Produkt-Details
Herkunftsort: China
Markenname: zmkj
Modellnummer: Samenstange
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Min Bestellmenge: 10pcs
Preis: by case
Verpackung Informationen: HAUSTIER Filme
Lieferzeit: 20 Tage
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: Durchkontaktierung
Werkstoffe: |
99,999% Al2O3 |
Anwendung: |
semicondutor Oblate, geführter Chip, optisches Glasfenster, elektronische Keramik, tragend |
advantagement: |
hohes hardness9.0, Verschleißfestigkeit, |
Helle transmittanceVisible helle Beförderung VisVisible: |
85% |
Farbe: |
Rot und Weiß |
Typ: |
Einzelner Kristall |
Shape: |
Stange und Quadratstange |
Oberfläche: |
eingehüllt |
Werkstoffe: |
99,999% Al2O3 |
Anwendung: |
semicondutor Oblate, geführter Chip, optisches Glasfenster, elektronische Keramik, tragend |
advantagement: |
hohes hardness9.0, Verschleißfestigkeit, |
Helle transmittanceVisible helle Beförderung VisVisible: |
85% |
Farbe: |
Rot und Weiß |
Typ: |
Einzelner Kristall |
Shape: |
Stange und Quadratstange |
Oberfläche: |
eingehüllt |
Saphirsamenstange für das Kristallziehen des Saphirs, Al2O3 einzelnes Kristallglas, Barren des optischen Glases des Saphirs, 20x20mm fertigte optische Stangen des Saphirs, optischen Stock des Saphirs, einzelne Linse des Kristallglases Al2O3, Barren des optischen Glases durch Saphir, optische Stangen des Poliersaphirs besonders an
Allgemeine Spezifikation für Saphir-Samen Rod
Durchmesser 0.2-300mm oder Kundenbezogenheit (20x20mm, 10x10mml, dia20mm)
Durchmessertoleranz +/-0.1mm zu +/-0.01mm
Stärke 0.10-100mm (150mm)
Dickentoleranz ± 0.1mm oder +/-0.01mm
Oberflächenbeschaffenheit (Kratzer u. Grabung) 60/40, 40/20 oder better20/10
Oberflächengenauigkeit λ/10, λ/2, λ
Klare Öffnung >85%, >90%
Parallelismus +/--3 ', +/--30“
Abgeschrägter Grad 0.1~0.3mm×45
woher ist Saphir?
Synthetischer Saphir ist eine einzelne Kristallform des Korunds, Al2O3, aliasAlphatonerde, Tonerde,
und einzelner Kristall Al2O3. SaphiristAluminiumoxidin derreinstenFormohnediePorositätoderKristallgrenzenundmachtsietheoretischdicht. DieKombinationvonvorteilhaftenelektrischer, mechanischer, optischer, Oberflächen-, thermischerundderHaltbarkeitEigenschaftenderChemikalie, machenSaphireinbevorzugtesMaterialfürHochleistungssystem-und-komponentenentwürfe. FürverschiedeneHalbleiteranwendungenistSaphirdiebesteWahlim Vergleich zuanderensynthetischenEinzelkristallen.
Haupteigenschaften des Saphirs:
| Chemische Formel | Al2O3 |
| Kristallklasse | Sechseckiges System, rhomboidal Klasse 3m |
| Gitterkonstante, A | a=4.785, c=12.991 |
| Dichte, g/cm3 | 3,98 |
| Schmelzpunkt, °K | 2303 |
| Härte | Knoop (daN/mm2): Ähnlichkeit 1800 zur C-Achse, Senkrechtes 2200 zur C-Achse, Mohs: 9 |
| Lichtwellenleiterübertragungsstrecke, µm | 0.17 - 5,5 |
| Brechungskoeffizient bei 0,532 µm | n0=1.7717, N.O. =1.76355 |
| Wasseraufnahme | Null |
| Junger Modul, Gpa | 345 |
| Schubmodul, Gpa | 145 |
| Massenmodul, Gpa | 240 |
| Verbiegender Modul (Biegefestigkeit), Mpa | 420 an 20°C, 280 an 500°C |
| Elastischer Koeffizient | C11=496, C12=164, C13=115, C33=498, C44=148 |
| Poisson-Verhältnis | 0.25-0.30 |
| Reibungs-Koeffizient | 0,15 auf Stahl, 0,10 auf Saphir |
| Dehnfestigkeit, MPa | 400 an 25°, 275 an 500°, 345 an 1000° |
| Biegefestigkeit, daN/mm2 | 35 bis 39 |
| Druckfestigkeit, GPa | 2,0 |
| Elastizitätsmodul E, daN/mm2 | 3,6 x 104 bis 4,4 x 104 |
| Spezifische Wärme, J (Kilogramm x K) | 105 an 91°K, 761 an 291°K |
| Thermischer Koeffizient lineare Expansion, K-1, an323K | Ähnlichkeit 6,66 x 10-6 zur optischen Achse, Senkrechtes 5 x 10-6 zur optischen Achse |
| Wärmeleitfähigkeit, mit (m x K) an 300K | Ähnlichkeit 23,1 zur optischen Achse, Senkrechtes 25,2 zur optischen Achse |
| Widerstandskraft, Ohm x cm | 1016 (25°), 1011 (500°), 106 (1000°) |
| Dielektrizitätskonstante | 11,5 (103 - 109 Hz, 25°) Ähnlichkeit zur C-Achse, (103 - 109 Hz, 25°) Senkrechtes 9,3 zur C-Achse |
| Durchschlagsfestigkeit, V/cm | 4 x 105 |
| Verlusttangente | 1 x 10-4 |
| Löslichkeit - im Wasser - in HNO3, H2SO4, HCl, HF - in den alcalis - in den Schmelzen Metallen Magnesium, Al, Cr, Co, Ni, Na, K, Bi, Zn, Cs |
unlöslich unlöslich zu 300°C unlöslich zu 800°C unlöslich zu 800-1000°C |
| g - Strahlungsstabilität | Keine Änderung im Getriebe über 2,5 Millimeter nach Aussetzung zu 107 Raden. Keine sichtbare Färbung nach Aussetzung zu 108 Rads/hr für 60 Minuten an - 195°C |
| Proton-Strahlungsstabilität | Keine Änderung im Getriebe unterhalb 0,3 µm nach Aussetzung zu 1012 Proton/zu den cm2 Gesamtdosis |
| Chemikalienbeständigkeit |
Saphir ist in hohem Grade träge und beständig gegen Angriff in der meisten Prozessumwelt einschließlich Fluorwasserstoffsäure und in den Fluorplasmaanwendungen fand allgemein bei der Halbleiterwaferverarbeitung (NF3, CF4) |
was ist advantagement des Saphirs?
1-Thinner und stärker als Standard- Glas-Windows
Wellenlängen 2-Transmits, die von UV bis zu Mittel-Infrarot reichen
extreme Oberflächenhärte 3-Features und Chemikalienbeständigkeit
was ist Anwendungen für Saphir?
Saphirsubstrate/-oblaten: EPI-Polier-, optisch polierte, eingehüllte oder wie-geschnittene Saphirscheiben,
Fenster, Substrate, freie Räume sowie Epitaxial- Strukturen „Silikon-aufsaphir“ (PAS).
Probe 3,0
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