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Guter Preis SiC-Samenwafer 8 Zoll Dicke 600±50um 4H-Typ Produktionsgrad für Silikonkarbid Kristallwachstum Online
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Halbisolierendes SiC auf Si-Verbundwafer 4H-SEMI-Substrat P-Typ N-Typ Dicke 500 mm

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