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polished silicon wafer

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kaufen 8 Zoll Quarz-Wafer Durchmesser 200mm TTV ≤10μm Ra ≤1.0 Nm Für Hochpräzisionssensoren Online Hersteller

8 Zoll Quarz-Wafer Durchmesser 200mm TTV ≤10μm Ra ≤1.0 Nm Für Hochpräzisionssensoren
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2025-07-01 13:16:41
kaufen 2 Zoll Quarz Glas Wafer DSP SSP Durchmesser 50,8 mm Online Hersteller

2 Zoll Quarz Glas Wafer DSP SSP Durchmesser 50,8 mm
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2025-07-03 17:06:20
kaufen Hochpräzision SIC Siliziumkarbid Keramik Chuck Keramik Element Vakuumsupper Anpassung Online Hersteller

Hochpräzision SIC Siliziumkarbid Keramik Chuck Keramik Element Vakuumsupper Anpassung
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2025-03-18 17:21:53
kaufen 2' 4' InP Wafer Indium Phosphid Wafer Halbleiter Substrate 350um 650um Online Hersteller

2' 4' InP Wafer Indium Phosphid Wafer Halbleiter Substrate 350um 650um
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2023-10-26 11:04:11
kaufen Monokristalline Silizium-Doppelstation-Quadratmaschine 6/8/12 Zoll Burr ≤0,5 mm hohe Präzision ±0,05 mm Online Hersteller

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2025-04-14 17:40:13
kaufen 12 Zoll Durchmesser 300 mm SIC Substrat Epitaxial Polierte Wafer Siliziumkarbid Ingot Prime Grade 4H-N Typ Leitung Solar Photovoltaik Online Hersteller

12 Zoll Durchmesser 300 mm SIC Substrat Epitaxial Polierte Wafer Siliziumkarbid Ingot Prime Grade 4H-N Typ Leitung Solar Photovoltaik
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2025-03-21 11:00:23
kaufen Silikonkarbid Wafer Sic 6H-P Typ Off-Achse 2,0° Produktionstyp Forschungstyp Online Hersteller

Silikonkarbid Wafer Sic 6H-P Typ Off-Achse 2,0° Produktionstyp Forschungstyp
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2025-02-21 16:42:38
kaufen 4-Zoll SiC Epitaxie-Wafer 4H-N Durchmesser 100 mm Dicke 350 µm Prime Grade Online Hersteller

4-Zoll SiC Epitaxie-Wafer 4H-N Durchmesser 100 mm Dicke 350 µm Prime Grade
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2025-07-01 13:16:40
kaufen 6 Zoll SiC Epitaxial Wafer Durchmesser 150mm 4H-N Typ 4H-P Typ Für 5G Kommunikation Online Hersteller

6 Zoll SiC Epitaxial Wafer Durchmesser 150mm 4H-N Typ 4H-P Typ Für 5G Kommunikation
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2025-07-07 09:23:01
kaufen 2 Zoll Durchmesser 50,8 mm 4H-N Typ SiC Epitaxie-Wafer für Hochtemperatursensoren Online Hersteller

2 Zoll Durchmesser 50,8 mm 4H-N Typ SiC Epitaxie-Wafer für Hochtemperatursensoren
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2025-07-01 13:16:40
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Sic Substrat

Hoher Reinheitsgrad UNO-lackierte Silikon-Karbid-sic Oblate, Silikon-Karbid-Substrat 6Inch 4H-Semi sic

2 Zoll 6H - halb Leistungsaufnahme der Silikon-Karbid-Wafer-geringen Energie für Detektor

sic Silikon-Karbid des Barren-4inch 5 - 15mm Stärke für Halbleiter

4H-SEMI polierte sic Oblatenlinse 2INCH 3INCH 4INCH 9,0 Härte für Gerät-Material

Saphir-Oblate

Windows-Special-Orientierung des Halbleiterwafer-kundenspezifische Saphir-Glas-/Saphir

Saphir-Wafer Dicke 0,43 mm Saphir-Komponenten individuell angepasst Größe und Ausrichtung

Quadratische Saphir-Oblate/Saphir-Kristallglas 10x10mm 5x5mm für optische Linse

2°Off C - Achsen-synthetischer Saphir Glas-Epi - bereiter Zoll Durchmesser 50.8mm der Substrat-2

Gallium-Nitrid-Oblate

Stärke Laser-Projektions-Anzeigen-Gallium-Nitrid-GaN Wafers 350um

2inch 4inch freistehender GaN Gallium Nitride Substrates Template für geführt

Schablone 2INCH 4INCH NPSS/FSS AlN auf Saphirc$epi-oblate AlN-Auf-Saphiroblate

Gallium-Nitrid GaN AlN 2inch 4Inch Schablonen-Oblate auf Saphir, Si-Substrate

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