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eric_wang@zmsh-materials.com

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[semiconductor wafer ]

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567

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3 Zoll-Silikon-Karbid-Wafer, sic Substrat-ausgezeichnete vorübergehende Eigenschaften

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6-Zoll-Ultra-Hochspannungs-SiC-Epitaxialwafer 100 500 μm Für MOSFET-Geräte

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CVD SiC Epitaxy Wafer 2 Zoll 3 Zoll 4 Zoll 6 Zoll Epitaxy Dicke 2,5-120 um für elektronische Energie

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Halb- isolierendes Silikon-Karbid-Substrat, sic hoher Reinheitsgrad der Oblaten-4H

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6 Zoll Saphir Wafer DSP Durchmesser 150 mm Dicke 350 μm Für Stromelektronik

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JGS1 JGS2 Wafer Optische Quarzglasscheiben 2-12 Zoll

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2 Zoll SIC Siliziumkarbid Wafer 4H-N Typ für MOS-Gerät Dia 0.4mm

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