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Mr. Wang

eric_wang@zmsh-materials.com

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[semiconductor wafer ]

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537

PRODUKTE

2/4/6/8 Zoll Sic Siliziumkarbid Substrat 4H 6H 3C Typ Unterstützung Anpassen Halbleiterindustrie Mehrere Größen

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Rechteck-Form-Silikon-fixierter Quarz-Platten-doppelte Seite polierte Grad DSP GS1 GS2 GS3

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Zweiseitige Präzisionsschleifmaschine für Metalle/Nichtmetalle/Keramik/Kunststoffe

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8 Zoll Al2O3 Saphir Optische Fenster DSP Dicke 0,5 mm Orientierung C-Achse

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10 Millimeter X 10 6H Halb-isolierender Millimeter Art-sic Substrat-Forschungs-Grad sic Crystal Substrate

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3' 4' 350um 500um SSP DSP 4H- 6H- Forschung Dummy Grade SIC Epitaxial Substrate

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Kristallabdeckungs-Glas-Doppelt-Seite polierte kundengebundene Form des saphir-Al2O3

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6-Zoll hitzebeständiges, transparentes einkristallines Quarzglassubstrat für SAW-Bauelemente

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Silikon-Nitrid-sic Substrat-Attrappe ordnen das 4 Zoll-4H-N sic Substrat für Geräte der hohen Leistung

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8-Zoll SiC Epitaxiesubstrat MOS-Güte Prime Grade 4H-N Typ Großer Durchmesser

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Chemiefasergewebe-fixierter Quarz-Platte des Grad-GS1, Quarz-optische Fenster 2.2g/cm ³ Dichte

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Eingehüllte kundenspezifische Saphir-Oberflächenteile, synthetischer Poliersaphir Rod

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Durchmesser 150 Millimeter des Saphir-Windows/Saphir-Kristallglas-extremer Oberflächenhärte

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3inch 4inch 6Inch 900 Common Dünnfilms Y-42° Nanometer LT LN

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Tragbare synthetische karminrote kundenspezifische Form-rote Titansaphir-Laser-Kristalle

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Materielle karminrote Ball-Linse des einzelnen Kristall-Al2O3 für das Abnutzungs-widerstehende Tragen

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Silikonkarbid Wafer 6 Zoll Sic Einzelkristall 150 mm Durchmesser 3C-N Typ Anzug für Kommunikationsradarsysteme

Erhalten Sie besten Preis

55mm/1010mm Siliziumkarbid Wafer Dicke 350μm Sic 3C-N Typ Hohe mechanische Festigkeit Produktionsgrad

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Laalo3 Substrat, Galliumarsenid-Oblaten-Lanthan-Aluminats-Kristall-Substrat

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8Inch Wafer Transport Cassette Box 200mm Corrosion-Resistant High-Temperature Rated

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6Inch Vertical Wafer Cassette Box Wafer Transport Container

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HVPE-Gallium-Nitrid GaN-Oblate, Gan-Chip-freie Stellung 10 x 10 Millimeter-Größe

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GaN-Oblate Gallium-Nitrid-Oblate Leistungsfähigkeit der hohen Leistung für Energiesparende Beleuchtung

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Undoped halb- isolierende Gallium-Nitrid-Oblate HVPE und Schablonen-Art

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Saphir-Wafer Dicke 0,43 mm Saphir-Komponenten individuell angepasst Größe und Ausrichtung

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GaSb

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Kundengebundene Größen-Silikon-Karbid-Substrat-Härte 9,4 sic Teile für Ausrüstung

Erhalten Sie besten Preis

12 Zoll Durchmesser 300 mm SIC Substrat Epitaxial Polierte Wafer Siliziumkarbid Ingot Prime Grade 4H-N Typ Leitung Solar Photovoltaik

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