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Besorgen Doppelseitig polierte SiC-Spiegel mit hoher Reinheit, optische Komponente für MEMS-Mikrospiegel Online-Herstellung Video

Doppelseitig polierte SiC-Spiegel mit hoher Reinheit, optische Komponente für MEMS-Mikrospiegel

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4" 4H-Semi-Hochreine SIC-Wafer erstklassige Halbleiter EPI-Substrate AR-Gläser optische Qualität

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Hochreine SiC-beschichtete Trägerplatte für Waferbehandlung und -übertragung

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Besorgen Hochreine SiC-keramische Isoliersubstrate, hochtemperaturbeständig Online-Herstellung

Hochreine SiC-keramische Isoliersubstrate, hochtemperaturbeständig

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Besorgen ​​High-Purity SiC Vertical Furnace Tube High-Temperature Resistant Online-Herstellung

​​High-Purity SiC Vertical Furnace Tube High-Temperature Resistant

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Besorgen HPSI-Hochreine SiC-Wafeln mit Halbdämmung von 2 × 3 × 4 × 6 × 8 × Prime/Dummy/Research Grade Online-Herstellung

HPSI-Hochreine SiC-Wafeln mit Halbdämmung von 2 × 3 × 4 × 6 × 8 × Prime/Dummy/Research Grade

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Besorgen SiC-Wafer mit hoher Reinheit, halbisolierend, HPSI-Siliziumkarbid-Substrat für Strom- und HF-Geräte Online-Herstellung

SiC-Wafer mit hoher Reinheit, halbisolierend, HPSI-Siliziumkarbid-Substrat für Strom- und HF-Geräte

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Besorgen Sic Rohstoff-Synthese-Ofen 50 kg Widerstand Vorbereitung von hochreinem Sic-Kristall Online-Herstellung

Sic Rohstoff-Synthese-Ofen 50 kg Widerstand Vorbereitung von hochreinem Sic-Kristall

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Besorgen Hochreines Siliziumcarbid (SiC) Pulver 99,9999% (6N) HPSI Typ 100μm Partikelgröße SIC Kristallwachstum Online-Herstellung

Hochreines Siliziumcarbid (SiC) Pulver 99,9999% (6N) HPSI Typ 100μm Partikelgröße SIC Kristallwachstum

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Besorgen 6-Zoll-Ultra-Hochspannungs-SiC-Epitaxialwafer 100 500 μm Für MOSFET-Geräte Online-Herstellung

6-Zoll-Ultra-Hochspannungs-SiC-Epitaxialwafer 100 500 μm Für MOSFET-Geräte

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Besorgen CVD-SiC-Ring mit hoher Reinheit für Halbleiter-Plasma-Esserei mit 370 mm Durchmesser und 120 ‰ 200 W/m·K Wärmeleitfähigkeit Online-Herstellung

CVD-SiC-Ring mit hoher Reinheit für Halbleiter-Plasma-Esserei mit 370 mm Durchmesser und 120 ‰ 200 W/m·K Wärmeleitfähigkeit

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Besorgen Hochreine SiC-End-Effektor für die Waferbehandlung Korrosionsbeständige Wärmegabel für die Halbleiterverarbeitung Online-Herstellung

Hochreine SiC-End-Effektor für die Waferbehandlung Korrosionsbeständige Wärmegabel für die Halbleiterverarbeitung

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Besorgen Hochreine, semi-isolierende Siliziumkarbid-Substrate - Waferlösungen mit mehreren Durchmessern (2

Hochreine, semi-isolierende Siliziumkarbid-Substrate - Waferlösungen mit mehreren Durchmessern (2" bis 8")

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Besorgen Hochreine (5N) einzelkristalline Siliziumelektrode mit anpassbarem Gaslochdurchmesser und mehreren Widerstandsoptionen für Halbleiterplasmasysteme Online-Herstellung

Hochreine (5N) einzelkristalline Siliziumelektrode mit anpassbarem Gaslochdurchmesser und mehreren Widerstandsoptionen für Halbleiterplasmasysteme

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Halb- isolierendes Silikon-Karbid-Substrat, sic hoher Reinheitsgrad der Oblaten-4H

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Hochreines Siliziumcarbid (SiC) Pulver 99,9999% (6N) HPSI Typ 100μm Partikelgröße SIC Kristallwachstum

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Besorgen CVD-SiC-Ring mit hoher Reinheit für Halbleiter-Plasma-Esserei mit 370 mm Durchmesser und 120 ‰ 200 W/m·K Wärmeleitfähigkeit Online-Herstellung

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