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3' 4' 350um 500um SSP DSP 4H- 6H- Forschung Dummy Grade SIC Epitaxial Substrate Video

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Kundengebundene Größe 5x5mm 0.5x0.5mm 4H-N bricht SIC Platten ab

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Sic Substrat MIT 9,7 Wärmeleitfähigkeit der Dielektrizitätskonstante-4,9 W/mK

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Widerstandskraft >1E7ohm.cm sic Substrat durch customzied Form

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sic Laser, der sic Service für Chips durch 0.5x0.5mm quadratische Platten schneidet

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10x10mm 5x5mm sic Substrat-Widerstandskraft 0.015-0.028ohm. Cm oder >1E7ohm.Cm bricht sic ab

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330um der Stärke-4 H-N Types Substrat-Produktions-Grad Dia50.8mm 2inch sic

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2inch Forschungs-Grad-einzelner Kristall Durchmessers 50.8mm sic Substrat-4H-Semi

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4 H-N Type Semi-Insulatings Silikon-Karbid-Oblaten sic Substrat-2inch 3inch 4inch

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6inch Art sic Substrat Durchmessers 150mm 350um Stärke-4H N für SBD MOS Application

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