4H-N 4H-SEMI 2 Zoll 3 Zoll 4 Zoll 6 Zoll SiC-Substrat Produktionsklasse Dummy-Klasse für Hochleistungsgeräte
H hochreine Siliziumkarbid Substrate, hochreine 4 Zoll SiC Substrate, 4 Zoll Siliziumkarbid Substrate für Halbleiter, Siliziumkarbid Substrate für Halbleiter,Sich Ingots für Edelsteine
Anwendungsbereiche
1 Hochfrequenz- und Hochleistungsgeräte Schottky-Dioden, JFET, BJT, PiN, Dioden, IGBT, MOSFET
2 optoelektronische Geräte: hauptsächlich in GaN/SiC-blauen LED-Substratmaterialien (GaN/SiC) verwendet
Vorteil
• Niedrige Gitterunterschiede
• Hohe Wärmeleitfähigkeit
• Niedriger Stromverbrauch
• Ausgezeichnete Übergangsmerkmale
• Hohe Bandlücke
SiC-Kristallsubstrat aus Siliziumcarbide
4H-N- und 4H-SEMI-SiC-Substrate (Siliciumkarbid), erhältlich in einer Reihe von Durchmessern wie 2 Zoll, 3 Zoll, 4 Zoll und 6 Zoll,sind aufgrund ihrer überlegenen Materialeigenschaften für die Herstellung von Hochleistungsgeräten weit verbreitetHier sind die wichtigsten Eigenschaften dieser SiC-Substrate, die sie ideal für Hochleistungsanwendungen machen:
-
Weite Bandbreite: 4H-SiC hat eine breite Bandbreite von etwa 3,26 eV, wodurch es bei höheren Temperaturen, Spannungen und Frequenzen im Vergleich zu herkömmlichen Halbleitermaterialien wie Silizium effizient funktionieren kann.
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Elektrofeld mit hoher Auflösung: Das hochauflösende elektrische Feld von SiC (bis zu 2,8 MV/cm) ermöglicht es Geräten, höhere Spannungen ohne Ausfall zu bewältigen, was es für Leistungselektronik wie MOSFETs und IGBTs unerlässlich macht.
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Ausgezeichnete Wärmeleitfähigkeit: SiC hat eine Wärmeleitfähigkeit von etwa 3,7 W/cm·K, deutlich höher als Silizium, wodurch es Wärme effektiver abführen kann. Dies ist für Geräte in Hochtemperaturumgebungen entscheidend.
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Hohe Sättigungs-Elektronengeschwindigkeit: SiC bietet eine hohe Elektronensättigungsgeschwindigkeit und verbessert die Leistung von Hochfrequenzgeräten, die in Anwendungen wie Radarsystemen und 5G-Kommunikation verwendet werden.
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Mechanische Festigkeit und Härte: Die Härte und Robustheit von SiC-Substraten sorgen für eine langfristige Haltbarkeit, auch unter extremen Betriebsbedingungen, was sie für Geräte der industriellen Grade hervorragend geeignet macht.
-
Niedrige Defektdichte: SiC-Substrate in Seriengruppen sind durch eine geringe Defektdichte gekennzeichnet, die eine optimale Leistung des Geräts gewährleistet, während Substrate in Seriengruppen eine höhere Defektdichte aufweisen können,mit einer Breite von mehr als 10 mm,.
Diese Eigenschaften machen 4H-N- und 4H-SEMI-SiC-Substrate für die Entwicklung leistungsstarker Leistungseinrichtungen, die in Elektrofahrzeugen, erneuerbaren Energiesystemen,Luft- und Raumfahrtanwendungen.
Eigenschaften des Materials aus Siliziumkarbid
| Eigentum |
4H-SiC, Einzelkristall |
6H-SiC, Einzelkristall |
| Gitterparameter |
a=3,076 Å c=10,053 Å |
a=3,073 Å c=15,117 Å |
| Abfolge der Stapelung |
ABCB |
ABCACB |
| Mohs-Härte |
- 9 Jahre.2 |
- 9 Jahre.2 |
| Dichte |
3.21 g/cm3 |
3.21 g/cm3 |
| Therm. Expansionskoeffizient |
4 bis 5 × 10 bis 6/K |
4 bis 5 × 10 bis 6/K |
| Brechungsindex @750 nm |
nicht = 2.61
Ne = 2.66
|
nicht = 2.60
Ne = 2.65
|
| Dielektrische Konstante |
c~9.66 |
c~9.66 |
| Wärmeleitfähigkeit (N-Typ, 0,02 Ohm.cm) |
a ~ 4,2 W/cm·K@298K
c~3,7 W/cm·K@298K
|
|
| Wärmeleitfähigkeit (Halbisolierung) |
a~4,9 W/cm·K@298K
c~3,9 W/cm·K@298K
|
a~4,6 W/cm·K@298K
c~3,2 W/cm·K@298K
|
| Band-Gap |
3.23 eV |
30,02 eV |
| Ein elektrisches Feld, das abbrechen kann |
3 bis 5 × 106 V/cm |
3 bis 5 × 106 V/cm |
| Geschwindigkeit der Sättigungsdrift |
2.0×105m/s |
2.0×105m/s |
2. Substrate Größe für 6 Zoll
| 6 Zoll Durchmesser 4H-N & Halbsilikonkarbid Substrat Spezifikationen |
| Substrat-Eigenschaft |
Nullgrad |
Produktionsgrad |
Forschungsgrad |
Schwachstelle |
| Durchmesser |
150 mm-0,05 mm |
| Oberflächenorientierung |
Außerhalb der Achse: 4° nach unten <11-20> ± 0,5° für 4H-N
Auf der Achse: <0001>±0,5° für 4H-SI
|
| Primäre flache Orientierung |
{10-10} ±5,0° für 4H-N/ Kerbe für 4H-Semi
|
| Primärflächige Länge |
47.5 mm ± 2,5 mm |
| Dicke 4H-N |
STD 350 ± 25 mm oder maßgeschneidert 500 ± 25 mm |
| Dicke 4H-SEMI |
500 ± 25 mm STI |
| Waferrand |
Schaum |
| Mikropipendichte für 4H-N |
< 0,5 Mikroreifen/cm2 |
≤2 Mikropiote/cm2 |
≤ 10 Mikrörchen/cm2 |
≤ 15 Mikroreifen/cm2
|
| Mikropipendichte für 4H-SEMI |
< 1 Mikroreifen/cm2 |
≤ 5 Mikropiote/cm2 |
≤ 10 Mikrörchen/cm2 |
≤ 20 Mikroreifen/cm2 |
| Polytypbereiche nach Lichtstärke |
Nicht zulässig |
≤ 10% Fläche |
| Resistenz für 4H-N |
0.015 Ω·cm~0.028 Ω·cm |
(Fläche 75%) 0,015Ω·cm~0,028Ω·cm |
| Widerstand für 4H-SEMI |
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| LTV/TTV/BOW/WARP |
≤3Bei der Verwendung von6Bei der Verwendung von30Bei der Verwendung von Zellstoff0μm
|
≤5Bei der Verwendung von Folien ist die Menge der Folien zu messen.60μm
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Hex-Platten mit hoher Lichtintensität
|
Kumulative Fläche ≤ 0,05%
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Silicon OberflächeVerunreinigung durch Licht mit hoher Lichtstärke
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Sichtbare Kohlenstoffinklusionen
|
Kumulative Fläche ≤ 0,05% |
|
Polytypische Bereiche durch Licht mit hoher Intensität
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Nicht verfügbar |
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