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[polished silicon wafer ]

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Silikon-Karbid-sic Substrat-blinder Hauptgrad Oblate 4inch 6Inch 4H-N 500mm 350um SIC

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2 Zoll 4 Zoll 6 Zoll Sic Siliziumkarbid Substrat 6H High P-Doped Typ Off Axis 4,0° nach vorne Prime Grade Dummy Grade

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2 Zoll/4 Zoll/6 Zoll/5,05,0 mm/10,010,0 mm Sic Siliziumkarbid Substrat Typ 3C-N Auf der Achse: < 111 > ± 0,5° Produktionsgrad Dummy-Grad

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Kundengebundene Größen-Silikon-Karbid-Substrat-Härte 9,4 sic Teile für Ausrüstung

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6 Zoll Silikonkarbid Halbisolierendes SiC-Verbundsubstrat P-Typ N-Typ Einzelpolnisch Doppelpolnisch Produktionsgrad

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Halb- isolierendes Silikon-Karbid-Substrat, sic hoher Reinheitsgrad der Oblaten-4H

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Karbid-Oblaten 6H oder 4H des Silikon-2Inch, die Substrate N-artig oder sic Halb-isoliert worden sein würden

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4H-N 8inch Halbleiter-Substrat SIC-Silikon-Karbid-Oblate für Solarphoto-voltaisches

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Kundenspezifische leitfähige Art sic Oblate für Hochspannungs-Starkstromgerät-Solarphoto-voltaisches der hohen Temperatur

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6inch Sapphire Wafer Orientation 0001 Al2O3 einzelner Crystal Optical Transparency

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4inch SSP Sapphire Wafer Quartz Glass Thickness 0.1mm 0.15mm 0.2mm

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kaufen SiC-Wafer aus Siliziumkarbid 4H-N 2

SiC-Wafer aus Siliziumkarbid 4H-N 2"3"4"6"8"12" N Typ Prime / Dummy / Forschungsgrad

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sic besonders angefertigt 4 Silikon-Karbid-Oblaten H-N Type Semi-Insulatings Substrat-4inch 6inch

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