Silikon-Nitrid-sic Substrat-Attrappe ordnen das 4 Zoll-4H-N sic Substrat für Geräte der hohen Leistung

4H-N 4H-SEMI 2 Zoll 3 Zoll 4 Zoll 6 Zoll SiC-Substrat Produktionsklasse Dummy-Klasse für Hochleistungsgeräte

H hochreine Siliziumkarbid Substrate, hochreine 4 Zoll SiC Substrate, 4 Zoll Siliziumkarbid Substrate für Halbleiter, Siliziumkarbid Substrate für Halbleiter,Sich Ingots für Edelsteine

Anwendungsbereiche

1 Hochfrequenz- und Hochleistungsgeräte Schottky-Dioden, JFET, BJT, PiN, Dioden, IGBT, MOSFET

2 optoelektronische Geräte: hauptsächlich in GaN/SiC-blauen LED-Substratmaterialien (GaN/SiC) verwendet

Vorteil

• Niedrige Gitterunterschiede
• Hohe Wärmeleitfähigkeit
• Niedriger Stromverbrauch
• Ausgezeichnete Übergangsmerkmale
• Hohe Bandlücke

SiC-Kristallsubstrat aus Siliziumcarbide

4H-N- und 4H-SEMI-SiC-Substrate (Siliciumkarbid), erhältlich in einer Reihe von Durchmessern wie 2 Zoll, 3 Zoll, 4 Zoll und 6 Zoll,sind aufgrund ihrer überlegenen Materialeigenschaften für die Herstellung von Hochleistungsgeräten weit verbreitetHier sind die wichtigsten Eigenschaften dieser SiC-Substrate, die sie ideal für Hochleistungsanwendungen machen:

1. Weite Bandbreite: 4H-SiC hat eine breite Bandbreite von etwa 3,26 eV, wodurch es bei höheren Temperaturen, Spannungen und Frequenzen im Vergleich zu herkömmlichen Halbleitermaterialien wie Silizium effizient funktionieren kann.

2. Elektrofeld mit hoher Auflösung: Das hochauflösende elektrische Feld von SiC (bis zu 2,8 MV/cm) ermöglicht es Geräten, höhere Spannungen ohne Ausfall zu bewältigen, was es für Leistungselektronik wie MOSFETs und IGBTs unerlässlich macht.

3. Ausgezeichnete Wärmeleitfähigkeit: SiC hat eine Wärmeleitfähigkeit von etwa 3,7 W/cm·K, deutlich höher als Silizium, wodurch es Wärme effektiver abführen kann. Dies ist für Geräte in Hochtemperaturumgebungen entscheidend.

4. Hohe Sättigungs-Elektronengeschwindigkeit: SiC bietet eine hohe Elektronensättigungsgeschwindigkeit und verbessert die Leistung von Hochfrequenzgeräten, die in Anwendungen wie Radarsystemen und 5G-Kommunikation verwendet werden.

5. Mechanische Festigkeit und Härte: Die Härte und Robustheit von SiC-Substraten sorgen für eine langfristige Haltbarkeit, auch unter extremen Betriebsbedingungen, was sie für Geräte der industriellen Grade hervorragend geeignet macht.

6. Niedrige Defektdichte: SiC-Substrate in Seriengruppen sind durch eine geringe Defektdichte gekennzeichnet, die eine optimale Leistung des Geräts gewährleistet, während Substrate in Seriengruppen eine höhere Defektdichte aufweisen können,mit einer Breite von mehr als 10 mm,.

Diese Eigenschaften machen 4H-N- und 4H-SEMI-SiC-Substrate für die Entwicklung leistungsstarker Leistungseinrichtungen, die in Elektrofahrzeugen, erneuerbaren Energiesystemen,Luft- und Raumfahrtanwendungen.

Eigenschaften des Materials aus Siliziumkarbid

2. Substrate Größe für 6 Zoll

Lieferprobe

Die anderen Dienstleistungen, die wir anbieten können

1.Gebrauchte Dicke Drahtgeschnitten 2.Gebrauchte Größe Splitter 3.Gebrauchte Formlinse