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12 Zoll C-aixs Al2O3 Saphir Wafer DSP Durchmesser 304,8 mm

Produkt-Details

Herkunftsort: Shanghai China

Markenname: ZMSH

Zertifizierung: ROHS

Modellnummer: mit einer Dicke von nicht mehr als 0,05 mm

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Lieferzeit: in 30 Tage

Zahlungsbedingungen: T/T

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Hervorheben:

Al2O3 Saphirwafer

,

Spezielle Dicke Saphir Wafer

,

12 Zoll Saphir Wafer

Chemische Formel:
Al2O3
Dichte:
0.144 lb/in3
Schmelzpunkt:
2310 K (2040° C)
Kompressions-Stärke:
300,000 psi (letztes Ergebnis)
Durchmesser:
3040,8 mm
Oberfläche:
DSP
Chemische Formel:
Al2O3
Dichte:
0.144 lb/in3
Schmelzpunkt:
2310 K (2040° C)
Kompressions-Stärke:
300,000 psi (letztes Ergebnis)
Durchmesser:
3040,8 mm
Oberfläche:
DSP
12 Zoll C-aixs Al2O3 Saphir Wafer DSP Durchmesser 304,8 mm

12 Zoll C-aixs Al2O3 Saphir Wafer DSP Durchmesser 304,8 mm

Produktbeschreibung
Saphirwafer werden zum Ausdünnen und Polieren von Cadmium-Gallium-Arsenid-Chips (CdGaAs) verwendet.Bei herkömmlichen Verdünnungsverfahren für CdGaAs-Chips treten aufgrund des Gewichts und des Drucks, den die Ausrüstung ausübt, häufig Chips aufAußerdem kann die Anhäufung von Oberflächenbelastungen während des Ausdünnens zu Verformungen führen, die zu einem erheblichen Verlust der Produktleistung führen.,Während Splitterklebstoffe und chemische Polierlösungen Verunreinigungen einführen können.Das neue Verdünnungsverfahren besteht darin, die CdGaAs-Chips unter hohen Temperaturen an Saphirwafer (im Durchmesser etwas größer als die Zielchips) zu binden.Die CdGaAs/Saphir-Bindungen werden an einer Keramikplatte befestigt und mit Hilfe spezieller Vorrichtungen verdünnt und poliert.die Saphir- und CdGaAs-Chips werden durch Schmelzen der Bindung in einer Hochtemperaturspülung getrenntDas neue Verdünnungsverfahren ist auf CdGaAs und verschiedene Halbleiterchips anwendbar, und das Trägermaterial kann Saphir, Glas oder andere polierte Wafer sein.Saphir ist aufgrund seiner überlegenen physikalischen und chemischen Eigenschaften zur Hauptwahl für Träger gewordenDas Unternehmen bietet Saphirträger an, die die Anforderungen an die Industrie-Standard-Verdünnungsanlage erfüllen.während die 6-Zoll-Wafer einen Durchmesser von 156 mm oder 159 mm hat, etwas größer als die Standard-Wafer von 4 und 6 Zoll.

Produktparameter

Allgemeine
Chemische Formel Al2O3
Kristallstruktur Hexagonales System ((hk o 1)
Einheitszelldimension a=4.758 Å, Å c=12.991 Å, c:a=2.730
FISISCISCH
Metrische Englisch (Imperial)
Dichte 30,98 g/cc 0.144 lb/in3
Härte 1525 - 2000 Knoop, 9 m 3700° F
Schmelzpunkt 2310 K (2040° C)
Strukturelle
Zugfestigkeit 275 MPa bis 400 MPa 40,000 bis 58,000 psi
bei 20° 400 MPa 58,000 psi (Konstruktionsmin.)
bei 500°C 275 MPa 40,000 psi (Konstruktionsmin.)
bei 1000°C 355 MPa 52,000 psi (Konstruktionsmin.)
Flexuralstärke 480 MPa bis 895 MPa 70,000 bis 130.000 psi
Kompressionsfestigkeit 2.0 GPa (letztes Ergebnis) 300,000 psi (letztes Ergebnis)

Anwendung des Produkts

  • Verwendung als Substrat für Halbleiterkreise

Dünne Saphirwafern waren die erste erfolgreiche Verwendung eines Isoliersubstrats, auf dem Silizium abgeschieden wurde, um die integrierten Schaltkreise bekannt als Silizium auf Saphir oder "SOS" zu machen,Neben seinen hervorragenden elektrischen DämmungseigenschaftenCMOS-Chips auf Saphir sind besonders nützlich für Hochleistungs-Radiofrequenz-Anwendungen (RF), wie sie in Mobiltelefonen zu finden sind,Funkgeräte zur öffentlichen Sicherheit, und Satellitenkommunikationssysteme.
Wafer aus einkristallinem Saphir werden auch in der Halbleiterindustrie als Substrate für das Wachstum von Geräten auf Basis von Galliumnitrid (GaN) verwendet.Der Einsatz von Saphir senkt die Kosten erheblichGalliumnitrid auf Saphir wird häufig in blauen Leuchtdioden (LED) verwendet.

  • Als Fenstermaterial verwendet

Synthetischer Saphir (manchmal auch Saphirglas genannt) wird üblicherweise als Fenstermaterial verwendet.weil es sowohl für Wellenlängen von 150 nm (UV) als auch für 5500 nm (IR) hochtransparent ist (das sichtbare Spektrum erstreckt sich etwa von 380 nm bis 750 nm)Die wichtigsten Vorteile von Saphirfenstern sind:
* Sehr breites optisches Übertragungsband von UV bis Nahinfrarot
* deutlich stärker als andere optische Materialien oder Glasfenster
* Hohe Kratz- und Abriebsbeständigkeit (9 auf der Mohs-Skala der Mineralhärte, die dritthärteste natürliche Substanz nach Moissanit und Diamanten)
* Extrem hohe Schmelztemperatur (2030 °C)

Produktanzeige

12 Zoll C-aixs Al2O3 Saphir Wafer DSP Durchmesser 304,8 mm 012 Zoll C-aixs Al2O3 Saphir Wafer DSP Durchmesser 304,8 mm 1

Häufig gestellte Fragen

F: Was ist Ihr MOQ?

A: (1) Für Lagerbestände beträgt die MOQ 10 Stück.

(2) Für maßgeschneiderte Produkte beträgt die MOQ 25 Stück.

F: Wie ist der Versand und die Kosten?

A:(1) Wir akzeptieren DHL, Fedex, EMS usw.

(2) Wenn Sie ein eigenes Expresskonto haben, ist das toll. Wenn nicht, können wir Ihnen helfen, sie zu versenden.

Die Fracht entspricht der tatsächlichen Rechnung.

F: Wie ist die Lieferzeit?

Für Bestände: Die Lieferung erfolgt 5 Werktage nach Bestellung.

Für maßgeschneiderte Produkte: Die Lieferung erfolgt 2 oder 3 Wochen nach Bestellung.

F: Haben Sie Standardprodukte?

A: Unsere Standardprodukte sind auf Lager.0.5mm polierte Wafer.

F: Wie zahlen?

A: 50% Anzahlung, vor Lieferung T/T,

F: Kann ich die Produkte anhand meiner Bedürfnisse anpassen?

A: Ja, wir können das Material, die Spezifikationen und die optische Beschichtung für Ihre optische

Komponenten, die auf Ihren Bedürfnissen basieren.