 oben
Industrie:
Halbleitersubstrat
Materialien:
sic Kristall
Anwendung:
5G, Gerätmaterial, MOCVD, Leistungselektronik
Art:
4H-N halb kein lackiert
Farbe:
grün, blau, weiß
hardeness:
9,0 oben
4H-SEMI polierte sic Oblatenlinse 2INCH 3INCH 4INCH 9,0 Härte für Gerät-Material
6inch sic Substrate, sic Barren, sic Kristallbarren, sic Kristallblock, sic Halbleitersubstrate, Karbid-Oblate des Silikon-6inch, 4H-semi sic Oblate, Art blinde des Grades Oblate 6inch 4H-N sic für Test,
1. Beschreibung
Eigentum 4H-SiC, einzelner Kristall 6H-SiC, einzelner Kristall
Gitter-Parameter a=3.076 Å c=10.053 Å a=3.073 Å c=15.117 Å
Stapeln von Reihenfolge ABCB ABCACB
Mohs-Härte ≈9.2 ≈9.2
Dichte 3,21 g/cm3 3,21 g/cm3
Therm. Expansions-Koeffizient 4-5×10-6/K 4-5×10-6/K
Brechungs-Index @750nm

keine = 2,61

Ne = 2,66

keine = 2,60

Ne = 2,65

Dielektrizitätskonstante c~9.66 c~9.66
(N-artiges, 0,02 ohm.cm) der Wärmeleitfähigkeit

a~4.2 W/cm·K@298K

c~3.7 W/cm·K@298K

Wärmeleitfähigkeit (Halb-Isolieren)

a~4.9 W/cm·K@298K

c~3.9 W/cm·K@298K

a~4.6 W/cm·K@298K

c~3.2 W/cm·K@298K

Bandlücke eV 3,23 eV 3,02
Zusammenbruch-elektrisches Feld 3-5×106V/cm 3-5×106V/cm
Sättigungs-Driftgeschwindigkeit 2.0×105m/s 2.0×105m/s
2. Materielles Größe describtion
6 Zoll Durchmesser Silikon-Karbid-(sic) Substrat-Spezifikation
Grad Z-Grad P-Grad R-Grad D-Grad
       
NULLmpd Produktion Forschungs-Grad Blinder Grad
       
Durchmesser 150mm±0.5 Millimeter
Stärke 350 μm±25μm oder 500±25um oder durch kundengebundene Größe
Oblaten-Orientierung Weg von der Achse: 4.0° in Richtung zu <1120> ±0.5° für 4H-N
Micropipe-Dichte ≤1cm-2 cm2 ≤5 cm2 ≤15 cm2 ≤50
Widerstandskraft 4H-N 0.015~0.028 Ω·cm
4/6H-SI >1E5 Ω·cm
Primärebene {10-10} ±5.0°
Flache hauptsächlichlänge 47.5mm±2.5 Millimeter
Randausschluß 3mm
TTV/Bow /Warp ≤15μm/≤40μm/≤60μm
Rauheit Polnisches Ra≤1 Nanometer
CMP Ra≤0.5 Nanometer
Kein Kein 1 gewährt, ≤1 Millimeter
Sprünge durch Licht der hohen Intensität
Hexen-Platten durch Licht der hohen Intensität Kumulatives area≤ 1% Kumulatives area≤ 1% Kumulatives area≤ 3%
Kein Kumulatives area≤ 2% Kumulatives area≤5%
Polytype-Bereiche durch Licht der hohen Intensität
 
3 Kratzer zur kumulativen Länge des Durchmessers 1×wafer 5 Kratzer zur kumulativen Länge des Durchmessers 1×wafer 8 Kratzer zur kumulativen Länge des Durchmessers 1×wafer
Kratzer durch Licht der hohen Intensität
 
Randchip Kein 3 gewährt, ≤0.5 Millimeter jeder 5 gewährt, ≤1 Millimeter jeder
Verschmutzung durch Licht der hohen Intensität Kein
3. Produkte
4H-SEMI polierte sic Oblatenlinse 2INCH 3INCH 4INCH 9,0 Härte für Gerät-Material 04H-SEMI polierte sic Oblatenlinse 2INCH 3INCH 4INCH 9,0 Härte für Gerät-Material 1

FAQ:

Q: Was ist die Weise des Verschiffens und der Kosten?

A: (1) nehmen wir DHL, Fedex, EMS etc. an.

(2) ist es fein, wenn Sie Ihr eigenes Eilkonto haben, wenn nicht, wir Ihnen helfen könnten, sie zu versenden und

Fracht stimmt mit der tatsächlichen Regelung überein.

Q: Wie man zahlt?

A: Ablagerung T/T 100% vor Lieferung.

Q: Was ist Ihr MOQ?

A: (1) für Inventar, ist das MOQ 1pcs. wenn 2-5pcs es besser ist.

(2) für kundengebundene allgemeine Produkte, ist das MOQ 10pcs oben.

Q: Was ist die Lieferfrist?

A: (1) für die Standardprodukte

Für Inventar: die Lieferung ist, 5 Arbeitstage nachdem Sie den Auftrag vergeben.

Für kundengebundene Produkte: die Lieferung ist 2, -4 Wochen nachdem Sie Kontakt bestellen.

Q: Haben Sie Standardprodukte?

A: Unsere Standardprodukte auf Lager. wie wie Substrate 4inch 0.35mm.

Thanks~~~