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4 Zoll 6 Zoll 8 Zoll SICOI Wafer 4H-SiC auf Isolator 100 bis 150 mm SiC-Film AUF Silizium

Name: 4 Zoll 6 Zoll 8 Zoll SICOI Wafer 4H-SiC auf Isolator 100 bis 150 mm SiC-Film AUF Silizium
Brand: SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
SKU: SICOI Wafers
Price: 315.00 USD
Availability: InStock

Markenbezeichnung:	ZMSH
Modellnummer:	SICOI Wafers
MOQ:	25
Preis:	by case
Lieferzeit:	2-4weeks
Zahlungsbedingungen:	T/T

Einzelheiten

Produkt-Beschreibung

Einzelheiten

Place of Origin:

CHINA

Zertifizierung:

rohs

Größe:

4inch/6 Zoll/8 Zoll

Oberflächenrauheit:

Ra <0,5 nm

Bruchzähigkeit:

3,5 MPa · m¹/²

CTE (4H-SIC):

4,2 × 10⁻⁶/k

Widerstand (SI):

> 1 × 10⁶ ω · cm

Anwendungen:

Hochleistungselektronik, RF-Geräte

Packaging Details:

package in 100-grade cleaning room

Hervorheben:

4H-SiC Wafer auf Isolator

SICOI Wafer 100-150mm

SiC-Film AUF Silizium Substrat

Produkt-Beschreibung

SICOI-Waferübersicht

4 Zoll 6 Zoll 8 Zoll SICOI Wafer 4H-SiC auf Isolator 100 bis 150 mm sic Film ON Silizium

SICOI (Silicon Carbide on Insulator) wafers represent a high-performance semiconductor substrate material that combines the exceptional physical properties of silicon carbide (SiC) with the electrical isolation advantages of an insulating layer (such as SiO₂ or Si₃N₄)Die SICOI-Struktur besteht typischerweise aus einer SiC-Einkristallschicht, einer Isolationsschicht und einem Trägersubstrat (z. B. Si oder SiC).Diese Konfiguration findet große Anwendungen in Hochleistungs-, Hochfrequenz- und Hochtemperatur-elektronische Geräte sowie in RF- (Radiofrequenz-) und MEMS-Sensorenfeldern.

4 Zoll 6 Zoll 8 Zoll SICOI Wafer 4H-SiC auf Isolator 100 bis 150 mm SiC-Film AUF Silizium

Verglichen mit herkömmlichen SiC-Wafern reduzieren SICOI-Wafer durch die Einbindung einer Isolationsschicht die parasitäre Kapazität und den Leckstrom erheblich,Auf diese Weise wird die Betriebsfrequenz und Energieeffizienz der Geräte erhöht.Diese Technologie eignet sich besonders für Anwendungen, die einen hohen Spannungswiderstand, geringe Verluste und eine überlegene thermische Leistung erfordern, wie z. B. Elektrofahrzeuge, 5G-Kommunikation,und Luft- und Raumfahrttechnik.

4 Zoll 6 Zoll 8 Zoll SICOI Wafer 4H-SiC auf Isolator 100 bis 150 mm SiC-Film AUF Silizium

Wesentliche Merkmale der SICOI-Wafer

Eigenschaftsgruppe

Spezifische Parameter/Leistung

Technische Vorteile

Materialstruktur

SiC-Einkristallschicht (4H/6H-SiC) + Isolationsschicht (SiO2/Si3N4) + Trägersubstrat (Si/SiC)

Ermöglicht elektrische Isolierung und verringert parasitäre Wirkungen

Elektrische Leistung

Hohe Abbruchfeldstärke (> 3 MV/cm), geringer Dielektrverlust

Ideal für Hochfrequenz- und Hochspannungsgeräte

Wärmeeffizienz

Hohe Wärmeleitfähigkeit (4,9 W/cm·K), Hochtemperaturbeständigkeit (> 500°C)

Ausgezeichnete Wärmeablösung, geeignet für hochtemperaturen Umgebungen

Mechanische Leistung

Hohe Härte (Härte von Mohs 9,5), niedriger Wärmeausdehnungskoeffizient

Widerstand gegen mechanische Belastungen und erhöht die Zuverlässigkeit der Geräte

Oberflächenqualität

Atomisch flache Oberfläche (Ra < 0,2 nm)

Optimiert die Qualität des epitaxialen Wachstums und minimiert Defekte

Isolationsleistung

Hohe Dämmungsfestigkeit (> 1014 Ω·cm), geringer Leckstrom

Geeignet für Hochfrequenz- und Leistungseinrichtungen, die eine hohe Isolierung erfordern

Größe und Anpassung

Unterstützt 4/6/8-Zoll-Wafer mit anpassbarer Dicke (SiC-Schicht: 1-100 μm, Isolationsschicht: 0,1-10 μm)

Erfüllt verschiedene Anforderungen an die Anwendung

SICOI-Wafer Hauptanwendungen

Anwendungsbereich	Spezifische Szenarien	Hauptvorteile
Hochleistungselektronik	Elektrofahrzeugumrichter, Schnellladestationen, industrielle Energieanlagen	Hohe Spannungsbeständigkeit und geringer Verlust verbessern die Energieeffizienz
HF-Geräte	5G-Basisstations-Leistungsverstärker (PAs) für Millimeterwellen-HF-Frontends	Niedrige parasitäre Kapazität ermöglicht einen Hochfrequenzbetrieb mit minimalem Verlust
MEMS Sensoren	Hochtemperaturdrucksensoren, Trägheitsnavigationsgeräte	Widerstandsfähig gegen hohe Temperaturen und Strahlung, geeignet für raue Umgebungen
Luft- und Raumfahrt	Luftfahrzeugtriebwerke, Satellitenkommunikationsgeräte	Hohe Zuverlässigkeit und Temperaturbeständigkeit
Intelligentes Netz	Hochspannungsgleichstromübertragung, Festkörperbremser	Hohe Dämmungseigenschaften verringern Energieverluste
Optoelektronik	UV-LEDs, Laserdioden-Substrate	Eine hohe Gitter-Übereinstimmung verbessert die Leistung des Geräts

4 Zoll 6 Zoll 8 Zoll SICOI Wafer 4H-SiC auf Isolator 100 bis 150 mm SiC-Film AUF Silizium

Der Herstellungsprozess von 4H-SiCOI

Der Herstellungsprozess von 4H-SiCOI und der Mikroresonatoren mit hervorgehobenen Merkmalen.

ein Herstellungsprozess aus unberührter 4H-SiCOI-Materialplattform.
b Foto eines 4 Zoll großen 4H-SiCOI-Substrats im Wafermaßstab, hergestellt mit Bindungs- und Ausdünnungsverfahren, wobei die Fehlerregion gekennzeichnet ist.
c Gesamtdickenvariation des 4H-SiCOI-Substrats.
d Bild einer 4H-SiCOI-Die.
e Fließdiagramm für die Herstellung eines SiC-Mikrodiskresonators.
f Eine Scanning-Elektronenmikrographie (SEM) des gefertigten Mikrodiskresonators.
g Zoom-in-SEM-Bild der Seitenwand des Resonators. Einsatz, Atomkraftmikrographie (AFM) der oberen Oberfläche des Resonators (Skalaleiter = 1 μm).
h Seitenaufnahme SEM-Bild des hergestellten Resonators mit parabolförmiger Oberfläche.

4 Zoll 6 Zoll 8 Zoll SICOI Wafer 4H-SiC auf Isolator 100 bis 150 mm SiC-Film AUF Silizium

SICOI-WaffelnFragen und Antworten

1. F: Was ist SICOI Wafer?
A: SICOI (Silicon Carbide on Insulator) wafer is an advanced semiconductor substrate combining SiC's high-performance properties with an insulating layer for enhanced electrical isolation in power and RF devices.

2F: Welche Vorteile haben SICOI-Wafer?
A: SICOI-Wafer bieten eine geringere parasitäre Kapazität, eine höhere Abbruchspannung und ein besseres thermisches Management im Vergleich zu Standard-SiC-Wafern, ideal für 5G- und EV-Anwendungen.

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Umbauten:

Saphir-Oblate

Sic Substrat

Saphir optisches Windows

IC-Siliziumscheibe

Draht sah Maschine

Synthetischer Saphir Rod

Fixierter Quarz-Platte

Saphir-Teile

Synthetischer Edelstein

Halbleiter-Ausrüstung

Oblate LiNbO3

Indium-Phosphid-Oblate

keramisches Substrat

Laborverpackung

Gallium-Nitrid-Oblate

GaAs-Oblate

Saphir-Oblate

Sic Substrat

Saphir optisches Windows

IC-Siliziumscheibe

Draht sah Maschine

Synthetischer Saphir Rod

Fixierter Quarz-Platte

Saphir-Teile

Synthetischer Edelstein

Halbleiter-Ausrüstung

Oblate LiNbO3

Indium-Phosphid-Oblate

keramisches Substrat

Laborverpackung

Gallium-Nitrid-Oblate

GaAs-Oblate

Einzelheiten zu den Produkten

4 Zoll 6 Zoll 8 Zoll SICOI Wafer 4H-SiC auf Isolator 100 bis 150 mm SiC-Film AUF Silizium

4H-SiC Wafer auf Isolator

SICOI Wafer 100-150mm

SiC-Film AUF Silizium Substrat

4 Zoll 6 Zoll 8 Zoll SICOI Wafer 4H-SiC auf Isolator 100 bis 150 mm sic Film ON Silizium

Wesentliche Merkmale der SICOI-Wafer

SICOI-Wafer Hauptanwendungen

Der Herstellungsprozess von 4H-SiCOI

SICOI-WaffelnFragen und Antworten

sic Oblate

sic Substrat

Silikonkarbidsubstrat

Customized SiC Tray:CVD SiC SSiC Flat grooved High thermal conductivity Low coefficient of thermal expansion

Aluminiumoxid Keramik: Aluminiumoxid Weiß Elfenbein Präzisionsbearbeitung Kundenspezifische Anpassung unterstützt