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PRODUKTE

Saphir-Oblate

Saphir-Wafer-Verschleißfestigkeit des c-Achsen-8 Zoll-Al2O3 für optische Kristalllinse

SSP-/DSP-Saphir-Oblaten-Substrat-Verschleißfestigkeit für optische Linse

A - Achse 4 Visions-Licht-Transmissivität Zoll-Saphir-optische Windows 85%

Doppelte Seiten-synthetisches Saphir-Polierglas 10 x 12.3mm 0.5mm Stärke

0.3mm DSP Sapphire Wafer Substrate Customized Thickness

Sapphire Crystal Cr 3+Doped Ruby Cr Al 2O3 Crystal Substrate Ruby Wafer

Sic Substrat

55mm/1010mm Siliziumkarbid Wafer Dicke 350μm Sic 3C-N Typ Hohe mechanische Festigkeit Produktionsgrad

Silikonkarbid Wafer 6 Zoll Sic Einzelkristall 150 mm Durchmesser 3C-N Typ Anzug für Kommunikationsradarsysteme

Siliziumkarbid Substrat 4' Sic 3C-N Durchmesser 100 mm Leitfähiges Typ Null MPD

4 Zoll Sic Siliziumkarbid Wafer 6H-P Typ Dicke 350μm Null / Prime Grade Dummy Grade

Silikonkarbid Wafer 6H P-Typ und 4H P-Typ Null MPD Produktion Dummy Grade Dia 4 Zoll 6 Zoll

Silikonkarbid Wafer 4H P-Typ Null MPD Produktionsgrad Dummy Grade 4 Zoll 6 Zoll

Saphir optisches Windows

Doppelte Seiten-Poliersaphir Windows für Fingerabdruck-Anerkennungs-Anwendungen

IC-Siliziumscheibe

Schwarzes 8 Zoll IC-Siliziumscheibe-Silikon-Barren Polysilicon für Halbleiter-Prozess

Draht sah Maschine

Maschine zum Schneiden von Natursteinen mit mehreren Drähten

Sic Diamantdrahtschneidemaschine Präzisionsführung Sic Kristallstange Schneiden

Diamantdraht-Ein- oder Mehrfachdrahtsäge für die Verarbeitung von Halbleiterwafern

Synthetischer Saphir Rod

Elektronische Keramik-synthetischer Saphir Rod mit 99,999% Materialien Al2O3

Fixierter Quarz-Platte

Optisches fixiertes Kristallmaterial des Silikon-Quarz-Rohr-SiO2 mit kundengebundener Loch-Form

Chemiefasergewebe-fixierter Quarz-Platte des Grad-GS1, Quarz-optische Fenster 2.2g/cm ³ Dichte

120 x 120mm fixierter Quarz-Platte kundengebundene quadratische Form für elektronisches Licht

Saphir-Teile

Durch Glas Vi (TGV) JGS1 JGS2 Saphir BF33 Quarz Anpassbarer Abmessungen

Durch Glasvias (TGV) für JGS1 JGS2 Saphir-Kornglas, das für jeden Metallisierungsprozess geeignet ist

Sapphire Optical Lens Hochauflösung Härte Mehrmaß angepasst

Rote Saphirkristall Werkstück Komponentenhärte 9 Mohs Anti Kratzer

High-Precision angepasste Saphirlager Niedrige Reibung Industrieanwendungen

Saphirröhrchenlänge 203,2 mm Druckbeständig, individuell angepasste Größe Einkristall Al2O3

Synthetischer Edelstein

Halbleiter-Ausrüstung

Magnetische Aufhängung Zentrifugalluftkompressor 45%-100% Dauermagnet Frequenzumwandlung Zentrifugaltechnologie

Glaslaser Präzisionsschneidemaschine Glasverarbeitung UV-Laser CNC-System

Teile für die Präzisionsbearbeitung von kleinen Tischlaserperforatoren mit Mikrometeröffnung

SiC-Kristallwachstumsöfen PVT LPE HT-CVD hochwertige SiC-Kristallwachstumsmethode

Oblate LiNbO3

Indium-Phosphid-Oblate

N / P schreiben Germanium-Oblate, Germanium-Optik-Platten-Durchmesser 0,5 | 150mm

Platten-Indium-Phosphid-Oblaten-ausgezeichnetes Halbleiter-Material GEs optische

Primär-/blinde Grad-Indium-Phosphid-Oblaten-Stärke 350um für LD

3,58 Oblaten-Magnesium-Oxid-Kristall-Substrat Dichte-MgO-Substrat-/MgO

keramisches Substrat

Keramische Oblaten-ausgezeichnete elektrische Eigenschaften des Substrat-Al2O3 für Gleitringdichtungen

Laborverpackung

Gallium-Nitrid-Oblate

Gallium-Nitrid GaN AlN 2inch 4Inch Schablonen-Oblate auf Saphir, Si-Substrate

Undoped halb- isolierende Gallium-Nitrid-Oblate HVPE und Schablonen-Art

GaN-Schablone wachsen Saphir-Trägersubstrat-Chip-Gewohnheits-Orientierung der Anwendungs-SSP

HVPE-Gallium-Nitrid GaN-Oblate, Gan-Chip-freie Stellung 10 x 10 Millimeter-Größe

Halbleiter-Gallium-Nitrid-Wafer, GaN-Substrat-Schablone N - Art - 2 Zoll

GaAs-Oblate

N - Schreiben Sie Galliumarsenid-Wafer GaAs einzelner Kristall-Substrate 2 - 6 Zoll

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