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Mr. Wang

eric_wang@zmsh-materials.com

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[semiconductor wafer ]

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567

PRODUKTE

4H-P Siliziumkarbid SiC Substrat 4 Zoll SIC Wafer 6H-P Für III-V Nitride Ablagerung

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6H-P Siliziumkarbid SiC Substrat 6 Zoll SIC Wafer 4H-P für optoelektronische Geräte

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SiC-Substrat mit einer Dicke von 4H-N 350um, verwendet in der Optoelektronik als Halbleitermaterial

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2/4/6/8 Zoll Sic Siliziumkarbid Substrat 4H 6H 3C Typ Unterstützung Anpassen Halbleiterindustrie Mehrere Größen

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Rechteck-Form-Silikon-fixierter Quarz-Platten-doppelte Seite polierte Grad DSP GS1 GS2 GS3

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Zweiseitige Präzisionsschleifmaschine für Metalle/Nichtmetalle/Keramik/Kunststoffe

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8 Zoll Al2O3 Saphir Optische Fenster DSP Dicke 0,5 mm Orientierung C-Achse

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10 Millimeter X 10 6H Halb-isolierender Millimeter Art-sic Substrat-Forschungs-Grad sic Crystal Substrate

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3' 4' 350um 500um SSP DSP 4H- 6H- Forschung Dummy Grade SIC Epitaxial Substrate

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Kristallabdeckungs-Glas-Doppelt-Seite polierte kundengebundene Form des saphir-Al2O3

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6-Zoll hitzebeständiges, transparentes einkristallines Quarzglassubstrat für SAW-Bauelemente

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Silikon-Nitrid-sic Substrat-Attrappe ordnen das 4 Zoll-4H-N sic Substrat für Geräte der hohen Leistung

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8-Zoll SiC Epitaxiesubstrat MOS-Güte Prime Grade 4H-N Typ Großer Durchmesser

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Chemiefasergewebe-fixierter Quarz-Platte des Grad-GS1, Quarz-optische Fenster 2.2g/cm ³ Dichte

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Eingehüllte kundenspezifische Saphir-Oberflächenteile, synthetischer Poliersaphir Rod

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Durchmesser 150 Millimeter des Saphir-Windows/Saphir-Kristallglas-extremer Oberflächenhärte

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2 Zoll 4H-P SIC Siliziumkarbid Wafer für Photovoltaik Dicke 350 μm Durchmesser 50,8 mm Nullgrad

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4-Zoll-Siliziumkarbid-Sic-Wafer 4H-P-Typ Durchmesser 100 mm Dicke 350 μm

Erhalten Sie besten Preis

Silikonkarbid Wafer 6 Zoll Sic Einzelkristall 150 mm Durchmesser 3C-N Typ Anzug für Kommunikationsradarsysteme

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55mm/1010mm Siliziumkarbid Wafer Dicke 350μm Sic 3C-N Typ Hohe mechanische Festigkeit Produktionsgrad

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Laalo3 Substrat, Galliumarsenid-Oblaten-Lanthan-Aluminats-Kristall-Substrat

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GaN-Oblate Gallium-Nitrid-Oblate Leistungsfähigkeit der hohen Leistung für Energiesparende Beleuchtung

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Undoped halb- isolierende Gallium-Nitrid-Oblate HVPE und Schablonen-Art

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HVPE-Gallium-Nitrid GaN-Oblate, Gan-Chip-freie Stellung 10 x 10 Millimeter-Größe

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Saphir-Wafer Dicke 0,43 mm Saphir-Komponenten individuell angepasst Größe und Ausrichtung

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GaSb

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Custom 4-Inch (100mm) Silicon Wafers: 350μm Thickness, <100> Orientation, DSP/SSP, N-Type/P-Type Doping

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Kundengebundene Größen-Silikon-Karbid-Substrat-Härte 9,4 sic Teile für Ausrüstung

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