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kundengebundene Stärke 1.5mm 4" sic wie-geschnittene leere Kristalloblaten 4H-N

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kaufen 6 Zoll 4H-N Siliziumkarbid SiC Substrat Dia 150mm Dicke 350um 500um N Typ Prime Grade Dummy Grade Online-Herstellung

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kaufen Der SiC-Ingot-Wachstufen verwendet PVT, Lely TSSG und LPE-Methoden, um große Kristalle von 4 Zoll, 6 Zoll und 8 Zoll zu züchten Online-Herstellung

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kaufen Hochreines Siliziumcarbid (SiC) Pulver 99,9999% (6N) HPSI Typ 100μm Partikelgröße SIC Kristallwachstum Online-Herstellung

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kaufen Kundengebundene Größe 5x5mm 0.5x0.5mm 4H-N bricht SIC Platten ab Online-Herstellung

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kaufen Widerstandskraft >1E7ohm.cm sic Substrat durch customzied Form Online-Herstellung

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kaufen 10x10mm 5x5mm sic Substrat-Widerstandskraft 0.015-0.028ohm. Cm oder >1E7ohm.Cm bricht sic ab Online-Herstellung

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kaufen Sic Siliziumkarbid Halbleitergeräte Mehrfachkristallformen 4H 6H 3C Kundengröße 5G-Kommunikationschips Online-Herstellung

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kaufen 12 Zoll 300 mm SiC Siliziumkarbid Wafer 4H-N Typ Dummy Prime Forschungsgrad Mehrere Anwendungen Online-Herstellung

12 Zoll 300 mm SiC Siliziumkarbid Wafer 4H-N Typ Dummy Prime Forschungsgrad Mehrere Anwendungen

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kaufen Karbid-Oblaten 6H oder 4H des Silikon-2Inch, die Substrate N-artig oder sic Halb-isoliert worden sein würden Online-Herstellung

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kaufen sic besonders angefertigt 4 Silikon-Karbid-Oblaten H-N Type Semi-Insulatings Substrat-4inch 6inch Online-Herstellung

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