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Silikonkarbid-Sic-Wafer

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Sic Siliziumkarbid-Substrat 6H-P-Typ auf Achse 0° Mohs-Härte 9,2 für Lasergerät

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2 Zoll 4 Zoll 6 Zoll Sic Siliziumkarbid Substrat 6H High P-Doped Typ Off Axis 4,0° nach vorne Prime Grade Dummy Grade

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Silikonkarbid Wafer Sic 6H-P Typ Off-Achse 2,0° Produktionstyp Forschungstyp

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6H-P Siliziumkarbid SiC Substrat 6 Zoll SIC Wafer 4H-P für optoelektronische Geräte

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6 Zoll Sic Siliziumkarbid Substrat 6H-P Typ für Kommunikations- und Radarsysteme Durchmesser 150 mm

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2 Zoll/4 Zoll/6 Zoll/5,0*5,0 mm/10,0*10,0 mm Sic Siliziumkarbid Substrat Typ 3C-N Auf der Achse: < 111 > ± 0,5° Produktionsgrad Dummy-Grad

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CVD SiC Epitaxy Wafer 2 Zoll 3 Zoll 4 Zoll 6 Zoll Epitaxy Dicke 2,5-120 um für elektronische Energie

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4H-N Siliziumkarbid SiC Substrat 2 Zoll 3 Zoll 4 Zoll 6 Zoll 8 Zoll 12 Zoll Prime Grade Dummy Grade

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2 Zoll 6H - halb Leistungsaufnahme der Silikon-Karbid-Wafer-geringen Energie für Detektor

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Silikonkarbid-Sic-Wafer

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Industriequalität 6H SiC Substrate für Hochtemperatur-, UV- und Präzisionselektronik

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10 Millimeter X 10 6H Halb-isolierender Millimeter Art-sic Substrat-Forschungs-Grad sic Crystal Substrate

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