SiC-Wafer, SiC-Karbid-Wafer, SiC-Substrat, SiC-Karbid-Substrat, P-Klasse, D-Klasse, 2 Zoll SiC, 4 Zoll SiC, 6 Zoll SiC, 8 Zoll SiC, 12 Zoll SiC, 4H-N, 4H-SEMI, 6H-N, HPSI-Typ Über 4H-SEMI SiC SIC Monocrystal ... Lesen Sie weiter

2024-08-15 09:03:01

2 Zoll Sic Substrat 6H-N Typ Dicke 350um 650um Sic Wafer
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Das 6H-n-Typen-Siliziumkarbid (SiC) -Einkristallsubstrat ist ein wesentliches Halbleitermaterial, das in Hochleistungs-, Hochfrequenz- und Hochtemperatur-elektronischen Anwendungen weit verbreitet ist.Berühmt f... Lesen Sie weiter

2024-08-08 13:35:02

8 Zoll SiC Wafer Siliziumkarbid Wafer Prime Dummy Forschungsgrad 500um 350 Um
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8 Zoll SiC-Wafer Siliziumkarbid-Wafer Primär-Dummy-Forschungsklasse 500um 350 um Einführung des Produktes Unser Unternehmen ist spezialisiert auf die Bereitstellung von hochwertigen 8-Zoll-Single-Crystal... Lesen Sie weiter

2024-06-26 10:36:52

Silikonkarbid Wafer 8 Zoll 200 mm Polieren Substrat Halbleiter
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Silikonkarbid Wafer 8 Zoll 200 mm Polieren Substrat Halbleiter Produktbeschreibung Die Nachfrage nach 8-Zoll-SiC-Wafern steigt in vielen Branchen rasant an. Diese hochwertigen Substrate sind für Forschung, ... Lesen Sie weiter

2024-06-26 10:36:52

Silikonkarbidwafer 2 Zoll 4 Zoll 6 Zoll 8 Zoll Industrieanwendung mit Oberflächenrauheit ≤ 0,2 nm
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Silikonkarbidwafer 2 Zoll 4 Zoll 6 Zoll 8 Zoll Industrieanwendung mit Oberflächenrauheit ≤ 0,2 nm Produktbeschreibung ZMSH hat sich zu einem führenden Hersteller und Lieferanten von SiC-Substratwafern (Silicon ... Lesen Sie weiter

2024-06-26 10:36:52

SiC-Substrat mit einer Dicke von 4H-N 350um, verwendet in der Optoelektronik als Halbleitermaterial
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SiC-Substrat mit einer Dicke von 4H-N 350um, verwendet in der Optoelektronik als Halbleitermaterial Produktbeschreibung SiC-Substrate sind Schlüsselmaterialien auf dem Gebiet der Halbleitertechnik, die ... Lesen Sie weiter

2024-06-26 10:36:52

Silikonkarbid (SiC) Substrat 6 Zoll 8 Zoll Test-Grad-Wafer für Laserschneiden
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Silikonkarbid (SiC) Substrat 6 Zoll 8 Zoll Laserschnitt Für die epitaxielle Vorbereitung Beschreibung des Produkts: Das umfassende Angebot von Coherent an SiC-Epitaxialwafern beschleunigt nicht nur die ... Lesen Sie weiter

2024-06-03 17:07:47

4° Außerhalb der Achse SiC-Substrat 2 Zoll Hochtemperaturanwendungen Epitaxialwafer
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4° Außerhalb der Achse SiC-Substrat 2 Zoll Hochtemperaturanwendungen Epitaxialwafer Beschreibung des Produkts: Das SiC-Substrat hat außerdem eine Oberflächenrauheit von Ra 400 MPa, was es sehr langlebig und ... Lesen Sie weiter

2024-05-29 11:51:08

SiC Epitaxial Wafer Substrat Halbleiter Industrieanwendungen 4H-N
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SiC-Epitaxialwafer-Substrat Halbleiter Industrieanwendungen 4H-NBeschreibung des Produkts:Siliziumkarbid (SiC-SubstratDie Schleifstoffe wurden im Jahre 1893 als Industrieabrasiv für Schleifräder und Automobilbr... Lesen Sie weiter

2024-05-29 11:51:08

2 Zoll 3 Zoll 4 Zoll SiC Substrat 330um Dicke 4H-N Typ Produktionsgrad
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2 Zoll 3 Zoll 4 Zoll SiC Substrat 330um Dicke 4H-N Typ Produktionsgrad Beschreibung des Produkts: Das SiC-Substrat ist in verschiedenen Größen erhältlich, darunter 2 Zoll, 3 Zoll, 4 Zoll, 6 Zoll und 8 Zoll. ... Lesen Sie weiter

2024-05-29 11:51:08

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