6-Zoll 4H-SEMI SiC-Substrat für AR-Brillen und 5G-HF-Geräte

Das 6-Zoll 4H-SEMI Siliziumkarbid (4H-SiC)-Substrat ist ein Halbleitermaterial mit großer Bandlücke, das auf der hexagonalen Kristallstruktur (4H-Polytyp) basiert und für ​​semi-isolierende Eigenschaften​​ (Resistivität ≥1×10⁷ Ω·cm) entwickelt wurde. Hergestellt durch ​​physikalische Dampfabscheidung (PVT)​​ oder ​​Flüssigphasenepitaxie (LPE)​​, bietet es eine ​​3,26 eV breite Bandlücke​​, ein ​​3,5 MV/cm Durchbruchfeld​​, eine ​​4,9 W/cm·K Wärmeleitfähigkeit​​ und ​​Hochfrequenz-Low-Loss-Eigenschaften​​, was es ideal für Anwendungen in extremen Umgebungen wie 5G-Kommunikation, HF-Geräte und Luft- und Raumfahrtelektronik macht. Im Vergleich zu Materialien auf Siliziumbasis bietet es eine ​​10× höhere Durchbruchfeldstärke​​ und eine ​​3× höhere Wärmeleitfähigkeit​​, was einen stabilen Betrieb von -200°C bis 1.600°C ermöglicht und als optimales Substrat für Hochspannungs-, Hochfrequenz- und Hochleistungsgeräte dient.

1. Elektrische Leistung​​

• ​​Breite Bandlücke (3,26 eV)​​: 6-Zoll 4H-SEMI SiC-Substrat hält Spannungen von über 10 kV stand und eignet sich für Hochspannungsszenarien wie intelligente Stromnetze und EV-Wechselrichter.

• ​​Hohes Durchbruchfeld (3,5 MV/cm)​​: 10× höher als Silizium, wodurch der Leckstrom minimiert und die Zuverlässigkeit erhöht wird.

• ​​Hohe Elektronenmobilität (900 cm²/V·s)​​: 6-Zoll 4H-SEMI SiC-Substrat optimiert die Schaltgeschwindigkeit in HF-Geräten und reduziert die Verlustleistung.

​​2. Thermische und mechanische Eigenschaften​​

• ​​Hohe Wärmeleitfähigkeit (4,9 W/cm·K)​​: 3× bessere Wärmeableitung als Silizium, unterstützt extreme Temperaturen (-200°C bis 1.600°C).

• ​​Hohe Härte (Mohs 9,2)​​: 6-Zoll 4H-SEMI SiC-Substrat ist verschleißfest und mit Präzisionsprozessen wie CMP und Trockenätzen kompatibel.

​​3. Prozesskompatibilität​​

• ​​Geringe Mikropipetendichte (<1 cm⁻²)​​: 6-Zoll 4H-SEMI SiC-Substrat minimiert Gitterdefekte für eine überlegene Qualität der Epitaxieschicht.

• ​​Oberflächenebenheit (Ra <0,2 nm)​​: 6-Zoll 4H-SEMI SiC-Substrat gewährleistet die Kompatibilität mit Lithographie und Dünnschichtabscheidung.

​​6-Zoll 4H-SEMI SiC-Substrat Kernanwendungen​​

1. 5G-Kommunikation & HF-Geräte​​

• ​​Millimeterwellen-HF-Module​​: 6-Zoll 4H-SEMI SiC-Substrat ermöglicht GaN-on-4H-SiC-HF-Geräte für 28 GHz+-Bänder und verbessert die Signaleffizienz.
• ​​Low-Loss-Filter​​: 6-Zoll 4H-SEMI SiC-Substrat reduziert die Signaldämpfung und verbessert die Radar- und Kommunikationsempfindlichkeit.

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2. Elektrofahrzeuge (EVs)​​

• ​​Hochfrequenz-Wechselrichter​​: Kompatibel mit 800-V-Schnellladeplattformen, wodurch der Energieverlust um >40 % reduziert wird.
• ​​Leistungs-MOSFETs​​: 6-Zoll 4H-SEMI SiC-Substrat reduziert die Verlustleistung um 80–90 % und verlängert die Reichweite.

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3. Luft- und Raumfahrt & Verteidigung​​

• ​​Strahlungsgehärtete Geräte​​: Ersetzt Siliziumkomponenten und verlängert die Lebensdauer von Satelliten- und Raketensystemen (>100 Mrad Toleranz).
• ​​Hochleistungsradare​​: 6-Zoll 4H-SEMI SiC-Substrat nutzt Low-Loss-Eigenschaften für eine verbesserte Erkennungsgenauigkeit.

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4. Industrie- und Energiesysteme​​

• ​​Solarwechselrichter​​: Erhöht den Wirkungsgrad um 1–3 % und reduziert das Volumen um 40–60 % für raue Umgebungen.
• ​​Intelligente Stromnetze​​: 6-Zoll 4H-SEMI SiC-Substrat unterstützt Hochspannungs-Gleichstromübertragung und minimiert die Wärmeableitung und den Kühlbedarf.

1. 6" High Purity Silicon 4H-Semi SIC Dummy Grade Semiconductor Wafers LED 5G D Grade

2. 6Inch Silicon Carbide Semi-insulating SiC Composite Substrate P Type N Type Single Polish Double Polish Production Grade

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