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kaufen Karbid-Oblaten 6H oder 4H des Silikon-2Inch, die Substrate N-artig oder sic Halb-isoliert worden sein würden Online-Herstellung

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kaufen sic besonders angefertigt 4 Silikon-Karbid-Oblaten H-N Type Semi-Insulatings Substrat-4inch 6inch Online-Herstellung

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kaufen 12 Zoll Durchmesser 300 mm SIC Substrat Epitaxial Polierte Wafer Siliziumkarbid Ingot Prime Grade 4H-N Typ Leitung Solar Photovoltaik Online-Herstellung

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kaufen sic Laser, der sic Service für Chips durch 0.5x0.5mm quadratische Platten schneidet Online-Herstellung

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kaufen Sic Substrat MIT 9,7 Wärmeleitfähigkeit der Dielektrizitätskonstante-4,9 W/mK Online-Herstellung

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kaufen kundengebundene Stärke 1.5mm 4

kundengebundene Stärke 1.5mm 4" sic wie-geschnittene leere Kristalloblaten 4H-N

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kaufen Karbid-sic Oblaten 3inch 4inch 2inch 0.35mm DSP Oberflächen-Silikon-4h-N Online-Herstellung

Karbid-sic Oblaten 3inch 4inch 2inch 0.35mm DSP Oberflächen-Silikon-4h-N

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kaufen 4H-N 5x5mm sic keramisches Katalysator-Substrat Oblaten-DSP Online-Herstellung Video

4H-N 5x5mm sic keramisches Katalysator-Substrat Oblaten-DSP

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kaufen Transparente Größe SICs Crystal Optical Lens 4H-SEMI Customzied Online-Herstellung

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kaufen Transparente farblose kundengebundene SIC Linse HPSI 4H-SEMI Online-Herstellung

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kaufen Silikonkarbid Wafer 4H P-Typ Null MPD Produktionsgrad Dummy Grade 4 Zoll 6 Zoll Online-Herstellung

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kaufen Siliziumkarbid-Rechtecksubstrat-SiC-Chip für fortschrittliche Elektronik Online-Herstellung Video

Siliziumkarbid-Rechtecksubstrat-SiC-Chip für fortschrittliche Elektronik

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kaufen 4H-N Typ SiC Substrat 10x10mm Wafer für Leistungselektronik Online-Herstellung Video

4H-N Typ SiC Substrat 10x10mm Wafer für Leistungselektronik

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kaufen HPSI-Hochreine SiC-Wafeln mit Halbdämmung von 2 × 3 × 4 × 6 × 8 × Prime/Dummy/Research Grade Online-Herstellung

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kaufen 4H-Siliziumkarbid-Substrat für Leistungselektronik, HF-Bauelemente & UV-Optoelektronik Online-Herstellung Video

4H-Siliziumkarbid-Substrat für Leistungselektronik, HF-Bauelemente & UV-Optoelektronik

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kaufen 6 Zoll 4H-N Siliziumkarbid SiC Substrat Dia 150mm Dicke 350um 500um N Typ Prime Grade Dummy Grade Online-Herstellung

6 Zoll 4H-N Siliziumkarbid SiC Substrat Dia 150mm Dicke 350um 500um N Typ Prime Grade Dummy Grade

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kaufen 2 Zoll 4H-N Siliziumkarbid SiC Substrat Dicke 350um 500um SiC Wafer Prime Grade Dummy Grade Online-Herstellung

2 Zoll 4H-N Siliziumkarbid SiC Substrat Dicke 350um 500um SiC Wafer Prime Grade Dummy Grade

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kaufen 4H-N Typ SiC Substrat 10x10mm Wafer für Leistungselektronik Online-Herstellung

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kaufen Der SiC-Ingot-Wachstufen verwendet PVT, Lely TSSG und LPE-Methoden, um große Kristalle von 4 Zoll, 6 Zoll und 8 Zoll zu züchten Online-Herstellung

Der SiC-Ingot-Wachstufen verwendet PVT, Lely TSSG und LPE-Methoden, um große Kristalle von 4 Zoll, 6 Zoll und 8 Zoll zu züchten

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kaufen Hochreines Siliziumcarbid (SiC) Pulver 99,9999% (6N) HPSI Typ 100μm Partikelgröße SIC Kristallwachstum Online-Herstellung

Hochreines Siliziumcarbid (SiC) Pulver 99,9999% (6N) HPSI Typ 100μm Partikelgröße SIC Kristallwachstum

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kaufen 4-Zoll SiC Epitaxie-Wafer 4H-N Durchmesser 100 mm Dicke 350 µm Prime Grade Online-Herstellung

4-Zoll SiC Epitaxie-Wafer 4H-N Durchmesser 100 mm Dicke 350 µm Prime Grade

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kaufen 2 Zoll Sic Substrat 6H-N Typ Dicke 350um 650um Sic Wafer Online-Herstellung

2 Zoll Sic Substrat 6H-N Typ Dicke 350um 650um Sic Wafer

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kaufen Kundengebundene Größe 5x5mm 0.5x0.5mm 4H-N bricht SIC Platten ab Online-Herstellung

Kundengebundene Größe 5x5mm 0.5x0.5mm 4H-N bricht SIC Platten ab

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kaufen Widerstandskraft >1E7ohm.cm sic Substrat durch customzied Form Online-Herstellung

Widerstandskraft >1E7ohm.cm sic Substrat durch customzied Form

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kaufen 10x10mm 5x5mm sic Substrat-Widerstandskraft 0.015-0.028ohm. Cm oder >1E7ohm.Cm bricht sic ab Online-Herstellung

10x10mm 5x5mm sic Substrat-Widerstandskraft 0.015-0.028ohm. Cm oder >1E7ohm.Cm bricht sic ab

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kaufen Sic Siliziumkarbid Halbleitergeräte Mehrfachkristallformen 4H 6H 3C Kundengröße 5G-Kommunikationschips Online-Herstellung

Sic Siliziumkarbid Halbleitergeräte Mehrfachkristallformen 4H 6H 3C Kundengröße 5G-Kommunikationschips

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kaufen 12 Zoll 300 mm SiC Siliziumkarbid Wafer 4H-N Typ Dummy Prime Forschungsgrad Mehrere Anwendungen Online-Herstellung

12 Zoll 300 mm SiC Siliziumkarbid Wafer 4H-N Typ Dummy Prime Forschungsgrad Mehrere Anwendungen

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