SiC-Präzisionsbindemaschine für Wafer, Graphitpapier und SiC-Samen

SiC-Präzisionsbindemaschine für Wafer, Graphitpapier und SiC-Samen

Produktübersicht

Die SiC-Bindmaschine ist ein hochpräzises System, das zur Bindung von Wafern, SiC-Samen, Graphitpapier und Graphitplatten entwickelt wurde.und einstellbarer Druck, so dass die Bindung blasenfrei, gleichmäßig und stabil ist.

Diese Maschine ist ideal für die Halbleiterherstellung, SiC-Samenvorbereitung, Hochtemperaturkeramik und Forschungs- oder Pilotanwendungen geeignet.reproduzierbares Verfahren für Materialien, die hohe Präzision und Integrität erfordern.

Wichtige Vorteile

• Hochpräzision der Bindung: Eine genaue Ausrichtung gewährleistet eine gleichmäßige Bindung des Substrats.

• Blasenfreie Bindung: Die Vakuumbindung entfernt eingeschlossene Luft und verhindert Defekte.

• Einstellbarer Druck: Sorgt für eine gleichmäßige Verdichtung für eine gleichbleibende Bindungsqualität.

• Materielle Vereinbarkeit: Unterstützt Wafer, SiC-Samen, Graphitpapier und Graphitplatten.

• Stabiler und reproduzierbarer Prozess: Ideal für die Produktion in kleinen Chargen oder in Pilotmodellen.

• Benutzerfreundlicher Betrieb: Einfache Schnittstelle für eine einfache Steuerung und Prozessüberwachung.

Systemmerkmale

• Mechanismus zur Ausrichtung des Zentrums: Präzise Platzierung von Wafern, SiC-Samen und Graphitplatten.

• Vakuumunterstützte Bindung: Eliminiert Luftblasen in der Klebschicht.

• Einstellbares Drucksystem: Sorgt für eine einheitliche Schnittstellenkompression.

• Programmierbare Prozessparameter: Temperatur, Druck und Aufenthaltszeit können für bestimmte Materialien festgelegt werden.

• Datenerfassung und Überwachung: Aufzeichnungen von Prozessparametern für die Qualitätssicherung.

• Kompaktes und modulares Design: Einfach in bestehende Arbeitsabläufe zu integrieren.

Technische Spezifikation

Typische Anwendungen

• SiC-Samenbindung: Hochpräzisionsbindung von SiC-Samen an Wafer oder Substrate.

• Halbleiterwafer: Bindung von Ein- oder Mehrschichtwafern.

• Graphitsubstrate: Verklebung von Graphitpapier oder -platten für Hochtemperaturanwendungen.

• FuE und Pilotproduktion: Kleinserien- oder Forschungsverbindungen.

• Hochtemperaturmaterialien: Bindung von keramischen oder zusammengesetzten Substraten.

Häufig gestellte Fragen

F1: Mit welchen Substraten kann diese Bindemaschine umgehen?
A1:Wafer, SiC-Samen, Graphitpapier und Graphitplatten, einschließlich starrer und flexibler Substrate.

F2: Wie wird die Bindung ohne Blasen erreicht?
A2:Die Vakuumbindung entfernt eingeschlossene Luft und sorgt für eine defektfreie Klebschicht.

F3: Ist der Klebdruck einstellbar?
A3:Ja, der Druck ist von 0 ‰ 5 MPa für eine einheitliche Schnittstellenkompression einstellbar.

F4: Kann diese Maschine eine Pilotproduktion unterstützen?
A4:Ja, es eignet sich für Forschung, Pilot- und Kleinserienproduktion.

F5: Ist die Maschine einfach zu bedienen?
A5:Ja, das System verfügt über eine benutzerfreundliche Schnittstelle und eine halbautomatische Ausrichtung für eine einfache Bedienung.