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8inch DSP 4H sic Art des Oblaten-Silikon-Karbid-Substrat-Produktions-Grad-N für Experiment

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Kundenspezifische leitfähige Art sic Oblate für Hochspannungs-Starkstromgerät-Solarphoto-voltaisches der hohen Temperatur

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4H-N 8inch Halbleiter-Substrat SIC-Silikon-Karbid-Oblate für Solarphoto-voltaisches

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kundengebundene Oblatenchips der Größe 4h-n 6h-semi der Größe 5x5 10x10mm sic Video

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Hoher Reinheitsgrad UNO-lackierte Silikon-Karbid-sic Oblate, Silikon-Karbid-Substrat 6Inch 4H-Semi sic

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Waferherstellungs-Grad 8inch 6inch 4 H-N Type Sic Substrate für Hochfrequenz-Geräte

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4H-N 4inch 6inch sic Oblaten-Halbleiter-Material für SBD MOS Device

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Silikon-Karbid-Oblate 10 x 10 x 0.5mm 2sp 4H-SEMI 4H-N SIC Video

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6H-N 4H-N sic Silikon-Karbid-Oblate Substrat-2inch 0.33mm 0.43mm Video

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4 H-N Production Grade Dummy Grad-sic Substrat-Oblate 8inch Dia200mm Video

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10x10x0.5mm HPSI 1sp 2sp 4H-SEMI SIC Silikon-Karbid Wafersubstrate Video

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