SiC-Epitaxialwafer-Substrat Halbleiter Industrieanwendungen 4H-NBeschreibung des Produkts:Siliziumkarbid (SiC-SubstratDie Schleifstoffe wurden im Jahre 1893 als Industrieabrasiv für Schleifräder und Automobilbr... Lesen Sie weiter

2024-05-29 11:51:08

2 Zoll 3 Zoll 4 Zoll SiC Substrat 330um Dicke 4H-N Typ Produktionsgrad
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2 Zoll 3 Zoll 4 Zoll SiC Substrat 330um Dicke 4H-N Typ Produktionsgrad Beschreibung des Produkts: Das SiC-Substrat ist in verschiedenen Größen erhältlich, darunter 2 Zoll, 3 Zoll, 4 Zoll, 6 Zoll und 8 Zoll. ... Lesen Sie weiter

2024-05-29 11:51:08

Silikonkarbid (SiC) -Substrat für hochwertige industrielle Anwendungen
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Silikonkarbid (SiC) -Substrat für hochwertige industrielle Anwendungen Beschreibung des Produkts: Dieses Produkt ist dopantenfrei und eignet sich daher für eine Vielzahl von Anwendungen.Wir bieten maßgeschneide... Lesen Sie weiter

2024-05-22 13:44:43

CVD SiC Epitaxy Wafer 2 Zoll 3 Zoll 4 Zoll 6 Zoll Epitaxy Dicke 2,5-120 um für elektronische Energie
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CVD SiC Epitaxy Wafer 2 Zoll 3 Zoll 4 Zoll 6 Zoll Epitaxy Dicke 2,5-120 um für elektronische Energie Produktbeschreibung SiC-Epitaxy-Wafer: Dies sind einkristalline Siliziumkarbid-Wafer mit epitaxialen ... Lesen Sie weiter

2024-05-07 18:17:32

3' 4' 350um 500um SSP DSP 4H- 6H- Forschung Dummy Grade SIC Epitaxial Substrate
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3' 4' 350um 500um SSP DSP 4H- 6H- Forschung Dummy Grade SIC Epitaxial Substrate Eigenschaften von SIC-Wafern: Bei der Steuerung und Schaltung von Hochleistungsgeräten werden Halbleiter aus Siliziumkarbid ... Lesen Sie weiter

2024-04-11 14:45:20

6" hochreines Silizium 4H-Semi-SIC Halbleiterwafer von Dummy-Klasse LED 5G-D-Klasse
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6 High Purity Silicon 4H-Semi SIC Dummy Grade Halbleiter Wafer 5G LED Beschreibung: Halbisolierende 4H-SiC4H-SIC) ist eine spezielle Art von Siliziumkarbidmaterial.In der Kristallstruktur weist 4H-HalbleitersIC ... Lesen Sie weiter

2023-11-27 09:48:33

4" 4H-Semi-Hochreine SIC-Wafer Halbleiter EPI-Substrate
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4H-Semi-Hochreine SIC-Wafer Halbleiter EPI-Substrate Beschreibung der HP 4H-Semi-SIC: 1Die hochreinen, halbisolierenden 4H-SiC (Siliziumkarbid) -Wafer sind sehr ideale Halbleitermaterialien. 2Halbisolierte 4H... Lesen Sie weiter

2023-11-27 09:47:06

Kundengebundene Größe 5x5mm 0.5x0.5mm 4H-N bricht SIC Platten ab
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Produkt-Beschreibung: Aus der Perspektive der Terminalanwendungsschicht haben Silikonkarbidmaterialien eine breite Palette von Anwendungen in der Hochgeschwindigkeitsschiene, Kfz-Elektronik, intelligente Gitter... Lesen Sie weiter

2023-08-24 22:50:31

Sic Substrat MIT 9,7 Wärmeleitfähigkeit der Dielektrizitätskonstante-4,9 W/mK
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Produkt-Beschreibung: Silikonkarbidmaterialien haben eine breite Palette von Anwendungen auf den verschiedenen High-Techen Gebieten wie Hochgeschwindigkeitsschiene, Kfz-Elektronik, intelligenten Gitter, photo... Lesen Sie weiter

2023-08-24 22:49:43

Widerstandskraft >1E7ohm.cm sic Substrat durch customzied Form
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2023-08-24 22:49:05

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