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Guter Preis 4 Zoll Si-Wafer Dia 100mm Dicke 350um Ausrichtung <100> DSP SSP kundenspezifische Silizium-Wafer N-Typ P-Typ Online
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12-Zoll 300 mm 4H-N SiC-Substrat für die Herstellung von Leistungshalbleitern

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Karbid-Oblaten 6H oder 4H des Silikon-2Inch, die Substrate N-artig oder sic Halb-isoliert worden sein würden

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4H-N 8inch Halbleiter-Substrat SIC-Silikon-Karbid-Oblate für Solarphoto-voltaisches

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Kundenspezifische leitfähige Art sic Oblate für Hochspannungs-Starkstromgerät-Solarphoto-voltaisches der hohen Temperatur

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8inch DSP 4H sic Art des Oblaten-Silikon-Karbid-Substrat-Produktions-Grad-N für Experiment

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Besorgen 10 Millimeter X 10 6H Halb-isolierender Millimeter Art-sic Substrat-Forschungs-Grad sic Crystal Substrate Online-Herstellung Video

10 Millimeter X 10 6H Halb-isolierender Millimeter Art-sic Substrat-Forschungs-Grad sic Crystal Substrate

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Besorgen 4 H-N Production Grade Dummy Grad-sic Substrat-Oblate 8inch Dia200mm Online-Herstellung Video

4 H-N Production Grade Dummy Grad-sic Substrat-Oblate 8inch Dia200mm

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2/4/6/8 Zoll Sic Siliziumkarbid Kristall-Samen-Substrat 4H-N Typ Hohe Härte P-Klasse R-Klasse D-Klasse

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6H-N-SiC-Wafer: 2-Zoll-Substrat, Dicke 350 μm oder 650 μm

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Weiße Moissanit SiC-Kristalle rein transparent Ultra-Hard für die Schmuckindustrie

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2 Zoll / 4 Zoll / 6 Zoll Sic Siliziumkarbid Substrat 4H-P Typ Off-Achse 2,0° Richtung Produktionsgrad

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4H-N Typ / Halbisolierende Siliziumkarbid SiC Substrate

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