2 Zoll Sic Substrat 6H-N Typ Dicke 350um 650um Sic Wafer

Das 6H-n-Typen-Siliziumkarbid (SiC) -Einkristallsubstrat ist ein wesentliches Halbleitermaterial, das in Hochleistungs-, Hochfrequenz- und Hochtemperatur-elektronischen Anwendungen weit verbreitet ist.Berühmt für seine hexagonale Kristallstruktur, 6H-N SiC bietet eine große Bandbreite und eine hohe Wärmeleitfähigkeit, was es ideal für anspruchsvolle Umgebungen macht.

Die hohe Auflösung des elektrischen Feldes und die Elektronenmobilität dieses Materials ermöglichen die Entwicklung effizienter Leistungselektronikgeräte wie MOSFETs und IGBTs.mit einer Leistung von mehr als 20 W und einer Leistung von mehr als 20 W,Seine hervorragende Wärmeleitfähigkeit sorgt für eine effektive Wärmeableitung, die für die Aufrechterhaltung der Leistung und Zuverlässigkeit in Hochleistungsanwendungen von entscheidender Bedeutung ist.

In der Funkfrequenz (RF) unterstützen die Eigenschaften von 6H-N SiC die Entwicklung von Geräten, die bei höheren Frequenzen mit verbesserter Effizienz arbeiten können.Seine chemische Stabilität und Strahlungsbeständigkeit machen ihn auch für den Einsatz in rauen Umgebungen geeignet, einschließlich der Luft- und Raumfahrt- und Verteidigungssektoren.

Darüber hinaus sind 6H-N SiC-Substrate integraler Bestandteil optoelektronischer Geräte, wie z. B. ultraviolette Photodetektoren, bei denen ihre breite Bandbreite eine effiziente UV-Lichtdetektion ermöglicht.Die Kombination dieser Eigenschaften macht 6H n-Typ SiC zu einem vielseitigen und unverzichtbaren Material für die Weiterentwicklung moderner elektronischer und optoelektronischer Technologien.

SiC-WaferEigenschaften:

• Produktbezeichnung:SiCUnterstrichgegessen
• Hexagonale Struktur: Einzigartige elektronische Eigenschaften.
• Hohe Elektronenmobilität: ~ 600 cm2/V·s.
• Chemische Stabilität: Korrosionsbeständig.
• Strahlungsbeständigkeit: Geeignet für raue Umgebungen.
• Niedrige intrinsische Trägerkonzentration: Wirksam bei hohen Temperaturen.
• Haltbarkeit: starke mechanische Eigenschaften.
• Optoelektronische Kapazität: Wirksame UV-Lichtdetektion.

SiC-WaferTechnische Parameter:

SiC-WaferAnwendungen:

SiC (Silicon Carbide) Substrate werden aufgrund ihrer einzigartigen Eigenschaften wie hoher Wärmeleitfähigkeit, hoher elektrischer Feldfestigkeit und breiter Bandbreite in verschiedenen Hochleistungsanwendungen verwendet.Hier sind einige Anwendungen:

• Elektroelektronik:

  • Hochspannungs-MOSFETs
  • IGBTs (Bipolärtransistoren mit isoliertem Tor)
  • Schottky-Dioden
  • mit einer Leistung von > 50 kW

• Hochfrequenzgeräte:

  • mit einer Leistung von mehr als 100 W
  • Mikrowellentransistoren
  • Millimeter-Wellen-Geräte

• Hochtemperaturelektronik:

  • Sensoren und Schaltkreise für raue Umgebungen
  • Luft- und Raumfahrttechnik
  • Elektronik für den Automobilbereich (z. B. Motorsteuerungseinheiten)

• Optoelektronik:

  • mit einer Leistung von mehr als 50 W und einer Leistung von mehr als 50 W
  • mit einer Breite von mehr als 20 mm
  • Laserdioden

• Erneuerbare Energiesysteme:

  • Sonnenumrichter
  • Windkraftanlagenwandler
  • Elektrische Antriebe

• Industrie und Verteidigung:

  • Radarsysteme
  • Satellitenkommunikation
  • Instrumente für Kernreaktoren

SiC-WaferAnpassung:

Wir können die Größe des SiC-Substrats an Ihre spezifischen Anforderungen anpassen. Wir bieten auch eine 4H-Semi-HPSI SiC-Wafer mit einer Größe von 10x10mm oder 5x5mm an.

Der Preis hängt vom Fall ab, und die Verpackungsdetails können nach Ihren Vorlieben angepasst werden.

Die Lieferzeit beträgt 2-4 Wochen. Wir akzeptieren die Zahlung per T/T.

SiC-WaferUnterstützung und Dienstleistungen:

Unser SiC-Substrat-Produkt ist mit umfassender technischer Unterstützung und Dienstleistungen ausgestattet, um eine optimale Leistung und Kundenzufriedenheit zu gewährleisten.

Unser Expertenteam steht zur Verfügung, um bei der Produktauswahl, Installation und Fehlerbehebung zu helfen.

Wir bieten Schulungen und Unterricht über die Verwendung und Wartung unserer Produkte an, um unseren Kunden zu helfen, ihre Investition zu maximieren.

Darüber hinaus stellen wir kontinuierliche Produktaktualisierungen und -verbesserungen zur Verfügung, um sicherzustellen, dass unsere Kunden immer Zugang zu den neuesten Technologien haben.

SiC-WaferHäufige Fragen:

F: Können 2-Zoll-6H-N SiC-Substrate für alle Arten von Halbleitergeräten verwendet werden?

A: Während 2-Zoll-6H-N SiC-Substrate vielseitig sind, eignen sie sich besonders gut für Hochleistungs- und Hochfrequenzgeräte.

Sie sind möglicherweise nicht ideal für alle Arten von Halbleitergeräten geeignet, insbesondere solche, die nicht die einzigartigen Eigenschaften von SiC benötigen.

F: Was sind die typischen Abmessungen und Spezifikationen für ein 2-Zoll-6H-N SiC-Substrat?

A: Typische Abmessungen umfassen einen Durchmesser von 50,8 mm, eine Dicke von etwa 300 bis 500 Mikrometern und spezifische Anforderungen an die Oberflächenqualität und -flachheit.

Die genauen Spezifikationen können je nach Hersteller und Anwendung variieren.

F: Wie verarbeiten und lagern Sie 2-Zoll-6H-N SiC-Substrate?

A: Aufgrund ihrer Bruchbarkeit sollten SiC-Substrate mit Vorsicht mit Reinraumhandschuhen und geeigneten Handhabungswerkzeugen behandelt werden.

Sie sollten in einer kontrollierten Umgebung gelagert werden, um Verunreinigungen und Beschädigungen zu vermeiden.