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Undoped transparente Silikonkarbid sic optische Kristalllinse mit Härte 9,2

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SIC Crystal Silicon Carbide Wafer

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BLINDE Hauptgrad 6inch Silikonkarbid sic Stärkesubstrate Oblaten-0.5mm 0.35mm DSP 4H-N/semi

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China 4 Zoll 6 Zoll 8 Zoll SICOI Wafer 4H-SiC auf Isolator 100 bis 150 mm SiC-Film AUF Silizium distributeur
4 Zoll 6 Zoll 8 Zoll SICOI Wafer 4H-SiC auf Isolator 100 bis 150 mm SiC-Film AUF Silizium

Sic Substrat

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China Silikonkarbid Wafer 6H P-Typ und 4H P-Typ Null MPD Produktion Dummy Grade Dia 4 Zoll 6 Zoll Fabrik

Silikonkarbid Wafer 6H P-Typ und 4H P-Typ Null MPD Produktion Dummy Grade Dia 4 Zoll 6 Zoll
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Silikonkarbid Wafer 6H P-Typ & 4H P-Typ Null MPD Produktion Dummy Qualität Dia 4 Zoll 6 Zoll Silicon Carbide Wafer 6H P-Type & 4H P-Type Abstrakt Diese Studie untersucht die Eigenschaften und Anwendungen von ... Lesen Sie weiter
2024-09-24 17:30:38
China Silikonkarbid Wafer 4H P-Typ Null MPD Produktionsgrad Dummy Grade 4 Zoll 6 Zoll Fabrik

Silikonkarbid Wafer 4H P-Typ Null MPD Produktionsgrad Dummy Grade 4 Zoll 6 Zoll
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Silikonkarbid Wafer 4H P-Typ Null MPD Produktionsgrad Dummy-Qualität 4 Zoll 6 Zoll Silikonkarbid Wafer 4H P-Type Diese Studie stellt die Eigenschaften und möglichen Anwendungsmöglichkeiten einer 4H P-Type ... Lesen Sie weiter
2024-09-24 17:30:38
China Silikonkarbidwafer 6H P-Typ Standard-Produktionsgrad Dia:145.5 mm bis 150,0 mm Dicke 350 μm ± 25 μm Fabrik

Silikonkarbidwafer 6H P-Typ Standard-Produktionsgrad Dia:145.5 mm bis 150,0 mm Dicke 350 μm ± 25 μm
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Silikonkarbidwafer 6H P-Typ Standard-Produktionsgrad Dia:145.5 mm bis 150,0 mm Dicke 350 μm ± 25 μm 6H-P-Type-Siliziumkarbid-Wafer In diesem Papier werden die Entwicklung und Eigenschaften einer 6H-Karbid-Wafer ... Lesen Sie weiter
2024-09-24 17:30:38
China Silikonkarbid SIC Wafer 10*10 mm 6H-P Dicke 350μm Für Hochleistungsgeräte Fabrik

Silikonkarbid SIC Wafer 10*10 mm 6H-P Dicke 350μm Für Hochleistungsgeräte
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Beschreibung des Produkts: Silikonkarbid SIC Wafer 10*10 mm 6H-P Dicke 350μm Für Hochleistungsgeräte 6H-SiC (Hexagonal Silicon Carbide) ist ein breites Halbleitermaterial mit guter Wärmeleitfähigkeit und hoher ... Lesen Sie weiter
2024-09-24 17:30:38
China Sic Siliziumkarbid Substrat 5.0*5.0mm Quadrat 6H-P Typ Dicke 350μm Nullgrad Dummy Grad Fabrik

Sic Siliziumkarbid Substrat 5.0*5.0mm Quadrat 6H-P Typ Dicke 350μm Nullgrad Dummy Grad
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Beschreibung des Produkts: Sic Siliziumkarbid Substrat 5.0*5.0mm Quadrat 6H-P Typ Dicke 350μm Nullgrad Dummy Grad 6H-SiC (Hexagonal Silicon Carbide) ist ein breites Halbleitermaterial mit guter Wärmeleitf... Lesen Sie weiter
2024-09-24 17:30:38
China 2 Zoll Sic Siliziumkarbid Substrat 6H Niedrigfestigkeit Hohe P-Doped Typ Durchmesser 50,8 mm Fabrik

2 Zoll Sic Siliziumkarbid Substrat 6H Niedrigfestigkeit Hohe P-Doped Typ Durchmesser 50,8 mm
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Beschreibung des Produkts: 2 Zoll Sic Siliziumkarbid Substrat 6H Niedrigfestigkeit Hohe P-Doped Typ Durchmesser 50,8 mm 6H-SiC (Hexagonal Silicon Carbide) ist ein breites Halbleitermaterial mit guter Wärmeleitf... Lesen Sie weiter
2024-09-24 17:30:38
China 6H-P Siliziumkarbid SiC Substrat 6 Zoll SIC Wafer 4H-P für optoelektronische Geräte Fabrik

6H-P Siliziumkarbid SiC Substrat 6 Zoll SIC Wafer 4H-P für optoelektronische Geräte
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SiC-Substrat, SiC-Carbid-Substrat, SiC-Rohsubstrat, SiC-Carbid-Rohsubstrat, Prime Grade, Dummy Grade, 4H-P SiC-Substrat, 6H-P SiC-Substrat, 3C-N SiC 2 Zoll SiC, 4 Zoll SiC, 6 Zoll SiC,8 Zoll SiC, 12 Zoll SiC, ... Lesen Sie weiter
2024-09-24 17:30:38
China 4H-P Siliziumkarbid SiC Substrat 4 Zoll SIC Wafer 6H-P Für III-V Nitride Ablagerung Fabrik

4H-P Siliziumkarbid SiC Substrat 4 Zoll SIC Wafer 6H-P Für III-V Nitride Ablagerung
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SiC-Substrat, SiC-Carbid-Substrat, SiC-Rohsubstrat, SiC-Carbid-Rohsubstrat, Prime Grade, Dummy Grade, 4H-P SiC-Substrat, 6H-P SiC-Substrat, 3C-N SiC 2 Zoll SiC, 4 Zoll SiC, 6 Zoll SiC,8 Zoll SiC, 12 Zoll SiC, ... Lesen Sie weiter
2024-09-24 17:30:38
China Silikon-Nitrid-sic Substrat-Attrappe ordnen das 4 Zoll-4H-N sic Substrat für Geräte der hohen Leistung Fabrik

Silikon-Nitrid-sic Substrat-Attrappe ordnen das 4 Zoll-4H-N sic Substrat für Geräte der hohen Leistung
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4H-N 4H-SEMI 2 Zoll 3 Zoll 4 Zoll 6 Zoll SiC-Substrat Produktionsklasse Dummy-Klasse für Hochleistungsgeräte H hochreine Siliziumkarbid Substrate, hochreine 4 Zoll SiC Substrate, 4 Zoll Siliziumkarbid Substrate ... Lesen Sie weiter
2024-09-13 15:24:32
China 4H-N 5x5mm sic keramisches Katalysator-Substrat Oblaten-DSP Fabrik

4H-N 5x5mm sic keramisches Katalysator-Substrat Oblaten-DSP
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Hohe Reinheit HPSI 4H-SEMI 4H-N 10X10mm 5x5mm sic Wafer DSP Anwendung von Siliziumcarbid in der Maschinenindustrie Leistungseinheit Silizium Si Siliziumkarbid SiC Galliumnitrid GaNBandlücke eV 1.12 3.26 3... Lesen Sie weiter
2024-09-13 15:22:41
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Sic Substrat

Hoher Reinheitsgrad UNO-lackierte Silikon-Karbid-sic Oblate, Silikon-Karbid-Substrat 6Inch 4H-Semi sic

2 Zoll 6H - halb Leistungsaufnahme der Silikon-Karbid-Wafer-geringen Energie für Detektor

sic Silikon-Karbid des Barren-4inch 5 - 15mm Stärke für Halbleiter

4H-SEMI polierte sic Oblatenlinse 2INCH 3INCH 4INCH 9,0 Härte für Gerät-Material

Saphir-Oblate

Windows-Special-Orientierung des Halbleiterwafer-kundenspezifische Saphir-Glas-/Saphir

Saphir-Wafer Dicke 0,43 mm Saphir-Komponenten individuell angepasst Größe und Ausrichtung

Quadratische Saphir-Oblate/Saphir-Kristallglas 10x10mm 5x5mm für optische Linse

2°Off C - Achsen-synthetischer Saphir Glas-Epi - bereiter Zoll Durchmesser 50.8mm der Substrat-2

Gallium-Nitrid-Oblate

Stärke Laser-Projektions-Anzeigen-Gallium-Nitrid-GaN Wafers 350um

2inch 4inch freistehender GaN Gallium Nitride Substrates Template für geführt

Schablone 2INCH 4INCH NPSS/FSS AlN auf Saphirc$epi-oblate AlN-Auf-Saphiroblate

Gallium-Nitrid GaN AlN 2inch 4Inch Schablonen-Oblate auf Saphir, Si-Substrate

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