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Undoped transparente Silikonkarbid sic optische Kristalllinse mit Härte 9,2

SIC Crystal Silicon Carbide Wafer

BLINDE Hauptgrad 6inch Silikonkarbid sic Stärkesubstrate Oblaten-0.5mm 0.35mm DSP 4H-N/semi

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4H-N Typ SiC Substrat 10x10mm Wafer für Leistungselektronik

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8-Zoll SiC Epitaxiesubstrat MOS-Güte Prime Grade 4H-N Typ Großer Durchmesser

8-Zoll SiC Epitaxie-Wafer Durchmesser 200mm Dicke 500µm 4H-N Typ

2 Zoll 3 Zoll 4 Zoll 6 Zoll SiC Epitaxie-Wafer 4H-N Produktionsqualität

6 Zoll SiC Epitaxial Wafer Durchmesser 150mm 4H-N Typ 4H-P Typ Für 5G Kommunikation

Sic Substrat

(132)

6 Zoll Silikonkarbid Halbisolierendes SiC-Verbundsubstrat P-Typ N-Typ Einzelpolnisch Doppelpolnisch Produktionsgrad
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Beschreibung des Produkts: 6 Zoll Silikonkarbid Halbisolierendes SiC-Verbundsubstrat P-Typ N-Typ Einzelpolnisch Doppelpolnisch Produktionsgrad Semi-Isolierende Siliziumcarbid (SiC) -Verbundsubstratwafer sind ... Lesen Sie weiter

2024-10-11 10:33:11

55mm/1010mm Siliziumkarbid Wafer Dicke 350μm Sic 3C-N Typ Hohe mechanische Festigkeit Produktionsgrad
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Beschreibung des Produkts: 5*5mm/10*10mm Siliziumkarbid Wafer Dicke 350μm Sic 3C-N Typ Hohe mechanische Festigkeit Produktionsgrad 3C-SiC (Cubic Silicon Carbide) ist ein breites Halbleitermaterial mit guten ... Lesen Sie weiter

2024-10-11 10:33:11

Silikonkarbid Wafer 6 Zoll Sic Einzelkristall 150 mm Durchmesser 3C-N Typ Anzug für Kommunikationsradarsysteme
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Beschreibung des Produkts: Silikonkarbid Wafer 6 Zoll Sic Einzelkristall 150 mm Durchmesser 3C-N Typ Anzug für Kommunikationsradarsysteme 3C-SiC (Cubic Silicon Carbide) ist ein breites Halbleitermaterial mit ... Lesen Sie weiter

2024-10-11 10:33:11

Siliziumkarbid Substrat 4' Sic 3C-N Durchmesser 100 mm Leitfähiges Typ Null MPD
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Beschreibung des Produkts: Silikonkarbid Substrat 4" Sic 3C-N Durchmesser 100 mm Leitfähige Typ Null MPD Produktionsgrad 3C-SiC (Cubic Silicon Carbide) ist ein breites Halbleitermaterial mit guten elektrischen ... Lesen Sie weiter

2024-10-11 10:33:11

4 Zoll Sic Siliziumkarbid Wafer 6H-P Typ Dicke 350μm Null / Prime Grade Dummy Grade
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Beschreibung des Produkts: 4 Zoll Sic Siliziumkarbid Wafer 6H-P Typ Dicke 350μm Null-Grad Prime-Grad Dummy-Grad 6H-SiC (Hexagonal Silicon Carbide) ist ein breites Halbleitermaterial mit guter Wärmeleitfähigkeit ... Lesen Sie weiter

2024-09-29 11:29:00

Silikonkarbid Wafer 6H P-Typ und 4H P-Typ Null MPD Produktion Dummy Grade Dia 4 Zoll 6 Zoll
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Silikonkarbid Wafer 6H P-Typ & 4H P-Typ Null MPD Produktion Dummy Qualität Dia 4 Zoll 6 Zoll Silicon Carbide Wafer 6H P-Type & 4H P-Type Abstrakt Diese Studie untersucht die Eigenschaften und Anwendungen von ... Lesen Sie weiter

2024-09-24 17:30:38

Silikonkarbid Wafer 4H P-Typ Null MPD Produktionsgrad Dummy Grade 4 Zoll 6 Zoll
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Silikonkarbid Wafer 4H P-Typ Null MPD Produktionsgrad Dummy-Qualität 4 Zoll 6 Zoll Silikonkarbid Wafer 4H P-Type Diese Studie stellt die Eigenschaften und möglichen Anwendungsmöglichkeiten einer 4H P-Type ... Lesen Sie weiter

2024-09-24 17:30:38

Silikonkarbidwafer 6H P-Typ Standard-Produktionsgrad Dia:145.5 mm bis 150,0 mm Dicke 350 μm ± 25 μm
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Silikonkarbidwafer 6H P-Typ Standard-Produktionsgrad Dia:145.5 mm bis 150,0 mm Dicke 350 μm ± 25 μm 6H-P-Type-Siliziumkarbid-Wafer In diesem Papier werden die Entwicklung und Eigenschaften einer 6H-Karbid-Wafer ... Lesen Sie weiter

2024-09-24 17:30:38

Silikonkarbid SIC Wafer 10*10 mm 6H-P Dicke 350μm Für Hochleistungsgeräte
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Beschreibung des Produkts: Silikonkarbid SIC Wafer 10*10 mm 6H-P Dicke 350μm Für Hochleistungsgeräte 6H-SiC (Hexagonal Silicon Carbide) ist ein breites Halbleitermaterial mit guter Wärmeleitfähigkeit und hoher ... Lesen Sie weiter

2024-09-24 17:30:38

Sic Siliziumkarbid Substrat 5.0*5.0mm Quadrat 6H-P Typ Dicke 350μm Nullgrad Dummy Grad
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Beschreibung des Produkts: Sic Siliziumkarbid Substrat 5.0*5.0mm Quadrat 6H-P Typ Dicke 350μm Nullgrad Dummy Grad 6H-SiC (Hexagonal Silicon Carbide) ist ein breites Halbleitermaterial mit guter Wärmeleitf... Lesen Sie weiter

2024-09-24 17:30:38

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