China SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD seitenverzeichnis



haus

Über us

Unternehmensprofil

fabrik-ausflug

qualitätskontrolle

FAQ

produkte

Saphir-Oblate

Sic Substrat

Saphir optisches Windows

IC-Siliziumscheibe

Draht sah Maschine

Synthetischer Saphir Rod

Fixierter Quarz-Platte

Saphir-Teile

Synthetischer Edelstein

Halbleiter-Ausrüstung

Oblate LiNbO3

Indium-Phosphid-Oblate

keramisches Substrat

Laborverpackung

Gallium-Nitrid-Oblate

GaAs-Oblate

lösungen

nachrichten

treten sie mit uns in verbindung

Einkaufen

Zitat

Haus SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD Seitenverzeichnis

Firma

ÜBER US

Treten Sie mit uns in Verbindung

Blog

Lösungen

PRODUKTE

Saphir-Oblate

Doppelte Seiteneinzelner Kristall-Substrat-PolierVerschleißfestigkeit der saphir-Oblaten-Al2O3

Doppelte Seiten-Poliersaphir-Wafer, Stärke des Saphir-Substrat-2 des Zoll-0.43mm

Rundes C - Achsen-Saphir-Oblaten-Durchmesser 100mm für LED und optische Linse

LED-Chip-Saphir-Oblate kundengebundene Orientierungs-hohe Wärmeleitfähigkeit

Einzelner Kristall-ultra dünner Saphir-Wafer, Stärke des Saphir-Substrat-2 des Zoll-0.1mm

Des Quadrat-10 X10 Millimeter Kristall-Linse Saphir-der Oblaten-0.5mm einzelner der Stärke-Al2O3

Sic Substrat

2/4/6/8 Zoll Sic Siliziumkarbid Kristall-Samen-Substrat 4H-N Typ Hohe Härte P-Klasse R-Klasse D-Klasse

6 Zoll Sic Siliziumkarbid Substrat 6H-P Typ für Kommunikations- und Radarsysteme Durchmesser 150 mm

Sic 3C-N Typ Größe Bearbeitung Leiter Typ für Radarsysteme Null MPD Produktionsstufe

Sic Siliziumkarbid Halbleitergeräte Mehrfachkristallformen 4H 6H 3C Kundengröße 5G-Kommunikationschips

6 Zoll Sic Siliziumkarbid Substrat 4H-P Durchmesser 150 mm Dicke 350 μm Null MPD-Produktion, Standard-Produktionsgrad

2 Zoll SIC Siliziumkarbid Wafer 4H-N Typ für MOS-Gerät Dia 0.4mm

Saphir optisches Windows

Hoher Reinheitsgrad-Saphir-Oblate, Saphir-Kristallglas-optische Schritt-Polierlinse

Aluminiumoxyd-Kristallsaphir-Rod-Verschleißfestigkeit für Iphone-Kamera-Glas

Doppelte Seite polierte Saphir-optischen Windows-Sondergröße-Durchmesser φ350mm

Farbloser transparenter Saphir optisches Windows mit 99,999% Materialien Al2O3

Militärsaphir-Glasfenster, optischer des Fenster-Glas-0,5 - 50 Millimeter Stärke-

Achsen-Saphir-optisches Glas-Linse kundengebundene Form des Rechteck-C für Schutzglas

IC-Siliziumscheibe

Schwarzes 8 Zoll IC-Siliziumscheibe-Silikon-Barren Polysilicon für Halbleiter-Prozess

Draht sah Maschine

Maschine zum Schneiden von Natursteinen mit mehreren Drähten

Sic Diamantdrahtschneidemaschine Präzisionsführung Sic Kristallstange Schneiden

Diamantdraht-Ein- oder Mehrfachdrahtsäge für die Verarbeitung von Halbleiterwafern

Synthetischer Saphir Rod

Elektronische Keramik-synthetischer Saphir Rod mit 99,999% Materialien Al2O3

Fixierter Quarz-Platte

Optisches fixiertes Kristallmaterial des Silikon-Quarz-Rohr-SiO2 mit kundengebundener Loch-Form

Chemiefasergewebe-fixierter Quarz-Platte des Grad-GS1, Quarz-optische Fenster 2.2g/cm ³ Dichte

120 x 120mm fixierter Quarz-Platte kundengebundene quadratische Form für elektronisches Licht

Saphir-Teile

Kristallglas A - Achsen-Orientierung des Saphir-Al2O3 für Telefon-Abdeckungs-Schutzglas-Film

Haltbares Scanner-Saphir-Abdeckungs-Glas, optisches Glas-Linsen-niedrige Verzerrung

Aluminiumoxyd synthetische Sapphire Glass Window 0.16mm Stärke-Al2O3

Stärke des Durchmesser-5mm Sapphire Cover Glass 0.3mm

2 Zoll Saphir Substrat Wafer Hohe Reinheit Al2O3 99,999% DSP Durchmesser 50,8 mm

12 Zoll C-aixs Al2O3 Saphir Wafer DSP Durchmesser 304,8 mm

Synthetischer Edelstein

Halbleiter-Ausrüstung

Magnetische Aufhängung Zentrifugalluftkompressor 45%-100% Dauermagnet Frequenzumwandlung Zentrifugaltechnologie

Glaslaser Präzisionsschneidemaschine Glasverarbeitung UV-Laser CNC-System

Teile für die Präzisionsbearbeitung von kleinen Tischlaserperforatoren mit Mikrometeröffnung

SiC-Kristallwachstumsöfen PVT LPE HT-CVD hochwertige SiC-Kristallwachstumsmethode

Oblate LiNbO3

Indium-Phosphid-Oblate

N / P schreiben Germanium-Oblate, Germanium-Optik-Platten-Durchmesser 0,5 | 150mm

Platten-Indium-Phosphid-Oblaten-ausgezeichnetes Halbleiter-Material GEs optische

Primär-/blinde Grad-Indium-Phosphid-Oblaten-Stärke 350um für LD

3,58 Oblaten-Magnesium-Oxid-Kristall-Substrat Dichte-MgO-Substrat-/MgO

keramisches Substrat

Keramische Oblaten-ausgezeichnete elektrische Eigenschaften des Substrat-Al2O3 für Gleitringdichtungen

Laborverpackung

Gallium-Nitrid-Oblate

Gallium-Nitrid GaN AlN 2inch 4Inch Schablonen-Oblate auf Saphir, Si-Substrate

Undoped halb- isolierende Gallium-Nitrid-Oblate HVPE und Schablonen-Art

GaN-Schablone wachsen Saphir-Trägersubstrat-Chip-Gewohnheits-Orientierung der Anwendungs-SSP

HVPE-Gallium-Nitrid GaN-Oblate, Gan-Chip-freie Stellung 10 x 10 Millimeter-Größe

Halbleiter-Gallium-Nitrid-Wafer, GaN-Substrat-Schablone N - Art - 2 Zoll

GaAs-Oblate

N - Schreiben Sie Galliumarsenid-Wafer GaAs einzelner Kristall-Substrate 2 - 6 Zoll

10 11 12 13 14 15 16 17