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eric_wang@zmsh-materials.com
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Besorgen Hochwertige 4H-N-Siliziumkarbid-Substrate (12 Zoll/300 mm) für Hochleistungsgeräte Online-Herstellung

Hochwertige 4H-N-Siliziumkarbid-Substrate (12 Zoll/300 mm) für Hochleistungsgeräte

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Besorgen Premium 12-Zoll (300 mm) Siliziumkarbid (SiC) Substrat-Lösungen Online-Herstellung

Premium 12-Zoll (300 mm) Siliziumkarbid (SiC) Substrat-Lösungen

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Besorgen Kundengebundene Größen-Quadrat-sic Chip-niedrige Gitter-Fehlanpassung mit hoch thermischem Online-Herstellung Video

Kundengebundene Größen-Quadrat-sic Chip-niedrige Gitter-Fehlanpassung mit hoch thermischem

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Besorgen sic besonders angefertigt 4 Silikon-Karbid-Oblaten H-N Type Semi-Insulatings Substrat-4inch 6inch Online-Herstellung

sic besonders angefertigt 4 Silikon-Karbid-Oblaten H-N Type Semi-Insulatings Substrat-4inch 6inch

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Besorgen 12-Zoll 300 mm 4H-N SiC-Substrat für die Herstellung von Leistungshalbleitern Online-Herstellung

12-Zoll 300 mm 4H-N SiC-Substrat für die Herstellung von Leistungshalbleitern

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Besorgen Karbid-Oblaten 6H oder 4H des Silikon-2Inch, die Substrate N-artig oder sic Halb-isoliert worden sein würden Online-Herstellung

Karbid-Oblaten 6H oder 4H des Silikon-2Inch, die Substrate N-artig oder sic Halb-isoliert worden sein würden

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Besorgen 4H-N 8inch Halbleiter-Substrat SIC-Silikon-Karbid-Oblate für Solarphoto-voltaisches Online-Herstellung

4H-N 8inch Halbleiter-Substrat SIC-Silikon-Karbid-Oblate für Solarphoto-voltaisches

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Besorgen Kundenspezifische leitfähige Art sic Oblate für Hochspannungs-Starkstromgerät-Solarphoto-voltaisches der hohen Temperatur Online-Herstellung

Kundenspezifische leitfähige Art sic Oblate für Hochspannungs-Starkstromgerät-Solarphoto-voltaisches der hohen Temperatur

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Besorgen 8inch DSP 4H sic Art des Oblaten-Silikon-Karbid-Substrat-Produktions-Grad-N für Experiment Online-Herstellung

8inch DSP 4H sic Art des Oblaten-Silikon-Karbid-Substrat-Produktions-Grad-N für Experiment

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Besorgen 10 Millimeter X 10 6H Halb-isolierender Millimeter Art-sic Substrat-Forschungs-Grad sic Crystal Substrate Online-Herstellung Video

10 Millimeter X 10 6H Halb-isolierender Millimeter Art-sic Substrat-Forschungs-Grad sic Crystal Substrate

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Besorgen 4 H-N Production Grade Dummy Grad-sic Substrat-Oblate 8inch Dia200mm Online-Herstellung Video

4 H-N Production Grade Dummy Grad-sic Substrat-Oblate 8inch Dia200mm

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Besorgen 2/4/6/8 Zoll Sic Siliziumkarbid Kristall-Samen-Substrat 4H-N Typ Hohe Härte P-Klasse R-Klasse D-Klasse Online-Herstellung

2/4/6/8 Zoll Sic Siliziumkarbid Kristall-Samen-Substrat 4H-N Typ Hohe Härte P-Klasse R-Klasse D-Klasse

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Besorgen 6H-N-SiC-Wafer: 2-Zoll-Substrat, Dicke 350 μm oder 650 μm Online-Herstellung

6H-N-SiC-Wafer: 2-Zoll-Substrat, Dicke 350 μm oder 650 μm

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Besorgen Weiße Moissanit SiC-Kristalle rein transparent Ultra-Hard für die Schmuckindustrie Online-Herstellung

Weiße Moissanit SiC-Kristalle rein transparent Ultra-Hard für die Schmuckindustrie

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Besorgen 2 Zoll / 4 Zoll / 6 Zoll Sic Siliziumkarbid Substrat 4H-P Typ Off-Achse 2,0° Richtung Produktionsgrad Online-Herstellung

2 Zoll / 4 Zoll / 6 Zoll Sic Siliziumkarbid Substrat 4H-P Typ Off-Achse 2,0° Richtung Produktionsgrad

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Besorgen 4H-N Typ / Halbisolierende Siliziumkarbid SiC Substrate Online-Herstellung

4H-N Typ / Halbisolierende Siliziumkarbid SiC Substrate

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Besorgen 4H-N Siliziumkarbid SiC-Substrat 8 Zoll Dicke 350um 500um Prime Grade Dummy Grade SiC Wafer Online-Herstellung

4H-N Siliziumkarbid SiC-Substrat 8 Zoll Dicke 350um 500um Prime Grade Dummy Grade SiC Wafer

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Besorgen 4 Zoll 4H-N Siliziumkarbid SiC Substrat Dia 100mm N Typ Prime Grade Dummy Grade Dicke 350um individuell Online-Herstellung

4 Zoll 4H-N Siliziumkarbid SiC Substrat Dia 100mm N Typ Prime Grade Dummy Grade Dicke 350um individuell

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Besorgen Der SiC-Ingot-Wachstufen verwendet PVT, Lely TSSG und LPE-Methoden, um große Kristalle von 4 Zoll, 6 Zoll und 8 Zoll zu züchten Online-Herstellung

Der SiC-Ingot-Wachstufen verwendet PVT, Lely TSSG und LPE-Methoden, um große Kristalle von 4 Zoll, 6 Zoll und 8 Zoll zu züchten

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Besorgen SiC-Substrat mit einer Dicke von 4H-N 350um, verwendet in der Optoelektronik als Halbleitermaterial Online-Herstellung Video

SiC-Substrat mit einer Dicke von 4H-N 350um, verwendet in der Optoelektronik als Halbleitermaterial

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Besorgen Sic optische Linse 10x10x10mmt 4H-SEMI HPSI Form und Größe angepasst 6SP Dicke 10.05 Online-Herstellung

Sic optische Linse 10x10x10mmt 4H-SEMI HPSI Form und Größe angepasst 6SP Dicke 10.05

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Besorgen 2 Zoll Durchmesser 50,8 mm 4H-N Typ SiC Epitaxie-Wafer für Hochtemperatursensoren Online-Herstellung

2 Zoll Durchmesser 50,8 mm 4H-N Typ SiC Epitaxie-Wafer für Hochtemperatursensoren

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Besorgen 2 Zoll 3 Zoll 4 Zoll 6 Zoll SiC Epitaxie-Wafer 4H-N Produktionsqualität Online-Herstellung

2 Zoll 3 Zoll 4 Zoll 6 Zoll SiC Epitaxie-Wafer 4H-N Produktionsqualität

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Besorgen 6-Zoll 4H-SEMI SiC-Substrat für AR-Brillen und 5G-HF-Geräte Online-Herstellung

6-Zoll 4H-SEMI SiC-Substrat für AR-Brillen und 5G-HF-Geräte

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Besorgen 4H-N Typ SiC Substrat 10x10mm Wafer für Leistungselektronik Online-Herstellung

4H-N Typ SiC Substrat 10x10mm Wafer für Leistungselektronik

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Besorgen Premium 3C-SiC-Substrate: N-Typ-Produktionswafer für 5G und Leistungselektronik Online-Herstellung

Premium 3C-SiC-Substrate: N-Typ-Produktionswafer für 5G und Leistungselektronik

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Besorgen Synthetisches Labor erstellt Transparent SIC Einzelkristall Rohmaterial für Edelsteine Online-Herstellung

Synthetisches Labor erstellt Transparent SIC Einzelkristall Rohmaterial für Edelsteine

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Besorgen 12 Zoll Durchmesser 300 mm SIC Substrat Epitaxial Polierte Wafer Siliziumkarbid Ingot Prime Grade 4H-N Typ Leitung Solar Photovoltaik Online-Herstellung

12 Zoll Durchmesser 300 mm SIC Substrat Epitaxial Polierte Wafer Siliziumkarbid Ingot Prime Grade 4H-N Typ Leitung Solar Photovoltaik

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