4 Zoll 6 Zoll 8 Zoll SICOI Wafer 4H-SiC auf Isolator 100 bis 150 mm SiC-Film AUF Silizium

4 Zoll 6 Zoll 8 Zoll SICOI Wafer 4H-SiC auf Isolator 100 bis 150 mm SiC-Film AUF Silizium

SICOI (Siliziumkarbid auf Isolator) Wafer stellen ein Hochleistungs-Halbleitersubstratmaterial dar, das die außergewöhnlichen physikalischen Eigenschaften von Siliziumkarbid (SiC) mit den elektrischen Isolationseigenschaften einer Isolierschicht (wie z. B. SiO₂ oder Si₃N₄) kombiniert. Die SICOI-Struktur besteht typischerweise aus einer SiC-Einkristallschicht, einer Isolierschicht und einem Trägersubstrat (z. B. Si oder SiC). Diese Konfiguration findet umfangreiche Anwendungen in Hochleistungs-, Hochfrequenz- und Hochtemperatur-Elektronikgeräten sowie in den Bereichen HF (Radiofrequenz) und MEMS-Sensoren.

Im Vergleich zu herkömmlichen SiC-Wafern reduzieren SICOI-Wafer durch die Integration einer Isolierschicht die parasitäre Kapazität und den Leckstrom erheblich, wodurch die Betriebsfrequenz und die Energieeffizienz der Geräte verbessert werden. Diese Technologie eignet sich besonders für Anwendungen, die eine hohe Spannungsfestigkeit, geringe Verluste und eine hervorragende thermische Leistung erfordern, wie z. B. Elektrofahrzeuge, 5G-Kommunikation und Luft- und Raumfahrtelektronik.

SICOI Wafer Hauptmerkmale

SICOI Wafer Hauptanwendungen

 

Das Herstellungsverfahren von 4H-SiCOI

 

Das Herstellungsverfahren von 4H-SiCOI und die Mikroresonatoren mit hervorgehobenen Merkmalen.

 

• a Herstellungsverfahren der ursprünglichen 4H-SiCOI-Materialplattform.
• b Foto eines 4-Zoll-Wafer-großen 4H-SiCOI-Substrats, das mit der Bond- und Ausdünnungsmethode hergestellt wurde, der Fehlerbereich ist markiert.
• c Gesamtdickenvariation des 4H-SiCOI-Substrats.
• d Bild eines 4H-SiCOI-Dies.
• e Flussdiagramm zur Herstellung eines SiC-Mikrodisk-Resonators.
• f Rasterelektronenmikroskopie (REM) des hergestellten Mikrodisk-Resonators.
• g Vergrößerte REM-Aufnahme der Seitenwand des Resonators. Inset, die Rasterkraftmikroskopie (AFM)-Aufnahme der oberen Oberfläche des Resonators (Maßstab = 1 μm).
• h Seitenansicht-REM-Aufnahme des hergestellten Resonators mit parabelförmiger oberer Oberfläche.

 

 

 

 

 

---

 

SICOI Wafer Fragen und Antworten​

1. F: Was ist ein SICOI-Wafer?
    A: Ein SICOI (Siliziumkarbid auf Isolator) Wafer ist ein fortschrittliches Halbleitersubstrat, das die Hochleistungseigenschaften von SiC mit einer Isolierschicht für eine verbesserte elektrische Isolation in Leistungs- und HF-Geräten kombiniert.

2. F: Was sind die Vorteile von SICOI-Wafern?
    A: SICOI-Wafer bieten im Vergleich zu Standard-SiC-Wafern eine geringere parasitäre Kapazität, eine höhere Durchbruchspannung und ein besseres Wärmemanagement, ideal für 5G- und EV-Anwendungen.

Tag: #4Zoll 6Zoll 8Zoll, #Kundenspezifisch, #4H-SiCOI Wafer, #Verbund-SiC-auf-Isolator-Substrate, #SiC, #SiO2, #Si, #SICOI Wafer 4H-SiC auf Isolator, #100 bis 150 mm, #SiC-Film AUF Silizium, #CBesteht aus einigen Mikrometern SiC auf einigen Mikrometern SiO2 auf Si.