Hervorheben:
Schein-Silikon-Carbid-Wafer
, Primär-Siliziumkarbid-Wafer
, 4H-N-Siliziumkarbid-Wafer
Material: |
SIC Kristall |
Typ: |
N |
Größe: |
2/3/4/6/8/12 |
Stärke: |
500 mm±50 mm |
Orientierungen: |
40,0° abseits der Achse + 0,5° in Richtung <11-20> |
Oberflächenrauheit (Carbonface): |
Ra < 0,5 nm mit Kohlenstoffgesicht epi-bereit |
Widerstand: |
< 0,25 Ohm.cm |
Oberflächenrauheit (Siliziumfläche): |
mit einer Breite von nicht mehr als 15 mm |
TTV: |
<10um> |
Verbeugen: |
<30um> |
Verpackung: |
<30um> |
SiC-Wafer aus Siliziumkarbid 4H-N 2"3"4"6"8"12" N Typ Prime / Dummy / Forschungsgrad
4H-N 2/3/4/6/8/12 Zoll Siliziumkarbid (SiC) Substrat Prime/Dummy/Research Grade
Diese Produktreihe bietet hochreine Siliziumkarbid (SiC) -Substrate in mehreren Durchmessern (2", 3", 4", 6", 8" und 12"), die für fortgeschrittene Halbleiter, Leistungselektronik,und optoelektronische AnwendungenDiese Substrate sind in Prime- (Gerätegrad), Dummy- (Prozess-Test) und Research- (Experimental) Graden erhältlich und verfügen über eine ausgezeichnete Wärmeleitfähigkeit (> 400 W/m·K für SiC), eine hohe Abbruchspannung,und überlegene chemische Stabilität.
Die Prime Grade sorgt für eine extrem geringe Defektdichte, was sie ideal für Hochleistungsgeräte wie MOSFETs, Schottky-Dioden und HF-Komponenten macht.Die Dummy Grade bietet kostengünstige Lösungen für die Prozessoptimierung, während die Forschungsstufe akademische und industrielle FuE im Bereich der Breitband-Halbleitertechnologien unterstützt.
Mit anpassbaren Spezifikationen (Doping, Dicke, Polieren) erfüllen diese Substrate die strengen Anforderungen an Leistungselektronik, 5G-Kommunikation und Anwendungen für Elektrofahrzeuge (EV).
Spezifikationstabelle
| Eigenschaften |
Spezifikationen |
| Material |
4H SiC |
| Verpackung |
Einfach gefertigte Waferpackung |
| Typ |
N-Typ |
| Durchmesser |
150 mm ± 0,25 mm (4 Zoll) |
| Stärke |
500 μm ± 50 μm |
| Oberflächenrauheit (Carbonface) |
Ra ≤ 0,5 nm mit Kohlenstoffgesicht epi-bereit |
| Oberflächenrauheit (Siliziumfläche) |
mit einer Breite von nicht mehr als 15 mm |
| Orientierungen |
4.0° abseits der Achse ±0,5° in Richtung <11-20> |
| MPD |
≤ 0,5/cm2 oder weniger |
| TTV/BOW/Warp |
< 10 μm /< 30 μm /< 30 μm |
| FWHM |
≤ 30 Bogensekunden oder weniger |
| Primär- und Sekundärwohnung |
Nicht erforderlich (Keine flache Schleifmaschine) |
| Widerstand |
< 0,25 Ohm.cm |
Anwendungen von SiC-Wafern
Unsere 4H-N-Substrate sind für Spitzentechnologien in verschiedenen Branchen entwickelt:
1. Leistungselektronik
- Elektrofahrzeuge (EV): Hochspannungs-SiC-MOSFETs und Wechselrichter für eine effiziente Energieumwandlung.
- Schnelle Ladesysteme: Kompakte, hocheffiziente Ladegeräte für Elektrofahrzeuge und Unterhaltungselektronik.
- Industrieantrieb: Robuste Leistung bei hohen Temperaturen.
2. HF- und drahtlose Kommunikation
- 5G-Basisstationen: Hochfrequenztransistoren mit geringem Signalverlust.
- Radar- und Satellitensysteme: Verbessertes Leistungsmanagement für Luft- und Raumfahrt- und Verteidigungsanwendungen.
3. Optoelektronik
- UV-LEDs und Laser: Überlegene thermische Steuerung für Anwendungen mit hoher Helligkeit.
4Forschungstechnologien
- Forschungen über Breitbandhalbleiter: Grundlagenforschung der Materialeigenschaften.
Häufig gestellte Fragen (FAQ)
1.Können diese Substrate in Bezug auf Doping und Dicke angepasst werden?
Ja, wir bieten N-Typ (Stickstoff-doped) und P-Typ (Aluminium-doped) Varianten mit verstellbarem Widerstand.
2Wie lange dauert die Lieferzeit für Bestellungen?
- Standardgrößen: 2 bis 4 Wochen.
- Große Größen (8"-12"): 4-6 Wochen (je nach Verfügbarkeit).
3-Wie sollten die Substrate gelagert und behandelt werden?
- In Reinraumbedingungen (Klasse 1000 oder besser) aufbewahren.
- Handhaben Sie mit Nitrilhandschuhen, um Kontamination zu vermeiden.
- Vermeiden Sie mechanische Belastungen an den Kanten.
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